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1. 发明公开

CN117203774A SOI-JFET像素及其制造方法审中-实审
公开(公告)号：CN117203774A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202180096519.2
申请日：2021-12-16
申请人：华为技术有限公司
发明人：高桥秀和
IPC分类号： H01L29/76
摘要：本发明提供了一种固态成像器件，包括：SOI(Silicon on Insulator，绝缘体上硅)衬底，其包括基层、埋氧层和SOI层，所述埋氧层覆盖所述基层的一部分并包括孔，所述SOI层覆盖所述埋氧层的第二表面的至少一部分，所述第二表面与所述埋氧层的第一表面相对，所述第二表面与所述基层接触，所述SOI层与所述基层电耦合；光电二极管，所述光电二极管的至少一部分设置在所述基层中，所述光电二极管包括朝向所述埋氧层的第一表面的第一部分和设置在所述埋氧层的孔中的第二部分；传输门，所述传输门在平面视图中与所述光电二极管的第二部分的至少一部分重叠，所述传输门和所述光电二极管的第二部分之间设置有绝缘膜；设置在所述SOI层中的JFET，所述JFET包括源区、漏区、沟道区和栅区，所述沟道区位于所述源区和所述漏区之间，所述栅区覆盖所述沟道区的至少一部分并设置在所述沟道区靠近所述光电二极管的第二部分的一侧上，所述JFET穿过所述埋氧层设置以朝向所述光电二极管的第一部分；复位元件，设置在所述SOI层中，与所述JFET的栅区相邻。

2. 发明授权

CN113745324B 一种准垂直结构射频器件及制作方法有权
公开(公告)号：CN113745324B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110866200.5
申请日：2021-07-29
申请人：西安电子科技大学
发明人：祝杰杰 , 马晓华 , 张颖聪 , 杨凌 , 侯斌 , 郝跃
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/732 , H01L29/737 , H01L29/76 , H01L21/335 , H01L21/331
摘要：本发明涉及一种准垂直结构射频器件及制作方法，该器件包括基区、基极、发射区、第一钝化层、第二钝化层和发射极，其中，发射区和第一钝化层形成第二台阶；第二钝化层覆盖第一钝化层的部分表面以形成靠近第一台阶的第一台面，位于第二台阶上的第二钝化层的表面形成发射极台面；基极的底部贯穿第二钝化层且位于基区上，基极的侧面与第二台阶侧面的第二钝化层接触，基极的顶部位于第一台面上且位于发射极台面上。该器件中基极搭上发射极台面，最大限度缩小了基极与发射极台面间横向距离，降低了基极串联总电阻，实现了晶体管工作性能的提升。

3. 发明授权

CN108780810B 用于P-N双模态功率器件的集成高侧驱动器有权
公开(公告)号：CN108780810B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201780013164.X
申请日：2017-03-13
申请人：德克萨斯仪器股份有限公司
发明人： Y·张 , S·P·彭德哈卡 , P·L·霍沃 , S·吉姆班科 , F·马里诺 , S·斯瑞达
IPC分类号： H01L29/76 , H01L21/8238
摘要：在所描述的示例中，一种集成电路芯片(102)包括双模态功率N‑P‑横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件(104)和电平移位器(108)，该双模态功率N‑P‑横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件(104)具有经耦合以接收输入信号(IN)的N‑栅极(GN)，该电平移位器(108)经耦合以接收输入信号并且将控制信号提供到N‑P‑LDMOS器件的P‑栅极驱动器(106)。

4. 发明公开

CN113745324A 一种准垂直结构射频器件及制作方法有权
公开(公告)号：CN113745324A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110866200.5
申请日：2021-07-29
申请人：西安电子科技大学
发明人：祝杰杰 , 马晓华 , 张颖聪 , 杨凌 , 侯斌 , 郝跃
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/732 , H01L29/737 , H01L29/76 , H01L21/335 , H01L21/331
摘要：本发明涉及一种准垂直结构射频器件及制作方法，该器件包括基区、基极、发射区、第一钝化层、第二钝化层和发射极，其中，发射区和第一钝化层形成第二台阶；第二钝化层覆盖第一钝化层的部分表面以形成靠近第一台阶的第一台面，位于第二台阶上的第二钝化层的表面形成发射极台面；基极的底部贯穿第二钝化层且位于基区上，基极的侧面与第二台阶侧面的第二钝化层接触，基极的顶部位于第一台面上且位于发射极台面上。该器件中基极搭上发射极台面，最大限度缩小了基极与发射极台面间横向距离，降低了基极串联总电阻，实现了晶体管工作性能的提升。

5. 发明公开

CN112074548A 作为电介质的乙烯醚类聚合物有权
公开(公告)号：CN112074548A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980014307.8
申请日：2019-05-22
申请人： CLAP有限公司
发明人： D·克尔布莱因 , F·G·布鲁内蒂 , G·贝克 , 丹尼尔·巴尔 , U·伯伦斯 , I·穆恩斯特
IPC分类号： C08F16/14 , C08F116/14 , H01L29/76 , H01L49/02
摘要：本发明提供包括下述化学式1的单位的聚合物、[化学式1] 包括上述聚合物的组合物、上述聚合物的制备方法、包括上述聚合物的电子器件、上述电子器件的制备方法及使用上述聚合物作为介电材料的用途。

