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71. 发明授权

CN107004557B 包括集成的通风系统的离子植入机有权
公开(公告)号：CN107004557B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201580067044.9
申请日：2015-10-29
申请人：恩特格里斯公司
发明人： W·K·奥兰德 , 唐瀛 , B·L·钱伯斯 , S·E·毕夏普
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
摘要：本发明描述一种离子植入系统，其包含：离子植入机，所述离子植入机包括壳体，所述壳体界定封围容积，在所述封围容积中定位有气体箱，所述气体箱经配置以固持一或多个气体供应容器，所述气体箱与所述封围容积中在所述气体箱外部的气体进行受限式气体流动连通；第一通风组合件，其经配置以使通风气体流动通过所述壳体，并且从所述壳体排出所述通气气体到所述离子植入机的周围环境；第二通风组合件，其经配置以将气体从所述气体箱排出到处理设备，所述处理设备适于从所述气体箱排气至少部分地移除污染物，或者所述处理设备适于稀释所述气体箱排气，以产生经处理的流出气体，所述第二通风组合件包括可变流量控制装置及运动流体驱动器，所述可变流量控制装置用于在相对较低的气体箱排气流率与相对较高的气体箱排气流率之间调整所述气体箱排气的流率，且所述运动流体驱动器适于使所述气体箱排气流动通过所述可变流量控制装置到所述理设备；以及监测及控制组合件，其经配置以监测所述离子植入机的操作是否发生气体危险事件，且当发生气体危险事件时，响应地阻止所述一或多个气体供应容器的气体分配操作，并且调整所述可变流量控制装置到所述相对较高的气体箱排气流率，使得所述运动流体驱动器以所述相对较高的气体箱排气流率使所述气体箱排气流动到所述处理设备。优选地，在气体危险事件中，从所述壳体排放的所述壳排气也终止，以促进所述壳体内、所述气体箱的内部以及外部的所有气体排出到所述处理单元。

72. 发明授权

CN105829214B 汲取管组件及其制造方法有权
公开(公告)号：CN105829214B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201480069175.6
申请日：2014-10-17
申请人：恩特格里斯公司
发明人：埃米·科兰 , 雷克·威尔森
IPC分类号： B65D83/38 , B65D83/32
摘要：一种汲取管组件，具有管状部分和联接器部分，联接器构造成用于与其中储存容纳物的容器的口部可拆卸地联接。联接器部分包括：用于与管状部分连接的第一端；用于与连接器组件连接的第二端，其中连接器组件向所述容器提供压力；外表面和内表面，在外表面和内表面之间具有厚度，其中，所述内表面限定一个腔管，该腔管允许化学流体通过管状部分从腔室被运送到连接器组件；和外表面上的至少一个压力释放特征。

73. 发明授权

CN105392870B 高压BF3/H2混合物的制备有权
公开(公告)号：CN105392870B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201480040791.9
申请日：2014-05-15
申请人：恩特格里斯公司
发明人： O·比尔 , J·D·斯威尼
IPC分类号： G05D11/035 , G05D11/02 , G05D11/13 , C10J3/00
摘要：本发明描述了用组成气体来填装气体混合物供应容器以得到精确组成的气体混合物的方法，其中所述气体混合物包含至少两种组成气体。可以采用级联填装技术，包括使气体从单个源容器流至多个目标容器，或从多个源容器流至单个目标容器。所述方法可用以形成用于离子注入应用的掺杂气体混合物，如三氟化硼和氢气的混合物。

74. 发明公开

CN109023303A 衬底部分上的复合原子层沉积ALD涂层及在衬底部分上形成经图案化ALD涂层的方法审中-实审
公开(公告)号：CN109023303A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811031909.8
申请日：2016-02-13
申请人：恩特格里斯公司
发明人： B·C·亨德里克斯 , D·W·彼得斯 , 李卫民 , C·瓦尔德弗里德 , R·A·库克 , N·困达 , 林奕宽
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号： C23C28/044 , C23C14/243 , C23C14/50 , C23C16/042 , C23C16/403 , C23C16/404 , C23C16/405 , C23C16/4404 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/45555 , C23C16/56 , C23C28/042
摘要：本申请描述了一种衬底部分上的复合原子层沉积ALD涂层及一种在衬底部分上形成经图案化ALD涂层的方法。在各种应用中，所述衬底部分包含金属表面，所述金属表面易于在其上形成此金属的氧化物、氮化物、氟化物或氯化物，其中所述金属表面经配置以在使用中与气体、固体或液体接触，所述气体、固体或液体与所述金属表面进行反应以形成对所述衬底制品、结构、材料或设备有害的反应产物。所述金属表面涂覆有保护涂层，所述保护涂层防止所述经涂覆表面与所述反应性气体进行反应及/或以其它方式改进所述衬底制品或设备的电性质、化学性质、热性质或结构性质。描述涂覆所述金属表面及用于选择所利用的涂层材料的各种方法。

