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41. 发明公开

CN114244289A 一种基于共栅跨导增强结构的高稳定性低噪声放大器审中-实审
公开(公告)号：CN114244289A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111520146.5
申请日：2021-12-13
申请人：电子科技大学
发明人：康凯 , 段东铭 , 赵晨曦 , 刘辉华 , 余益明 , 吴韵秋
IPC分类号： H03F1/26
摘要：本发明属于无线通信技术领域，提供一种基于共栅跨导增强结构的高稳定性低噪声放大器，用以解决传统基于共栅跨导增强结构的低噪声放大器稳定性和输入回波损耗性能差的问题。本发明由单端的共栅结构和跨导增强变压器构成，通过在共栅晶体管的栅极和源极之间并联一个电容C2，改变共栅极放大器的输入阻抗虚部，使之与源阻抗更加接近，进而大幅提升输入回波损耗性能；同时，并联的电容C2构成一条从输入端到地的低阻通路，提升频带内的稳定性，提高跨导增强结构的使用裕度，进一步降低噪声。综上，本发明提供的高稳定性低噪声放大器具有更低的输入回波损耗、更高的稳定性和更低的噪声系数。

42. 发明公开

CN113437941A 一种高边带抑制的高线性度单边带混频器有权
公开(公告)号：CN113437941A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110651911.0
申请日：2021-06-11
申请人：电子科技大学
发明人：康凯 , 刘芬 , 习峻峰 , 赵晨曦 , 刘辉华 , 余益明 , 吴韵秋
IPC分类号： H03D7/14 , H03D7/16
摘要：本发明属于射频频段无线通信技术领域，提供一种高边带抑制的高线性度单边带混频器，用以解决现有高线性度的正交混频器因奇次谐波的干扰导致系统性能恶化的问题。本发明由RC PPF网络、本振信号模块与IQ混频器三部分构成，其中，RC PPF网络输出四路相同摆幅的差分正交中频(IF)信号，本振信号模块基于数字时延电路、产生四路1/3占空比满摆幅的差分正交本振(LO)信号，最后通过IQ混频器将四路1/3占空比满摆幅的差分正交本振(LO)信号与四路相同摆幅的差分正交中频(IF)信号混合，实现对偶次谐波与3次边带的完全抑制；同时，在IQ混频器中，采用差分电感做负载，达到匹配目的，在理想抑制的基础上保证器件高的线性度和增益。

43. 发明公开

CN112953419A 一种基于共源共栅结构的非线性抵消功率放大器无效
公开(公告)号：CN112953419A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110239834.8
申请日：2021-03-04
申请人：电子科技大学
发明人：康凯 , 黄占秋 , 吴韵秋 , 赵晨曦 , 刘辉华 , 余益明
IPC分类号： H03F3/20
摘要：本发明属于无线通信技术领域，提供一种基于共源共栅结构的非线性抵消功率放大器，用以解决现有基于共源共栅结构的功率放大器存在的线性度和输出端回波损耗性能差的问题。本发明由单端共源共栅结构电路与非线性抵消电路构成，通过在单端共源共栅结构的中间节点添加共栅管M3，改变功率放大器的输出电阻，使之与与最佳负载电阻近乎相等，进而大幅提升器件的输出回波损耗性能；同时，共栅管M3与共源共栅结构中共源管M1的非线性电流相互抵消，使得功率放大器的线性度提高；另外，共栅管M3本身不会引入额外的功耗，也不会恶化功率放大器的输出功率。综上，本发明提供的非线性抵消功率放大器具有更高的线性度和更优的输出回波损耗性能。

44. 发明公开

CN112653439A 一种多频带的单刀双掷开关有权
公开(公告)号：CN112653439A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011484522.5
申请日：2020-12-16
申请人：电子科技大学
发明人：康凯 , 黄趾维 , 吴韵秋 , 赵晨曦 , 刘辉华 , 余益明
IPC分类号： H03K17/687
摘要：本发明属于无线通信技术领域，提供一种多频带的单刀双掷开关，用以克服传统串并式开关结构存在的芯片版图面积大、插入损耗高等问题。本发明在传统串并结构的基础上，将片上电感并联在开关管所在支路上，片上电感与关断的晶体管所产生的寄生电容形成谐振在不同频段的并联谐振腔，实现单刀双掷开关功能的同时能够实现工作频段的多频带复用，不仅能够覆盖5G通信的所有频带，还能够实现工作频段的自由切换；同时，相较于传统串并式开关结构，本发明中两个通道间共用1个片上电感，大大减小片上电感的数量，显著的减小芯片版图面积、降低插入损耗。

