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1. 发明公开

CN106206233A 等离子体处理装置有权
公开(公告)号：CN106206233A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510459206.5
申请日：2015-07-30
申请人：株式会社日立高新技术
发明人：池永和幸 , 石黑正贵 , 角屋诚浩 , 白米茂
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32697 , H01J37/32706 , H01J37/32724
摘要：本发明提供一种能够得到期望的蚀刻形状且能够抑制因异物附着引起的生产率的恶化的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置具备：处理室，对试样进行等离子体处理；高频电源，供给用于生成等离子体的高频电力；试样台，具备用于使所述试样被静电吸附的电极，该试样台搭载所述试样；和直流电源，对所述电极施加直流电压，该等离子体处理装置的特征在于，还具备：控制装置，在所述等离子体不存在的情况下，控制所述直流电源，以便施加使所述试样的电位的绝对值变小的直流电压。

2. 发明授权

CN113302721B 等离子体处理装置的部件的制造方法以及部件的检查方法有权
公开(公告)号：CN113302721B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201980015284.2
申请日：2019-12-23
申请人：株式会社日立高新技术
发明人：上田和浩 , 栗原优 , 池永和幸 , 田村智行
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C4/134 , H05H1/46
摘要：提供等离子体处理装置的部件的制造方法以及部件的检查方法，使处理的成品率提升。部件配置于等离子体处理装置的处理室内部，在表面具备具有对等离子体的耐性的材料的被膜，方法具备如下工序：沿着部件的表面使枪移动给定距离并喷溅该材料来形成被膜，并在枪所移动的距离的范围内配置具备具有模拟部件的表面形状的形状的表面的试验片，在该试验片的表面形成所述材料的被膜；和基于检测该试验片的表面的所述被膜的结晶的大小、残留应力或有无含有污染元素的结果来调节所述枪形成所述部件的表面的被膜的条件。

3. 发明授权

CN106206233B 等离子体处理装置有权
公开(公告)号：CN106206233B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510459206.5
申请日：2015-07-30
申请人：株式会社日立高新技术
发明人：池永和幸 , 石黑正贵 , 角屋诚浩 , 白米茂
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32697 , H01J37/32706 , H01J37/32724
摘要：本发明提供一种能够得到期望的蚀刻形状且能够抑制因异物附着引起的生产率的恶化的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置具备：处理室，对试样进行等离子体处理；高频电源，供给用于生成等离子体的高频电力；试样台，具备用于使所述试样被静电吸附的电极，该试样台搭载所述试样；和直流电源，对所述电极施加直流电压，该等离子体处理装置的特征在于，还具备：控制装置，在所述等离子体不存在的情况下，控制所述直流电源，以便施加使所述试样的电位的绝对值变小的直流电压。

4. 发明公开

CN113302721A 等离子体处理装置的部件的制造方法以及部件的检查方法有权
公开(公告)号：CN113302721A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201980015284.2
申请日：2019-12-23
申请人：株式会社日立高新技术
发明人：上田和浩 , 栗原优 , 池永和幸 , 田村智行
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C4/134 , H05H1/46
摘要：提供等离子体处理装置的部件的制造方法以及部件的检查方法，使处理的成品率提升。部件配置于等离子体处理装置的处理室内部，在表面具备具有对等离子体的耐性的材料的被膜，方法具备如下工序：沿着部件的表面使枪移动给定距离并喷溅该材料来形成被膜，并在枪所移动的距离的范围内配置具备具有模拟部件的表面形状的形状的表面的试验片，在该试验片的表面形成所述材料的被膜；和基于检测该试验片的表面的所述被膜的结晶的大小、残留应力或有无含有污染元素的结果来调节所述枪形成所述部件的表面的被膜的条件。

5. 发明公开

CN117957641A 等离子处理装置、等离子处理装置的内部构件以及等离子处理装置的内部构件的制造方法审中-实审
公开(公告)号：CN117957641A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280014678.8
申请日：2022-08-30
申请人：株式会社日立高新技术
发明人：上田和浩 , 池永和幸
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：为了提供使处理的成品率提升的等离子处理装置或其内部构件或它们的制造方法，设为如下结构，具备：处理室，其配置于真空容器内部，在内侧形成等离子；和构件，其配置于该处理室内，表面面对所述等离子，在该构件在其表面具备皮膜，其含有包含氧化钇、氟化钇、氟氧化钇的至少1者和离子半径比+3价的钇离子小的成为+4价或+6价的离子的元素的材料，其含有作为平均而以钇的1.5倍以上的摩尔比包含氧、以所述钇的1倍以上优选1.4倍以上的摩尔比包含氟的所述材料。