75. 发明公开

CN108884945A 能够完全关闭的薄膜阀有权
公开(公告)号：CN108884945A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019440.3
申请日：2017-03-31
申请人：恩特格里斯公司
发明人： I·盖许盖伊 , B·加伯 , G·葛诺拉
IPC分类号： F16K7/17 , F16K31/122 , F16K31/126
摘要：本发明揭示一种流体阀(700)，其并入具有流体通道(766)的柱塞(760)。所述柱塞连接到耦合到薄膜(720)的(724)轴毂，此轴毂还包含流体通道(726)且所述柱塞与轴毂流体通道形成流体连通。所述轴毂流体通道贯通到阀腔穴(780)中的所述薄膜的背侧且允许所述阀中的所述薄膜后面的体积的大体上完全加压或抽空。所述薄膜后面的体积的大体上完全加压实现所述薄膜的完全关闭且改进所述薄膜与阀座(712)的接触，借此改进所述阀的性能。

76. 发明公开

CN108780769A 衬底载运器有权
公开(公告)号：CN108780769A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016298.7
申请日：2017-02-09
申请人：恩特格里斯公司
发明人： M·L·约翰逊 , G·M·加拉格尔 , B·格雷格森
IPC分类号： H01L21/673
摘要：本发明公开一种衬底容器(100)，其包含基底(105)及盖(115)。盖(115)配合基底(105)以界定封闭空间。互锁托架(405)的堆叠可安置于基底(105)内。每一互锁托架(405)包含嵌入凸缘(410)，其界定用于支撑衬底的配准面(420)。互锁托架(405)还包含凸肩部分(415)。离隙特征(435)界定于凸肩部分(415)与配准面(420)之间的接合点。离隙特征(435)可防止衬底的尖锐边缘接触凸肩部分(415)，借此减少颗粒产生。

77. 发明公开

CN108425090A 具有视需要氧化钇覆盖层的经AlON涂布的基质审中-实审
公开(公告)号：CN108425090A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810274961.X
申请日：2012-08-09
申请人：恩特格里斯公司
发明人：尼雷须·困达
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/318 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C14/0021 , C23C14/0676 , C23C14/083 , C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/32477 , Y10T428/265
摘要：本发明涉及具有视需要氧化钇覆盖层的经AlON涂布的基质。具体讲，本发明公开一种位于陶瓷基质上的抗氟电浆涂层。在一个具体实例中，该组成物包括覆盖基质的约2微米厚的AlON涂层及视需要具有的覆盖该AlON涂层的约3微米厚的氧化钇涂层。

78. 发明公开

CN108369898A 用于相对于氮化硅选择性蚀刻P掺杂多晶硅的组合物及方法有权
公开(公告)号：CN108369898A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680073524.0
申请日：2016-11-22
申请人：恩特格里斯公司
发明人： S·比洛迪奥 , E·I·库珀
IPC分类号： H01L21/02 , C09K13/08 , H01L21/225 , H01L21/04
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/32134 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要：本发明涉及一种用于从微电子装置相对于氮化硅选择性去除p掺杂多晶硅(例如，硼掺杂多晶硅)的去除组合物及方法，所述微电子装置上具有所述材料。衬底优选包括高k/金属栅极集成方案。

79. 发明公开

CN108350574A 固体前驱物的冷烧结有权
公开(公告)号：CN108350574A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680063196.6
申请日：2016-10-06
申请人：恩特格里斯公司
发明人： T·H·鲍姆 , Y·李 , D·J·埃尔德里奇 , R·L·赖茨
IPC分类号： C23C16/448 , C01G41/00 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/285
摘要：本发明描述一种固体递送前驱物，其可用于挥发以产生用于气相沉积工艺的前驱物蒸汽。所述固体递送前驱物包括例如呈例如丸粒、薄片、小片、珠粒、圆盘或单块的形式的压实颗粒前驱物的固体本体。当利用于例如化学气相沉积、脉冲化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积工艺中时，相对于颗粒前驱物，呈压实颗粒前驱物的固体本体形式的所述固体递送前驱物在经受挥发条件时提供基本上增加的前驱物蒸汽通量。因此，气相沉积工艺操作可在较短时间周期内实施，借此实现例如半导体产品、平板显示器、太阳能板、LED、光学涂层等产物的增大的制造速率。

80. 发明授权

CN105745483B 一种用于液压连接器的防转动装置有权
公开(公告)号：CN105745483B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201480058611.X
申请日：2014-10-22
申请人：恩特格里斯公司
发明人：约翰·利斯 , 迈克尔·施莱克尔 , 杰弗里·J·麦肯锡
IPC分类号： F16L37/08 , F16L37/091 , F16L15/08
CPC分类号： F16L47/04 , F16L19/005 , F16L19/04 , F16L33/223
摘要：一种用于防止液压连接器组件泄露的防转动装置。防转动装置的多个实施例提供机构，借此机构螺纹接合式连接器，诸如压缩配件，被允许在松开之后仅转动一圈的小部分。对于许多应用，松开的限制程度足以防止开始泄露。结构上，防转动装置可以包括固定至液压连接器的内螺纹螺母的带。突起从带侧向地延伸并且与液压连接器组件的外螺纹主体上的止动挡块接合，从而限制可以以其他方式导致泄露的内螺纹螺母的转动。

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