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31. 发明公开

CN117886728A 鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法审中-实审
公开(公告)号：CN117886728A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311326718.5
申请日：2023-10-13
申请人：信越化学工业株式会社
发明人：福岛将大
IPC分类号： C07C381/12 , C07C309/73 , C07C309/71 , C07C309/66 , C07C309/65 , C07D333/76 , C07D333/54 , C07D327/06 , C07C211/63 , C07C25/18 , C07C309/12 , C07D327/08 , G03F7/004 , G03F7/038
摘要：本发明涉及鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性优良且为高感度、高对比度、且EL、LWR等光刻性能优良的化学增幅抗蚀剂组成物所使用的鎓盐，以及提供含有该鎓盐作为光酸产生剂的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段是以下式(1)表示的鎓盐。#imgabs0#

32. 发明公开

CN117881724A 有机聚硅氧烷化合物、室温固化性有机聚硅氧烷组合物和物品审中-公开
公开(公告)号：CN117881724A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280057568.X
申请日：2022-08-23
申请人：信越化学工业株式会社
发明人：打它晃 , 坂本隆文
IPC分类号： C08G77/50 , C08K5/5425 , C08L83/14 , C09D183/14 , C09J183/14 , C09K3/10
摘要：本发明提供由下述通式(1)表示的新型的有机聚硅氧烷化合物、含有该化合物和具有环烯氧基甲硅烷基的水解性有机硅烷化合物和/或其部分水解缩合物的、即使使用各种催化剂也具有与现有产品同等的固化性、减轻对于人体的有害性、环境负担、固化后具有良好的橡胶物理性质、耐湿性、耐LLC性的室温固化性有机聚硅氧烷组合物、和具有该组合物或该组合物的固化物的各种物品。#imgabs0#

33. 发明授权

CN113831232B (9Z,11E)-9,11-十六碳二烯醛的制备方法有权
公开(公告)号：CN113831232B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110703343.4
申请日：2021-06-24
申请人：信越化学工业株式会社
发明人：三宅裕树 , 金生刚 , 小松棱
IPC分类号： C07C47/21 , C07C45/42
摘要：本发明提供了一种用于制备下式(4)的(9Z,11E)‑9,11‑十六碳二烯醛的方法，包括：使下式(1)的(2E)‑2‑庚烯醛与以下通式(2)的三芳基膦9,9‑二烷氧基壬基叶立德化合物发生维蒂希反应，其中Ar表示可以彼此相同或不同的芳基基团，R1和R2彼此独立地表示具有1至15个碳原子的一价烃基，或R1和R2可一起形成具有2至10个碳原子的二价烃基R1‑R2，以形成以下通式(3)的(5E,7Z)‑16,16‑二烷氧基‑5,7‑十六碳二烯化合物，其中R1和R2如上定义；和使(5E,7Z)‑16,16‑二烷氧基‑5,7‑十六碳二烯化合物(3)水解以形成(9Z,11E)‑9,11‑十六碳二烯醛(4)。#imgabs0#

34. 发明授权

CN109694076B 多晶硅棒和单晶硅的制造方法有权
公开(公告)号：CN109694076B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201810915033.7
申请日：2018-08-13
申请人：信越化学工业株式会社
发明人：宫尾秀一 , 石田昌彦 , 星野成大 , 祢津茂义
IPC分类号： C01B33/035 , C30B29/06 , C30B15/00 , C30B13/00
摘要：本发明涉及多晶硅棒和单晶硅的制造方法。本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅。本发明的多晶硅棒是在0.3MPaG以上的压力下通过化学气相法培育出的多晶硅棒，其中，在使从该多晶硅棒的任意的部位选取的板状试样从低于硅的熔点的温度升温至超过硅的熔点的温度的同时进行显微镜观察时，在略低于熔点的温度下，未观察到多个结晶粒子不均质地集合的结晶区域、即不是针状结晶的结晶区域的直径超过10μm的不均质结晶区域。

35. 发明公开

CN117700444A 含金属的膜形成用化合物和组成物、图案形成方法及半导体光致抗蚀剂材料审中-实审
公开(公告)号：CN117700444A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311168766.6
申请日：2023-09-12
申请人：信越化学工业株式会社
发明人：小林直贵 , 岩森颂平 , 郡大佑 , 菊地骏 , 半田龙之介 , 橘诚一郎
IPC分类号： C07F7/22 , G03F7/004
摘要：本发明涉及含金属的膜形成用化合物和组成物、图案形成方法及半导体光致抗蚀剂材料。本发明提供对比于已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性，而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、将该组成物使用于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、将前述组成物使用于抗蚀剂材料的图案形成方法、使用了前述组成物的半导体光致抗蚀剂材料。一种含金属的膜形成用化合物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述含金属的膜形成用化合物以下列通式(M‑1)或(M‑2)表示。[化1]#imgabs0#

36. 发明公开

CN117677888A 扫描型缩小投影光学系统及使用其的激光加工装置审中-实审
公开(公告)号：CN117677888A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202180100247.9
申请日：2021-07-20
申请人：信越化学工业株式会社
发明人：山冈裕 , 仲田悟基 , 宇佐美健人
IPC分类号： G02B27/20 , B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/066 , G02B27/09 , G02B26/10
摘要：本发明中，通过扫描型缩小投影光学系统将供体基板上的微小元件以高的位置精度向相向的受体基板上进行激光诱导向前转移，所述扫描型缩小投影光学系统将横多模的脉冲激光光经由透镜阵列型的缩放匀光器、阵列掩模10、扫描镜4、光掩模6、远心投影透镜8在供体基板上以微小区的尺寸成像。作为其实施工序，评价用以获取位置信息的检查、激光诱导向前转移区分割、照射位置选择、转印、台移动的各工序。由此，能以低成本提供扫描型缩小投影光学系统、及搭载有其的封装用或再转印用的激光诱导向前转移装置等，而且也可提供其实施方法，所述扫描型缩小投影光学系统不使用大口径的昂贵的fθ透镜或远心缩小投影透镜，可弥补扫描仪的精度不足，并且将具有均匀且无变动的能量分布的微小的照射区以广范围高精度且高速地扫描。

