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41. 发明公开

CN101171357A 制造多功能材料的方法失效
公开(公告)号：CN101171357A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200680013829.9
申请日：2006-02-16
申请人：财团法人电力中央研究所
发明人：古谷正裕
IPC分类号： C22F1/18 , B01J21/06 , B01J35/02 , B01J37/02 , C22C14/00
CPC分类号： B01J21/063 , B01J23/14 , B01J23/20 , B01J23/24 , B01J23/8472 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J35/10 , B01J37/0215 , B01J37/08 , B01J37/349 , C22C14/00 , C22F1/18 , C23C8/80 , Y10T428/252
摘要：提供制造多功能材料的方法，该多功能材料表现出高的光催化活性，甚至可容易地吸收VOCs，具有高的涂层硬度，并表现出优异的耐热性、耐腐蚀性、耐剥离性和耐磨性。该方法包括通过施加燃烧火焰到基体表面上热处理表面层由钛、氧化钛、钛合金或钛合金氧化物形成的基体使得表面层的温度升高到600℃或更高，或在含氧气氛中热处理基体表面使得表面层的温度升高到600℃或更高，借此在表面层的内部形成由氧化钛或钛合金氧化物的林立微柱形成的层；和随后与表面层平行地切割由林立微柱形成的层，借此产生包括基体和在基体的至少一部分上露出的由氧化钛或钛合金氧化物形成的林立微柱形成的层的材料，以及包括薄膜、位于薄膜上的大量连续小宽度突起和形成在突起上的林立微柱的材料，其中突起和微柱由氧化钛或钛合金氧化物形成并露出在薄膜上。

42. 发明公开

CN101057000A 钼溅射靶失效
公开(公告)号：CN101057000A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580037265.8
申请日：2005-08-29
申请人： H.C.施塔克公司
发明人： B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
IPC分类号： C22C27/04 , B22F3/14 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F5/006 , B22F2003/248 , B22F2301/20 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C21D8/0221 , C21D8/0247 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/14 , C23C14/3478 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/46 , B22F3/172 , B22F3/20 , B22F3/04 , B22F3/10
摘要：特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管－液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。

43. 发明授权

CN100335671C 通过反向的流动挤压冷成型钼的方法失效
公开(公告)号：CN100335671C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200410080309.2
申请日：2004-09-28
申请人： W.C.贺利氏两合有限公司
发明人： B·斯帕尼奥尔 , J·特拉格泽 , W·京特 , J·席尔克
IPC分类号： C22F1/18
CPC分类号： C22F1/18 , B21C23/002 , B21C23/18 , H01J9/022
摘要：一种通过反向流动挤压冷成型钼的方法，其中在冷成型以前进行完全的再结晶。

44. 发明授权

CN100334252C 钽溅射靶及其制造方法失效
公开(公告)号：CN100334252C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN03813382.2
申请日：2003-07-29
申请人：日矿金属株式会社
发明人：小田国博
IPC分类号： C23C14/34 , C22F1/18
CPC分类号： C22C27/02 , C22F1/18 , C23C14/3414 , Y10T29/49988
摘要：一种从靶的厚度的10%位置，向靶的中心面，具有(222)取向优先的结晶组织的钽溅射靶，以及一种对熔融铸造的钽锭或坯段进行锻造和重结晶退火处理，然后进行轧制，形成从靶的厚度的10%位置，向靶的中心面，具有(222)取向优先的结晶组织的钽溅射靶的制造方法。可以使膜的均匀性(一致性)良好，提高溅射成膜的质量。

45. 发明公开

CN1957103A 难熔金属罐无效
公开(公告)号：CN1957103A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016797.3
申请日：2005-03-23
申请人： H.C.施塔克公司
发明人： P·R·杰普森
IPC分类号： C22F1/18
CPC分类号： C22F1/18 , B21J1/025 , B21J5/00 , B21K21/02 , C21D8/0205 , C21D9/46 , Y10S72/70 , Y10T29/49826
摘要：本发明涉及用于制造罐的计算机执行的方法，包括：(a)将包括难熔金属成分的锭切削成第一工件；(b)对第一工件进行镦锻，由此形成第二工件；(c)在真空或惰性气体中使第二工件经过第一退火步骤到足够高至使第二工件至少部分再结晶的第一温度，由此形成退火的第二工件；(d)通过减小第二工件的直径向后锻造退火的第二工件，由此形成第三工件；(e)对第三工件进行镦锻，由此形成第四工件；(f)通过减小第四工件的直径向后锻造第四工件，由此形成第五工件；(g)使第五工件经过第二退火步骤到足够高至使第五工件至少部分再结晶的温度；(h)对第五工件进行镦锻，由此形成第六工件；(i)对第六工件进行第三退火步骤，由此形成退火的第六工件；(j)通过使退火的第六工件经过多个轧制道次将退火的第六工件轧制成板；其中退火的第六工件在至少一个道次后发生厚度减小，并在至少一个道次之间车削退火的第六工件，由此形成板；和(k)将板深拉成罐，由此形成罐；其中第四退火步骤在(1)步骤(j)后步骤(k)前或(2)步骤(k)后进行。利用计算机执行的有限元模型评价方法预先确定适合于加工成罐的至少一个工件或板的尺寸，因而步骤(b)－(j)中的至少一个工件或步骤(k)中的板具有基本类似于利用计算机执行的有限元模型评价方法所确定尺寸的尺寸。

