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121. 发明授权

CN102199425B 制造量子点的方法有权转让
公开(公告)号：CN102199425B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201110069115.2
申请日：2011-03-22
申请人：三星显示有限公司 , 首尔大学校产学协力团
发明人：姜钟赫 , 慎重汉 , 朴哉柄 , 李东勋 , 南敏基 , 车国宪 , 李成勋 , 裵完基 , 林载勋 , 郑朱玹
IPC分类号： C09K11/70
CPC分类号： H01L21/02628 , C09K11/623 , H01L21/02521 , H01L21/02557 , H01L21/02568 , H01L21/02601
摘要：本发明涉及制造量子点的方法，所述方法包括：在溶剂中混合II族前体和III族前体以制备第一混合物；在约200℃～约350℃的温度下加热所述第一混合物；在将所述第一混合物保持在约200℃～约350℃的温度下的同时，将V族前体和VI族前体添加到所述第一混合物中以制备第二混合物；和将所述第二混合物保持在约200℃～约350℃的温度下以形成量子点。

122. 发明公开

CN104584243A 半导体发光元件用基板及半导体发光元件以及该等之制造方法失效
公开(公告)号：CN104584243A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380043898.4
申请日：2013-08-21
申请人：王子控股株式会社
发明人：八田嘉久 , 篠塚启 , 大纮太郎 , 梶田康仁
IPC分类号： H01L33/22 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/02019 , H01L21/02282 , H01L21/02285 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/50 , H01L2933/0025 , H01L33/22 , H01L21/3065 , H01L2933/0008 , H01L2933/0033
摘要：本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。

123. 发明授权

CN102142363B 具有薄氮化硅层的金刚石SOI 有权
公开(公告)号：CN102142363B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201010222737.X
申请日：2010-06-28
申请人：英特赛尔美国有限公司
发明人： R·C·杰罗姆 , F·希伯特 , C·麦克拉克伦 , K·胡平格纳
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/02444 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02521 , H01L21/76254 , H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一种用于半导体器件的方法和结构，所述半导体器件包括形成在金刚石SOI层和器件硅层之间的薄氮化物层，以阻挡离子的扩散和提高器件硅的寿命。

124. 发明公开

CN104412361A 用于在异体基质上制造半导体薄层的方法有权转让
公开(公告)号：CN104412361A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380031962.7
申请日：2013-06-17
申请人：让-保罗·泰斯
发明人：让-保罗·泰斯
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02672 , C30B25/02 , C30B29/36 , C30B33/02 , H01L21/0237 , H01L21/02376 , H01L21/0245 , H01L21/02521 , H01L21/02529 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L21/02667
摘要：本发明涉及一种方法，借助该方法能够使施加给异体基质的半导体薄层中的平均的单晶体尺寸、特别是单晶体的直径，与现有方法相比提高一个数量级。该方法的特征在于，在第一步骤中将半导体薄层施加到异体基质上。然后强烈加热异体基质，使得半导体薄层熔化。接着温度缓慢下降到低于半导体薄层的熔化温度为止，其中在冷却过程期间加热异体基质，使得温度从异体基质的表面起、在垂直方向上横向穿过半导体薄层直到薄层的表面为止连续地降低。由此确保了，薄层在温度缓慢下降到低于半导体薄层的熔化温度为止时在相反的方向上结晶或者说凝固。这意味着，直接在薄层的裸露表面处的原子层首先结晶，接着是下一个处于更深位置的原子层，直到最后紧邻异体基质的表面的原子层结晶。在此，直接在薄层的裸露表面处的原子层能够在结晶时不受干扰地自由对齐，由此促进了更大面积的且加厚了若干原子层的单晶体的形成。然后，单晶体作为生长籽晶用于下一个处于更深位置的原子层，使得该大面积的单晶体在朝异体基质的表面的方向上在厚度上进行生长。仅仅紧邻异体基质的表面的原子层在结晶时受到干扰并且退化成非结晶的或者多晶体的分界层。为了确保上述的横穿过薄层的温度变化走向，作为加热类型必须要么选择以平面的方式施加在异体基质下侧的热源要么选择通过过电流加热异体基质。本方法特别适用于制造高效的薄层太阳能电池。本方法同样适用于高温半导体薄层的高质量的退火。

125. 发明公开

CN103765564A 结晶化的方法有权
公开(公告)号：CN103765564A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041674.5
申请日：2012-08-31
申请人：应用材料公司
发明人：布鲁斯·E·亚当斯 , 阿伦·缪尔·亨特 , 斯蒂芬·莫法特
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02521 , H01L21/268
摘要：说明了用于处理具有非晶半导体层或具有小晶体的半导体层的基板以于基板中形成大晶体的设备与方法。识别基板的处理区，并利用对处理区传送脉冲能量的逐步熔化工艺来熔化处理区。接着利用对该区域传送脉冲能量的逐步结晶化工艺来使该处理区重新结晶化。在逐步结晶化工艺中所传送的脉冲能量被选择以随着熔化材料凝固而使小晶体转变为大晶体。

127. 发明公开

CN103378239A 外延结构体有权
公开(公告)号：CN103378239A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210122545.0
申请日：2012-04-25
申请人：清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人：魏洋 , 范守善
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/267 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02444 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02521 , H01L21/02658 , H01L29/1606
摘要：本发明涉及一种外延结构体，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面；一第一外延层，所述第一外延层形成于所述基底的外延生长面；一第二外延层，所述第二外延层设置于所述第一外延层远离基底的表面；其中，进一步包括一石墨烯层设置于所述第一外延层与第二外延层之间。

128. 发明公开

CN103378223A 外延结构体的制备方法有权
公开(公告)号：CN103378223A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210122583.6
申请日：2012-04-25
申请人：清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人：魏洋 , 范守善
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/20 , H01L33/12
CPC分类号： H01L21/02518 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02499 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02521
摘要：本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延生长的外延生长面；在所述外延生长面生长一第一外延层；在所述第一外延层远离基底的表面设置一石墨烯层，所述石墨烯层具有多个空隙；以及在所述设置有石墨烯层的第一外延层表面生长一第二外延层。

129. 发明公开

CN103367121A 外延结构体的制备方法有权
公开(公告)号：CN103367121A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210085270.8
申请日：2012-03-28
申请人：清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人：魏洋 , 范守善
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00
CPC分类号： C30B25/183 , C30B19/00 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/10 , C30B25/186 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02664 , H01L51/0048
摘要：本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述基底的第一外延生长面生长一缓冲层；在所述缓冲层远离基底的表面设置一碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的缓冲层表面生长一第一外延层；去除所述基底及所述缓冲层，暴露出所述碳纳米管层，形成一包括所述第一外延层及所述碳纳米管层的外延衬底；以及将所述外延衬底暴露有碳纳米管层的表面作为一第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。

130. 发明公开

CN103354243A 一种薄膜晶体管、其制备方法及相关装置失效
公开(公告)号：CN103354243A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310269381.9
申请日：2013-06-28
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：李延钊 , 王刚 , 方金钢
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1222 , H01L21/02521 , H01L21/02543 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/324 , H01L21/461 , H01L21/477 , H01L27/1259 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78681 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法及相关装置，在薄膜晶体管中的有源层采用非晶态磷化物半导体材料制备。由于磷化物半导体材料的载流子的迁移率比较高，因此，相对于现有的薄膜晶体管的有源层采用非晶硅、多晶硅、微晶硅或氧化物半导体材料制备，采用非晶态磷化物半导体材料制备薄膜晶体管的有源层，可以得到载流子迁移率较高的薄膜晶体管。

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