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    • 91. 发明授权
    • 一种带隙电压参考电路以及用于产生温度曲率校准电压参考的方法
    • CN100527040C
    • 2009-08-12
    • CN200480002422.7
    • 2004-02-23
    • 阿纳洛格装置公司
    • 史蒂文·马林卡
    • G05F3/30
    • G05F3/30
    • 一种带隙电压参考电路(1)包括一个带隙单元(7),该带隙单元中包括第一(Q1,Q2)与第二晶体管(Q3,Q4),它们分别被设置来产生一个校准PTAT电压(AVbe),该电压与第一及第二晶体管堆(8,9)的基极-射极电压差成正比,且被形成在一个主要电阻(R1)两端。一个第一电流镜电路(10)向第一与第二晶体管(Q1,Q4)的射极提供PTAT电流(12至15),一个运算放大器(A1)将第一晶体管堆(8)中第一晶体管(Q2)射极上的电压保持在与电阻(R1)上的电压相同的电平上,并接收一个来自第一电流镜电路(10)的PTAT电流,其他PTAT电流都是从该PTAT电流镜像而得到的。形成在主要电阻(R1)两端的校准PTAT电压(dVbe)被缩放到一个次要电阻(R3)两端,并与第一晶体管堆(8)中第一晶体管(Q1)未经校准的基极-射极CTAT电压叠加,从而在输出端(5)与接地端(3)之间提供电压参考。一个CTAT校准电流(Icr)与PTAT电流(13)相加,并被提供给第二晶体管堆(9)中第二晶体管(Q3)的射极,从而形成在主要电阻(R1)两端的校准PTAT电压(dVbe)具有与第一晶体管(Q1)未经校准的基极-射极CTAT电压的TlnT温度曲率互补的TlnT曲率。这样,形成在输出端(5)与接地端(3)之间的参考电压就是温度稳定且经过TlnT温度曲率校准的。CTAT校准电流是在一个CTAT电流生成电路(12)中根据第一晶体管(Q1)的基极-射极CTAT电压产生的,且流经了第二电流镜电路(15)。