37. 发明公开

CN117631434A 反射型掩模坯料及反射型掩模的制造方法审中-公开
公开(公告)号：CN117631434A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310996646.9
申请日：2023-08-08
申请人：信越化学工业株式会社
发明人：高坂卓郎 , 生越大河
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/48 , G03F1/54 , G03F1/40
摘要：本发明的反射型掩模坯料包括：基板10；设置在所述基板10的一个面上且至少反射EUV光的多层反射膜20；以及设置在所述基板10的另一个面上的背面导电膜30。所述背面导电膜30具有：膜厚为50nm以上且小于80nm、且含有钽(Ta)、硅(Si)及氮(n)、且氮含量为18原子％以上且小于35原子％、且将硅含量以原子％计为Csi、将钽含量以原子％计设为CTa时，CSi/(CTa+CSi)为3％以上且小于50％的层。

38. 发明公开

CN117616069A 交联型有机硅树脂和其制造方法、以及化妆品审中-实审
公开(公告)号：CN117616069A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280048735.4
申请日：2022-06-21
申请人：信越化学工业株式会社
发明人：安部拓矢 , 小西将幸
IPC分类号： C08G77/46 , A61K8/90 , C08L83/07 , C08L83/05 , A61Q1/00
摘要：课题：本发明的目的在于提供在室温下可用液状的油剂溶解、在使油剂挥发后时在室温下成为液状、树胶状或者固体状的交联型有机硅树脂和其制造方法。进而，目的在于提供涂布性、丰富感优异、使用感良好、成为高含水且清新、经时稳定性良好的乳化物的化妆品，和提供在包含紫外线散射剂的化妆品中可赋予难以白色浮现/白化的防晒效果的交联型有机硅树脂。解决方案：提供下述平均组成式(1)所示的交联型有机硅树脂和其制造方法R(R1彼此独立地为未取代或取代的碳数13‑p(X1/2)pSiO1/2)a4(R，1(R2SiO13SiO2/2)1/2b(R)a11SiO(R123/2～3SiO)30c(SiO的烷基1/2)a24/2(R)、d3碳数(1)[3SiO式中61/2～)30a3，的芳基、或碳数7～30的芳烷基，R2彼此独立地为含有聚氧化烯的基团、具有2个以上羟基和/或烷氧基的含有多元醇的烃基、或选自的R2为含有聚氧化烯的基团R1的选择项中的基团、，或具有在各个2R个以上羟基和23SiO1/2单元中/，或烷氧基1个以上的含有多元醇的烃基，R3彼此独立地为含有有机聚硅氧烷的基团、或选自R1的选择项中的基团，R33SiO1/2单元各自具有1个以上的含有有机聚硅氧烷的基团，X为式(2)所示的2价含有聚氧化烯的基团、或式(3)所示的2价基团，任意地R2、R3、和X的一部分可以为羟基，a1、a2、a3、a4、b、c、和d为满足0＜a1≤400、0≤a2≤200、0≤a3≤400、0＜a4≤50、0≤b≤320、0≤c≤320、0＜d≤1000、0.5≤(a1+a2+a3+a4)/(c+d)≤1.5的数，p为1≤p≤3的数]。

39. 发明公开

CN117590684A 图案形成方法审中-实审
公开(公告)号：CN117590684A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311025664.9
申请日：2023-08-15
申请人：信越化学工业株式会社
发明人：橘诚一郎 , 渡边武 , 郡大佑 , 泽村昂志
IPC分类号： G03F1/56 , G03F1/76 , G03F1/38 , G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/30 , G03F7/004
摘要：本发明涉及图案形成方法，其在半导体装置制造步骤中的微细图案化处理中可以获得良好的图案形状，使用了与抗蚀剂上层膜具有高密合性并防止微细图案崩塌的密合膜。所述方法使用含有(A)高分子化合物、(B)热酸产生剂及(C)有机溶剂的密合膜形成用组成物并具有下列步骤：(I‑1)于被加工基板上涂布前述密合膜形成用组成物后，利用热处理以形成密合膜，(I‑2)在前述密合膜上使用抗蚀剂上层膜形成用组成物形成抗蚀剂上层膜，(I‑3)将前述抗蚀剂上层膜进行图案曝光后，以显影液显影，而在前述抗蚀剂上层膜上形成电路图案，(I‑4)将前述已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，以干蚀刻将图案转印在前述密合膜和前述被加工基板。

40. 发明授权

CN109956853B 二羟基萘的提纯方法有权
公开(公告)号：CN109956853B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201811592498.X
申请日：2018-12-25
申请人：信越化学工业株式会社 , 群荣化学工业株式会社
发明人：橘诚一郎 , 郡大佑 , 荻原勤 , 北野智 , 阿部幸雄 , 畠山史裕 , 小林大树
IPC分类号： C07C37/82 , C07C39/14
摘要：本发明提供一种二羟基萘的提纯方法，该方法能够抑制软颗粒的产生，得到作为过滤性良好的树脂、组合物的原料的二羟基萘。所述二羟基萘的提纯方法具有通过吸附剂去除所述二羟基萘中的硫成分的工序，并将中性氧化铝用作所述吸附剂。

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