会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 42. 发明公开
    • 一种圆形晶片斜面研磨和抛光方法
    • CN1931521A
    • 2007-03-21
    • CN200610104386.6
    • 2006-08-11
    • 周海
    • 周海
    • B24B9/16C09G1/02C09G1/16
    • 本发明属于光电子和光学领域使用的人工晶片的倒角斜面的加工工艺技术领域,该加工工艺在人工晶片的倒角斜面专用研磨抛光设备上,配以相应的研磨膏或者抛光膏,从而实现对人工晶片的倒角斜面的快速稳定的研磨或者抛光。人工晶片的倒角斜面专用研磨抛光设备的特征如附图1所示,在晶片2旋转过程中,通过磨头3的反向独立旋转,以及磨头3的左右摆动,从而实现磨头3对晶片2倒角斜面的研磨或者抛光。利用球面磨头3与晶片2接触,从而将晶片2自动定心,再通过真空泵将晶片2吸在研磨轴1上,从而实现晶片2在研磨轴1上的定位和夹紧。本发明既可以用于晶片的斜面研磨,也可以用于晶片的斜面抛光,只是需要更换磨头和辅料。对于斜面研磨,用球墨铸铁制成的研磨头,在研磨头内涂上研磨膏,研磨膏的配方是:90%的钠基润滑脂、9%的粒度是W7的微粉、1%的稳定剂。微粉的材料根据晶片的材料确定。对于斜面抛光,用环氧树脂抛光头,在抛光头内涂上抛光膏,抛光膏的配方是:90%的钠基润滑脂、9%的粒度是W0.5的微粉、1%的稳定剂。微粉的材料根据晶片的材料确定。本发明能够使得人工晶片的倒角斜面的研磨、抛光后宽度尺寸稳定,角度一致,能够使抛光斜面的粗糙度<0.4微米,能够避免人工晶片在后续的平面研磨和抛光加工过程中产生崩边,从而提高人工晶片的加工质量。同时本发明能够缩短人工晶片的倒角斜面的研磨、抛光时间,降低晶片的生产成本。