6. 发明公开

CN111370466A 一种场效应晶体管及其制作方法无效
公开(公告)号：CN111370466A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010121987.8
申请日：2016-11-21
申请人：华为技术有限公司
发明人：马小龙 , 张日清 , 斯蒂芬·巴德尔
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/76 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/336 , B82Y10/00
摘要：本发明的实施例提供一种场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，可减小场效应晶体管的寄生参数，从而提高场效应晶体管的可靠性。所述场效应晶体管，其特征在于，包括源极和漏极，所述源极与所述漏极之间的沟道上设置有栅极，所述栅极通过绝缘结构与所述源极和漏极隔离，所述沟道的两端的厚度大于所述沟道的中段的厚度。

7. 发明公开

CN109791944A 单电子晶体管有权
公开(公告)号：CN109791944A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201680089487.2
申请日：2016-09-24
申请人：英特尔公司
发明人： H.C.乔治
IPC分类号： H01L29/76 , H01L29/66 , H01L29/792 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/7613 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G06N10/00 , H01L21/0228 , H01L21/28556 , H01L21/31053 , H01L27/085 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/41725 , H01L29/423 , H01L29/42312 , H01L29/42356 , H01L29/66439
摘要：本文公开了单电子晶体管（SET）器件以及相关方法和设备。在一些实施例中，一种SET器件可包括：第一和第二源极/漏极（S/D）电极，其被分别布置在第一绝缘支撑件的侧面上和第二绝缘支撑件的侧面上；岛，其被布置在第一和第二S/D电极之间并且延伸到第一和第二绝缘支撑件之间的区域中。在一些实施例中，一种SET器件可包括：第一和第二S/D电极，其被布置在基体上；岛，其被布置在第一和第二S/D电极之间的区域中；第一和第二电介质部分，其被分别布置在所述岛与第一和第二S/D电极之间；以及第三电介质部分，其被布置在所述基体和所述岛之间。

8. 发明授权

CN103199106B P型石墨烯基晶体管有权
公开(公告)号：CN103199106B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210599316.8
申请日：2012-12-24
申请人： IHP有限责任公司/莱布尼茨创新微电子研究所
发明人： W·梅尔 , J·达布罗斯基 , M·莱梅 , G·利珀特 , G·卢皮纳 , J·C·沙耶特
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/76 , H01L29/16
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L29/1606 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/402 , H01L29/7371 , H01L29/7606
摘要：本发明公开了一种P型石墨烯基晶体管。石墨烯基热空穴晶体管包括衬底上的发射极层、集电极层、和包含石墨烯层的基极层，其中在基极层和发射极层之间布置发射极势垒层，以及在基极层和集电极层之间并邻近石墨烯层布置集电极势垒层。

9. 发明公开

CN103534945A 用于向输入信号引入可控延时的装置和方法失效转让
公开(公告)号：CN103534945A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280022869.5
申请日：2012-05-11
申请人：诺基亚公司
发明人： V·A·厄莫洛夫 , M·S·埃莱 , P·M·帕萨南 , M·A·奥克萨南 , E·T·塞帕拉
IPC分类号： H03H11/26 , B82Y10/00 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/76
CPC分类号： H01L29/778 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/0657 , H01L29/1606 , H01L29/66977
摘要：一种装置，包括：第一电极部，被配置为注入载流子；第二电极部，被配置为收集载流子并且提供输出信号；第三电极部，被配置为收集载流子并且提供输出信号；单片半导体，提供用于在所述第一电极部和所述第二电极部之间输送注入的载流子的第一通道并且提供用于在所述第一电极部和所述第三电极部之间输送注入的载流子的第二通道，其中所述第一通道被配置使得在所述第一电极部注入的载流子将在第一输送时间之后经由所述第一通道到达所述第二电极部并且所述第二通道被配置使得在所述第一电极部注入的载流子将在第二输送时间之后经由所述第二通道到达所述第三电极部，其中所述第二输送时间大于所述第一输送时间；以及至少一个栅电极，耦合到所述单片半导体，被配置为使得能够至少在所述第一通道和所述第二通道之间切换用于载流子输送的路线。

10. 发明授权

CN101379610B 用于功率MOSFET应用的低电阻栅极及其制造方法失效
公开(公告)号：CN101379610B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200780004787.7
申请日：2007-02-06
申请人：飞兆半导体公司
发明人：斯里瓦察·斯里卡恩塔姆 , 何宜修 , 弗雷德·塞西诺 , 詹姆斯·肯特·内勒
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L29/76 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66734 , H01L29/42368 , H01L29/4925 , H01L29/4933 , H01L29/4941 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/513
摘要：如下形成一种沟槽栅场效应晶体管。在半导体区中形成沟槽，接下来，形成衬在沟槽的侧壁和底部上并在邻近沟槽的台面区上方延伸的电介质层。在电介质层上方的沟槽底部中形成导电晶种层。在导电晶种层上方生长低电阻材料，其中，该低电阻材料对导电晶种层具有选择性。

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