45. 发明公开

CN112511168A 一种基于电流镜的数模转换器无效
公开(公告)号：CN112511168A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011430633.8
申请日：2020-12-07
申请人：电子科技大学
发明人：康凯 , 曾幸 , 吴韵秋 , 赵晨曦 , 刘辉华 , 余益明
IPC分类号： H03M1/66 , G05F3/26
摘要：本发明属于无线通信技术，提供一种基于电流镜的数模转换器，用以克服传统电荷比例数模转换器存在的占用面积大、集成度低、数据转换精度低及转换速度慢等问题。本发明主要包括共源共栅电流镜阵列和开关管阵列；基于共源共栅电流镜作为基础实现复制基准电流，只需设置共源共栅电流镜阵列中各个复制管与基准管的不同倍数的栅宽/栅长的比值，匹配控制位数字信号控制下开关管阵列中各个开关管的开合，复制得到不同倍数的电流，该电流通过负载电阻得到输出电压，即实现数字信号到模拟信号的数据转换，其数据转换速度快、转换精度高；并且，本发明全部由晶体管构成，占用面积小、集成度高、稳定性高。

46. 发明公开

CN111294003A 一种新型宽可变增益低相移可变增益放大器有权
公开(公告)号：CN111294003A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010095795.4
申请日：2020-02-17
申请人：电子科技大学
发明人：康凯 , 刘沛然 , 吴韵秋 , 赵晨曦 , 刘辉华 , 余益明
IPC分类号： H03G3/20
摘要：本发明属于无线通信技术领域，涉及可变增益放大器(VGA)，具体为一种新型宽可变增益低相移可变增益放大器。本发明采用两个可变增益级串联结构，并使用电流复用结构，显著提高了放大器的可调增益范围；并且，两级可变增益级可以分别由不同的外部电源控制；同时，采用本发明宽可变增益低相移可变增益放大器结构，能够在版图中加入电容消除技术，显著降低各端口耦合电容对于放大器相位的影响，降低可变增益放大器的插入相移。综上，本发明在保证宽可变增益的同时，简化了电路结构，降低了插入相移。

47. 发明公开

CN110661490A 一种基于四端口耦合网络的耦合压控振荡器无效
公开(公告)号：CN110661490A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910840853.9
申请日：2019-09-06
申请人：电子科技大学
发明人：康凯 , 周龙龙 , 吴韵秋 , 赵晨曦 , 刘辉华 , 余益明
IPC分类号： H03B5/12
摘要：本发明属于无线通信技术领域，涉及压控振荡器，具体为一种基于四端口耦合网络的耦合压控振荡器；用以解决传统的耦合压控振荡器对于耦合网络对称性的要求，使得耦合网络不容易实现绝对对称，不仅不能实现降低向相位噪声目的而且更加占用面积的问题。本发明由四个完全相同的压控振荡器与四端口耦合网络构成，将尾电阻串接于共模路径上代替LC并联谐振腔，有效降低相位噪声的同时，大大的减小了芯片面积；并且，本发明采用共模点耦合方式，不仅使得耦合网络更加对称，走线更短减少失配，同时也能大大降低二次谐波处噪声，减小了二次谐波噪声下变频到基波附近从而恶化相位噪声的可能性。

48. 发明授权

CN104883139B 一种用于包络跟踪系统的双开关电源调制器失效
公开(公告)号：CN104883139B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510266972.X
申请日：2015-05-22
申请人：电子科技大学
发明人：康凯 , 熊翼通 , 赵晨曦 , 陈东
IPC分类号： H03F1/32 , H03F3/45 , G05F1/46
摘要：本发明公开了一种用于包络跟踪系统的双开关电源调制器，属于集成电路领域，主要解决了包络跟踪功率放大器现有技术中存在的电源调制器的效率偏低，不能较好的满足系统要求的问题。本发明提供的电源调制器采用双开关变换器结构，包括线性放大器级、主开关变换器级及补偿开关级，将输出电流合并为整个电源调制器的输出信号，为射频功放供电。本发明通过加入补偿开关级对线性级输出的电流进行补偿，减少低效率的线性放大器输出电流，实现系统整体效率的提高。

