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71. 发明公开

CN101421664A 光寻址空间光调制器以及方法失效转让
公开(公告)号：CN101421664A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780012853.5
申请日：2007-03-02
申请人：化合物光子学公司
发明人： J·A·萨克斯 , J·M·伍德尔
IPC分类号： G02F1/135
CPC分类号： G02F1/135 , G02B27/1026 , G02B27/1033 , G02B27/141 , G02B27/145 , G02B27/149 , G02F1/0126 , G02F1/133553 , G02F1/1354 , H04N9/3105 , H04N9/312 , H04N9/3167 , Y10T428/31504
摘要：光学器件具有部署在第一电极层上的电绝缘第一势垒层，部署在第一势垒层上的光电导层，以及部署在光电导层上的载流子限制层。载流子限制层定义遍及其中散布了多个载流子陷阱的体积。另外，电绝缘第二势垒层部署在载流子限制层上，光阻挡层部署在第二势垒层上用于阻挡选定波长频带的光。反射层部署在光阻挡层上用于反射选定波长频带内的光，双折射或者色散层部署在反射层上，以及光透射第二电极层部署在双折射或者散射层上。还公开了一种方法，其中附加层介入在上文详述那些层之间。

72. 发明公开

CN1886815A 用于长波长电磁辐射的相位角控制的固定元件失效
公开(公告)号：CN1886815A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480034818.X
申请日：2004-09-24
申请人：能源变换设备有限公司
发明人： D·朱 , R·O·米勒
IPC分类号： H01H51/22 , G11C13/00
CPC分类号： G02F1/292 , G02F1/0126 , G02F2203/13 , G02F2203/18 , H01Q15/002 , H01Q23/00
摘要：一种用于反射、透射、聚焦、散焦或在太赫频率范围内电磁辐射的波阵面校正的元件。所述元件包括导电片栅格，所述栅格包括有源区域，所述有源区域包括硫化物相变材料。硫化物材料可以处于非晶、结晶或部分结晶状态。所述栅格的分散特性(例如电阻抗、电钠、电容、电感)通过所存储的相位锥形的动作来影响入射电磁辐射的反射、透射、聚焦状态或波阵面特性中的一个或多个，所述相位锥形通过在所述元件的一个或多个方向上对一系列有源硫化物区域或域建立结晶度梯度来形成。栅格的分散特性通过其中所包含的有源硫化物区域的结构状态来确定，并且可以通过向硫化物材料提供能量来把一个或多个硫化物区域从一个结构状态变换到另一结构状态来重新配置所述特性。在优选实施例中，单个有源硫化物区域远小于所述元件的操作波长，以便在波长标度域中包括多个有源硫化物区域。在这些实施例中，可以通过在元件的一个或多个方向上单调增加或降低域平均分步结晶度来形成结晶度梯度，其中不需要在单个有源区域的分步结晶度上强加特定要求。在这些实施例中，域分步结晶度是对其中所包含的单个硫化物区域的统计平均值，并且可以在多态模式或二进制模式中实现相位锥形。所述元件可以是独立的、被支撑在绝缘衬底上或插入在两个或更多个绝缘材料之间。

73. 发明授权

CN1268966C 通过发磷光材料控制光放电失效
公开(公告)号：CN1268966C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN02805117.3
申请日：2002-01-25
申请人：英特尔公司
发明人： D·H·科伊祖米
IPC分类号： G02F1/01 , H05B33/00 , G09F13/04 , B43L1/00
CPC分类号： B44F1/08 , A63H33/22 , G02F1/0126 , G02F2/02
摘要：可以控制发磷光材料并且当期望的时候终止发磷光。发磷光材料可以暴露于使所述材料停止发磷光的能量源中。因此，可以在一个使用相干能量源发磷光的表面上绘制图形。由变黑的区域表示的绘制的图形，可以被用户识别为符号、图形或者文本。