46. 发明公开

CN1833048A 通过多向变形形成溅射制品的方法无效
公开(公告)号：CN1833048A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022803.1
申请日：2004-06-07
申请人：卡伯特公司
发明人：埃里克·范斯普雷克尔森 , 克里斯托弗·A·迈卡卢克 , 罗伯特·B·福德
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： B21J1/025 , B21B2001/022 , B21J1/04 , C22F1/00 , C22F1/18 , C23C14/3414
摘要：描述了一种生产电子管金属轧制形式的方法，该电子管金属轧制形式具有足够的尺寸以被分割形成多个溅射靶。该方法包括使锭多向变形以形成轧制形式，该轧制形式具有优选的约100微米或更小的平均粒径和/或基本没有结构带的结构。

47. 发明公开

CN1611629A 通过反向的流动挤压冷成型钼的方法失效
公开(公告)号：CN1611629A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410080309.2
申请日：2004-09-28
申请人： W.C.贺利氏两合有限公司
发明人： B·斯帕尼奥尔 , J·特拉格泽 , W·京特 , J·席尔克
IPC分类号： C22F1/18
CPC分类号： C22F1/18 , B21C23/002 , B21C23/18 , H01J9/022
摘要：一种通过反向流动挤压冷成型钼的方法，其中在冷成型以前进行完全的再结晶。

48. 发明公开

CN1516228A 用于高压短弧放电灯的密封管材料失效
公开(公告)号：CN1516228A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310124234.9
申请日：2003-12-29
申请人：通用电气公司
发明人： L·E·艾里奥 , B·A·科诺森 , B·P·比尤利 , J·S·瓦图里 , T·J·萨默尔
IPC分类号： H01J61/36 , H01J9/24 , C09K3/10
CPC分类号： H01J61/363 , C22C27/00 , C22C27/04 , C22F1/18 , H01J5/34 , H01J7/22 , H01J9/323
摘要：本发明涉及在构造用于高压放电灯(10)密封管(14)中使用钼铼合金。

49. 发明授权

CN1061161C 核燃料棒及其覆盖层的制作方法失效
公开(公告)号：CN1061161C
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN93101736.X
申请日：1993-01-16
申请人：法玛通公司 , 核物料总公司锆管公司
发明人： J·P·马顿 , J·塞尼韦特
IPC分类号： G21C3/07 , C22C16/00
CPC分类号： C22F1/18 , C22C16/00 , G21C3/07 , G21Y2002/103 , G21Y2002/104 , G21Y2002/206 , G21Y2004/10 , G21Y2004/30 , Y02E30/40
摘要：除含有锆和不可避免杂质外，一种用于水慢化核反应堆的核燃料棒覆层，包括一个锆-4合金构成的内侧部分和一个锆基合金构成的外侧部分，合金按重量含有：-0.35%-0.65%的锡-0.18%-0.25%的铁-0.07%-0.13%的铬，和-0.19%-0.23%的氧铁、铬、锡和氧含量之和少于1.26%。它可选择地增加地具有0.80%-1.20%的铌，那么氧含量在0.10%至0.16%范围内。外层厚度占覆层总厚度10%至25%。在变形例中，最高至0.5%的铁、铬和铌由等量的钒所代替。

50. 发明授权

CN1032222C 控制钽材料中氧含量的方法失效
公开(公告)号：CN1032222C
公开(公告)日：1996-07-03
申请号：CN90107975.8
申请日：1990-09-26
申请人：卡伯特公司
发明人：詹姆斯·A·法伊夫
IPC分类号： C21D1/74 , B22F3/10
CPC分类号： C22C1/045 , C22B34/24 , C22C3/00 , C22F1/02 , C22F1/18
摘要：一种用于控制钽材料中氧含量的方法，该方法包括在含氢气氛中，在吸气钽金属存在下，将所述材料加热。

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