6. 发明授权

CN110391123B 等离子处理装置以及等离子处理装置用构件有权
公开(公告)号：CN110391123B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201910135564.9
申请日：2019-02-21
申请人：株式会社日立高新技术
发明人：上田和浩 , 池永和幸 , 田村智行 , 角屋诚浩
IPC分类号： H01J37/32
摘要：本发明提供等离子处理装置以及等离子处理装置用构件。提供减少颗粒产生来提升处理的成品率的等离子处理装置或其处理室内部构件。等离子处理装置具备：处理室，其配置于真空容器内部，在其内部形成等离子；和构件，其构成该处理室的内壁表面，具有配置在暴露于所述等离子的表面且通过热喷镀氟化钇或包含氟化钇的材料而形成的覆膜，构成所述覆膜的氟化钇或包含氟化钇的材料的斜方晶的结晶相对于整体的比率为60％以上。

7. 发明公开

CN110391123A 等离子处理装置以及等离子处理装置用构件有权
公开(公告)号：CN110391123A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910135564.9
申请日：2019-02-21
申请人：株式会社日立高新技术
发明人：上田和浩 , 池永和幸 , 田村智行 , 角屋诚浩
IPC分类号： H01J37/32
摘要：本发明提供等离子处理装置以及等离子处理装置用构件。提供减少颗粒产生来提升处理的成品率的等离子处理装置或其处理室内部构件。等离子处理装置具备：处理室，其配置于真空容器内部，在其内部形成等离子；和构件，其构成该处理室的内壁表面，具有配置在暴露于所述等离子的表面且通过热喷镀氟化钇或包含氟化钇的材料而形成的覆膜，构成所述覆膜的氟化钇或包含氟化钇的材料的斜方晶的结晶相对于整体的比率为60％以上。

8. 发明公开

CN116018669A 等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法审中-实审
公开(公告)号：CN116018669A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180017270.1
申请日：2021-08-23
申请人：株式会社日立高新技术
发明人：上田和浩 , 池永和幸
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：提供可靠性高的等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法。作为其手段，是一种等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法，该等离子处理装置用保护皮膜形成于配置在等离子处理装置的处理室内部的基材的表面，且包含对等离子具有耐受性的材料，其中，该等离子处理装置对载置于配置在真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在该等离子处理装置用保护皮膜的清洗方法中，具有如下工序：(a)准备在表面具备含有钇的皮膜的基材；和(b)将基材浸渍到稀硝酸液中，通过对皮膜进行超声波照射来进行清洗，在(b)工序中，在清洗中检测钇的洗脱速度，在从开始超声波照射起的钇的洗脱速度依次经过了第1减少、第1增加、第2减少后，在发生第2增加前停止清洗。

9. 发明公开

CN115250648A 等离子处理装置审中-实审
公开(公告)号：CN115250648A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202180004939.3
申请日：2021-02-25
申请人：株式会社日立高新技术
发明人：田村智行 , 池永和幸
IPC分类号： H05H1/46
摘要：为了提供使处理中的晶片的电位稳定且使处理的成品率提升的等离子处理装置，等离子处理装置具备：处理室，其配置于真空容器内部，在内侧形成等离子；晶片载台，其配置于该处理室内部，在其上载置有处理对象的晶片；静电卡盘，其包含配置于覆盖该晶片载台上表面的电介质制的膜内且用于静电吸附搁放于该电介质制的膜上的所述晶片的膜状的静电吸附电极；高频电极，其配置于所述晶片载台内部，在所述晶片的处理中被供给高频电力；和顶升销，其配置于所述晶片载台内部，在上下方向上移动来使所述晶片上下移动，且下部与导电体制的构件连接，在该等离子处理装置中，将所述静电吸附电极与所述晶片之间的电阻值设为Resc，将所述等离子与隔着所述处理室的内壁面的接地电极之间的电阻设为Rc，将所述等离子与构成所述处理室的所述真空容器之间的耐电压设为Vt，将所述晶片的处理中的实际所述晶片所产生的自偏压电压Vdc与其预想值Vdcs的差的预想的最大值设为δmax，将直流电源与电连接到其的所述顶升销的下部之间的电阻值Rps设定在100MΩ＞Rps＞1/{(Vt/((δmax‑Vt)·Rc))‑(1/Resc)}的范围，并且，将所述静电吸附电极的电位的平均值作为Eesc，在所述晶片的处理中，将所述顶升销下部的电压值Eps和所述静电吸附电极的电位的平均值Eesc调节成与所述晶片的自偏压电压的预想值Vdcs一致。

10. 发明公开

CN112088424A 等离子处理装置、等离子处理装置的内部构件和该内部构件的制造方法无效
公开(公告)号：CN112088424A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980004282.3
申请日：2019-04-12
申请人：株式会社日立高新技术
发明人：田村智行 , 池永和幸
IPC分类号： H01L21/3065 , B01J19/08 , C23C4/11 , C23C24/04
摘要：提供抑制样品的污染并使处理的成品率提升的等离子处理装置或等离子处理装置的内部构件或该内部构件的制造方法。等离子处理装置使用从提供到处理室内的处理用气体形成的等离子对配置于真空容器内部的该处理室内的处理对象的晶片进行处理，配置于所述处理室内的构件的面对所述等离子的表面由电介质材料构成，该电介质的材料包含：与提供的所述处理用气体化合并挥发的第1材料；以及与所述处理用气体化合而产生的具有不挥发性的化合物的体积比该化合前增大的第2材料。

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