74. 发明公开

CN1682153A 光路切换装置和方法失效
公开(公告)号：CN1682153A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822355.4
申请日：2003-09-11
申请人：独立行政法人产业技术综合研究所 , 大日精化工业株式会社
发明人：上野一郎 , 平贺隆 , 沟黑登志子 , 山本典孝 , 望月博孝 , 田中教雄
IPC分类号： G02F1/31
CPC分类号： G02F1/293 , G02F1/0126 , G02F1/0147 , G02F3/00 , G02F2001/311
摘要：根据本发明的光路切换方法，包括：在至少包含光吸收层膜的热透镜形成元件(1，2，3)中设置的所述光吸收层膜内，使波长为选自所述光吸收层膜所吸收的波段的控制光(121，122，123)、以及波长为选自所述光吸收层膜不吸收的波段的信号光(110，111，112)中的每个汇聚并照射，并调整所述光吸收层膜的设置，使得至少所述控制光聚焦在所述光吸收层膜之内，从而根据所述光吸收层膜吸收控制光的区域以及其周边区域所产生的温度上升所产生的渐变折射率而可逆地形成热透镜，使得根据是否有控制光的照射，使汇聚的信号光自热透镜形成元件汇聚出射，或者在其扩散角度改变之后出射，以及包括孔以及反射装置的反射镜(61，62，63)，从热透镜形成元件出射的信号光穿过该孔或者由该反射装置反射以改变光路。

75. 发明公开

CN86107169A 单模光纤和具有相同结构的通信系统的耦合装置无效
公开(公告)号：CN86107169A
公开(公告)日：1987-07-15
申请号：CN86107169
申请日：1986-11-05
申请人：美国电话电报公司
发明人：扎姆斯·阿施利·阿伯森 , 伊安·阿瑟·怀特
IPC分类号： G02B6/24 , H04B9/00
CPC分类号： G02B6/02095 , G02B6/02071 , G02B6/02119 , G02B6/02133 , G02B6/14 , G02B6/29311 , G02B6/29314 , G02B6/29317 , G02B6/29344 , G02B6/4215 , G02F1/0126 , G02F1/0134 , G02F1/0541
摘要：通过使导模LP01对适当的隧道泄漏[TL]模产生准谐振耦合，光辐射可有效地在单模纤维的中间部位处取出或注入进去。这种耦合由纤维中的光栅来实现。形成光栅的方法是对纤维施加一周期[或准周期]性的调制，或使纤维折射率产生周期[或准周期]性的变化。为使耦合是准谐振的，αrs必须相当小，典型值小于1dB/cm。适当选择λ[Z]和/或光栅的幅值函数可增加耦合效率。本发明中的装置可作为辐射耦合器及滤波器使用，光折射型的还可作为幅值调制器使用。

76. 发明公开

CN109557664A 用于促进孔保护的基于纳米结构的光学限制器有权
公开(公告)号：CN109557664A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810991660.9
申请日：2018-08-29
申请人：波音公司
发明人： M·H·塔尼连
IPC分类号： G02B27/00 , G02B5/02 , G02B5/24
CPC分类号： G02F1/0126 , B64C1/1484 , B64C1/1492 , G02F1/3523 , G02B27/00 , G02B5/0247 , G02B5/0278 , G02B5/24
摘要：各种技术提供了用于促进孔保护的基于纳米结构的光学限制器。在一个示例中，一种方法包括经由第一窗口在溶液上接收入射光，其中该溶液包括液体介质、溶解在液体介质中的气体，以及与液体介质接触的纳米结构。该方法进一步包括基于响应于入射光的多个纳米结构的子集的振荡，在液体介质中产生热量。该方法进一步包括响应于产生的热量，将至少一部分气体作为气泡从溶液中释放。该方法进一步包括通过释放的气泡散射入射光，以防止入射光到达第二窗口。还提供了相关的系统和产品。