49. 发明授权

CN114265038B 一种具有温度补偿效应的高精度开关式移相单元有权
公开(公告)号：CN114265038B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202111383574.8
申请日：2021-11-22
申请人：电子科技大学
发明人：康凯 , 王若宁 , 赵晨曦 , 刘辉华 , 余益明 , 吴韵秋
IPC分类号： G01S7/481
摘要：综上，本发明能够保证芯片的全温度工作性能。本发明属于相控阵雷达系统技术领域，提供一种具有温度补偿效应的高精度开关式移相单元，用以解决现有技术在高低温工作温度范围下温度可靠性差的问题。本发明高精度开关式移相单元由电感L1、晶体管M1、晶体管M2与晶体管M3构成，采用栅极接地保持关断状态的MOS晶体管M3代替并联支路上的MIM、MOM电容，利用其寄生关断电容Coff具有正温度系数的特性，有效补偿移相单元因工作温度升高而造成的移相量减小，从而改善相位误差性能；利用其寄生关断电容Coff(56)对比文件KR 20200045225 A,2020.05.04CN 101799536 A,2010.08.11CN 104505816 A,2015.04.08CN 113285690 A,2021.08.20CN 203102064 U,2013.07.31CN 1812252 A,2006.08.02CN 103281047 A,2013.09.04CN 111082765 A,2020.04.28CN 113625819 A,2021.11.09CN 103872039 A,2014.06.18CN 111726096 A,2020.09.29JP 2009171469 A,2009.07.30CN 107466426 A,2017.12.12CN 102495659 A,2012.06.13CN 1257620 A,2000.06.21CN 105871374 A,2016.08.17CN 113612445 A,2021.11.05CN 107621845 A,2018.01.23CN 1221256 A,1999.06.30CN 112653423 A,2021.04.13CN 113328729 A,2021.08.31CN 109617536 A,2019.04.12CN 110190830 A,2019.08.30CN 109412554 A,2019.03.01CN 113162647 A,2021.07.23CN 107147372 A,2017.09.08CN 109616723 A,2019.04.12EP 0663647 A2,1995.07.19US 2005174184 A1,2005.08.11黄占秋.基于65-nm CMOS工艺的W波段两路电流合成型功率放大器的设计《.南京信息工程大学学报（自然科学版）》.2021,第13卷(第4期),425-430.余益明.硅基射频毫米波多通道前端关键模块研究与设计《.中国博士学位论文全文数据库》.2018,(第7期),I135-28.张浩.基于SiGe工艺的X波段多功能芯片设计《.现代雷达》.2020,第42卷(第6期),80-84.齐全文.K波段八通道集成CMOS发射前端芯片的研究《.中国博士学位论文全文数据库》.2021,(第6期), I136-65.杨漫菲. 基于SiGe BiCMOS工艺的Ku波段收发前端芯片研究与设计《.中国优秀硕士学位论文全文数据库》.2018,(第2期),I136-1423.蒋证东.硅基微波毫米波放大器集成电路研究《.中国博士学位论文全文数据库》.2020,(第1期),I135-47.陈东.硅基微波功率放大器集成电路的研究《.中国博士学位论文全文数据库》.2019,(第3期),I135-22.张明名. 基于传输线的130 nm CMOS微波与毫米波电路设计《.中国博士学位论文全文数据库》.2018,(第8期), I135-17.冯嘉琳.相控通信系统中数控移相器的设计《.中国优秀硕士学位论文全文数据库》.2014,(第10期),I135-158.周坤.高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与模型研究《.中国博士学位论文全文数据库》.2018,(第1期),I135-41.刘斐珂.Ka波段高功率开关芯片研究《.中国优秀硕士学位论文全文数据库》.2009,(第4期),I135-233.黄家栋.X波段微波低噪声混合集成接收前端《.舰船电子对抗》.1997,(第1期),30-33.康凯等.MOS多通道芯片《.电子科技大学学报》.2016,第45卷(第4期),502-510.Juan felipe等.Effects of modulationtechniques on leakage ground currents ina grid‐tied transformerless HB‐NPCinverter《.IET Renewable powergeneration》.2019,第13卷(第8期),1250-1260.Peng N等.Ku-band compact Wilkinsonpower divider based on multi-tap inductortechnique in 65-nm CMOS《.IEICEElectronics Express》.2018,第15卷(第23期),1-8.NA PENG等.A Ka-Band Balanced Four-Beam Phased-Array Receiver WithSymmetrical Beam-Distribution Network in65-nm CMOS《.IEEE ACCESS》.2021,第9卷110026-110038.Ilker Kalyoncu等.A 4-bit SiGe passivephase shifter for X-band phased arrays.《IEEE Topical Conference on PowerAmplifiers for wireless and radioapplication2013》.2014,(第1期),133-135.(续)

50. 发明授权

CN114608622B 一种集成温度校准的片上电磁传感器有权
公开(公告)号：CN114608622B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210264599.4
申请日：2022-03-17
申请人：电子科技大学
发明人：康凯 , 于松立 , 刘辉华 , 吴韵秋 , 赵晨曦 , 余益明
IPC分类号： G01D5/14 , G01D18/00 , G01K1/02 , H03F3/68 , H03H7/06
摘要：本发明属于电磁传感器技术领域，具体提供一种集成温度校准的片上电磁传感器，用以解决现有片上电磁传感器中面临的温度影响灵敏度与使用寿命的问题。本发明在CMOS工艺下实现了温度传感器与电磁传感器的全集成设计，并且，温度传感器产生低功耗温度感应PTAT基准电流，并作为霍尔传感器偏置电流使其与温漂电流抵消，有效降低温度对电磁感应电压的影响，即实现霍尔传感器的温度校准；同时，采用环形振荡器在PTAT电流驱动下输出PTAT感应频率，并作为时钟处理电路的内部时钟信号，既能节约外部晶振，又能实现开关电容低通滤波器的温度自适应滤波；另外，温度传感器与电磁传感器增加PD控制端，实现断电芯片保护。

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