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    • 70. 发明授权
    • EML激光器筛选方法
    • CN116899914B
    • 2024-01-23
    • CN202311181228.0
    • 2023-09-14
    • 厦门优迅高速芯片有限公司
    • 陈哲肖翔柯明高泉川黄秋伟
    • B07C5/34
    • 本发明公开一种EML激光器筛选方法,包括:步骤1、根据采用的EML激光器驱动芯片确定输入到EML激光器的最大交流电压Vmodmax,并设置VEA初始值;步骤2、将EML激光器的直流电流Ibias、TEC温度设置为生产所需的目标参数;步骤3、生成并扫描EML激光器的输出光功率与VEA值对应的曲线,找出在最大交流电压Vmodmax输入下的最大ER值和对应的VEA值;步骤4、如果最大ER值满足生产的指标要求,则EML激光器判定为良品进入后续工序,对应的VEA值作为后续工序的最佳值;如果最大ER值小于生产的指标要求,则EML激光器器件判定为不合格品。本发明不需要通过模块测试,在器件级就能够筛选掉消光比ER不达标的器件,同时找到最优的反向偏置电压VEA值给后续生产工序使用,提升生产效率和(56)对比文件CN 115021821 A,2022.09.06CN 115173946 A,2022.10.11CN 116633480 A,2023.08.22JP 7246591 B1,2023.03.27US 2002097941 A1,2002.07.25US 2005018732 A1,2005.01.27US 2005249509 A1,2005.11.10US 2006056755 A1,2006.03.16US 9967024 B1,2018.05.08WO 2020123944 A1,2020.06.18程鹏;孙莉萍;薛振峰.一种可调突发激光器的光路设计.光通信研究.2018,(第04期),全文.刘国利,王圩,许国阳,陈娓兮,张佰君,周帆,张静媛,汪孝杰,朱洪亮.选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器.中国激光.2001,(第04期),全文.《中国激光》2007年(第34卷,总第361~372期)总目次.中国激光.2007,(第12期),全文.刘国利,王圩,张佰君,许国阳,陈娓兮,叶小玲,张静媛,汪孝杰,朱洪亮.选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料.半导体学报.2001,(第05期),全文.朱洪亮;梁松;李宝霞;赵玲娟;王宝军;边静;许晓冬;朱小宁;王圩.单片集成电吸收调制分布反馈激光器.光电子.激光.2011,(第01期),全文.