77. 发明公开

CN109298427A 光检测和测距系统及其驱动方法有权
公开(公告)号：CN109298427A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810516052.2
申请日：2018-05-25
申请人：三星电子株式会社
发明人：黄仁吾 , 申东宰 , 金桢祐 , 朴晶铉 , 郑秉吉 , 崔秉龙
IPC分类号： G01S17/08 , G01S7/486
CPC分类号： G01S7/4808 , G01S7/003 , G01S7/4865 , G01S17/06 , G01S17/10 , G01S17/89 , G02B26/10 , G02B27/0087 , G02F1/0126 , G02F1/292 , G02F2202/30 , G02F2203/50 , G11B7/2433 , G01S17/08 , G01S7/4868
摘要：提供了一种光检测和测距(LiDAR)系统，包括：光束转向设备，被配置为调制来自光源的光的相位，并且同时在多个方向输出光；接收器，包括多个光检测元件，被配置为接收从光束转向设备在多个方向上照射到对象并且从对象反射的光；以及处理器，被配置为分析由接收器接收的光的位置特定分布和/或时间特定分布，并且各个地处理在多个方向上照射到对象的光。

78. 发明公开

CN108153113A 感光性树脂组合物、使用其的黑色像素界定层以及显示装置有权
公开(公告)号：CN108153113A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201710426230.8
申请日：2017-06-07
申请人：三星SDI株式会社
发明人：金尙洙 , 姜眞熙 , 姜希炅 , 权章玄 , 权志倫 , 金澯佑 , 李范珍 , 李俊昊 , 洪忠范
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/035 , G03F7/037 , G03F7/027 , G03F7/004 , H01L27/32
CPC分类号： G03F7/031 , G02F1/0126 , G03F7/0007 , G03F7/027 , G03F7/037 , G03F7/038 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/322 , G03F7/40 , H01L27/322 , H01L51/5284
摘要：本发明提供一种包含以下的感光性树脂组合物：(A)粘合剂树脂、(B)光可聚合单体、(C)包含由化学式1表示的化合物的光聚合引发剂、(D)黑色着色剂、以及(E)溶剂，使用感光性树脂组合物制造的黑色像素界定层，以及包含黑色像素界定层的显示装置。因此具有改进的耐热性、敏感性和排气特征。[化学式1] 在化学式1中，每个取代基与具体实施方式中所定义的相同。

79. 发明公开

CN108089350A 一种基于硫系相变材料的全光开关及其制备方法无效
公开(公告)号：CN108089350A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711152828.9
申请日：2017-11-15
申请人：华中科技大学
发明人：缪向水 , 卢轶韬 , 童浩 , 汪毅
IPC分类号： G02F1/01 , G02F1/00 , G02B1/00
CPC分类号： G02B1/005 , G02F1/0063 , G02F1/0126
摘要：本发明公开了一种基于硫系相变材料的全光开关及其制备方法，属于光通信领域，全光开关包括依次堆叠的覆盖层薄膜、硫系相变材料薄膜、隔离层薄膜、硅光子晶体和衬底。硅光子晶体包括纳米多孔结构，使得硅光子晶体具有法诺共振效应。全光开关在使用时，通过激光控制硫系相变材料薄膜的状态，调制硅光子晶体的共振状态，实现信号光透过率的调制，调制范围为通信波段1500nm至1600nm，实现光开关。本发明全光开关具有高对比度、高速率、低损耗的特点，其结构简单可降低生产成本，适应于CMOS集成易于匹配现代半导体工艺生产线，适用于工业生产和产品化。

80. 发明公开

CN106950726A 基于石墨烯的硅基光空间超快调制器无效
公开(公告)号：CN106950726A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710183753.4
申请日：2017-03-24
申请人：北京交通大学
发明人：白冰 , 裴丽 , 王吉 , 张艳 , 徐春霞
IPC分类号： G02F1/00 , G02F1/01
CPC分类号： G02F1/0063 , G02F1/011 , G02F1/0126
摘要：基于石墨烯的硅基光空间超快调制器，涉及全光超快调制器领域。硅波导1以盘绕结构生长于SiO2平板基底3之上，石墨烯层2置于硅波导1的表面之上，包含调制信号的空间泵浦光图样4照射于石墨烯层2。通过以较低频率进行短时间长度空间泵浦光图样4与长时间长度满光图样的切换，可以将超高速调制信号加载到载波上，产生超快调制的效果。通过加载不同的空间泵浦光图样，可以实现任意信号的超快调制。

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