专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2022501885A カピッツァ抵抗を低減させたDC対応型極低温マイクロ波フィルタ审中-公开
公开(公告)号：JP2022501885A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021512894
申请日：2019-09-06
申请人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：グマン、パトリク , オリヴァデーセ、サルヴァトーレ、ベルナルド
IPC分类号： H01P11/00 , H01P1/203
摘要：カピッツァ抵抗を低減させた極低温マイクロ波フィルタを製造するための、アーキテクチャおよび技法が提供される。いくつかの実施形態では、極低温マイクロ波フィルタは基材と導電ラインとを備え得る。基材は、極低温環境においてカピッツァ抵抗を十分に低減する熱伝導率特性を有する材料で形成され得る。導電ラインは、基材の凹部内に形成することができ、極低温環境内で伝播するマイクロ波信号に対するフィルタ作用を促進できる。いくつかの実施形態では、導電ラインは、カピッツァ抵抗を低減できる焼結技法に従って形成され得る。

2. 发明专利

JP2022501840A 基板表面から異物を静電的に除去するための装置及び方法审中-公开
公开(公告)号：JP2022501840A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021543110
申请日：2019-09-17
申请人：東京エレクトロン株式会社 , トーキョーエレクトロンユーエスホールディングス,インコーポレーテッド
发明人：ロトンダロ,アントニオ , バセット,デレク , ハード,トレース , シムズ,イーサン
IPC分类号： H01L21/683 , B03C7/02 , H01L21/304
摘要： 1つの例示的な実施形態では、本明細書で説明されるのは、粒子と基板表面との間の引力を低減させて、基板表面からの粒子の除去を補助するための革新的な技術である。より具体的には、基板を洗浄することを補助するために多電極チャックが利用される。多電極チャックは、粒子と基板との間の引力を低減させ、且つ基板表面上に存在する解放された粒子を移動させるために利用される。チャックの電極は、電極バイアス波間に位相シフトを伴う交流(AC)電圧でバイアスされる。基板表面上の結果として得られる電界波は、粒子に極性を与えることによって粒子を解放し、且つ解放された粒子を基板にわたって移動させる。

3. 发明专利

JP2022501835A 光輝効果を有する照明デバイス有权
公开(公告)号：JP2022501835A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021528400
申请日：2019-12-10
申请人：シグニファイホールディングビーヴィ , SIGNIFY HOLDING B.V.
发明人：ヒキメットリファットアタムスターファ , ヴァンボムメルティース
IPC分类号： F21K9/232 , F21V3/00 , F21V3/06 , F21V3/12 , F21V19/00 , H01L33/50 , F21Y103/10 , F21Y115/10 , H01L33/52
摘要：支持基板上に取り付けられている固体発光要素と、ルミネッセント材料を含む封入材であって、固体発光要素の発光面を包囲しており、固体発光要素によって放出された光を少なくとも部分的に波長変換光に変換するように構成されている、封入材と、少なくとも部分的に封入材内に含まれている複数の光透過性粒子であって、発光面の上の封入材の層厚さの0.4〜1.5倍の範囲の平均最長寸法延伸を有する、光透過性粒子とを備える、照明デバイス。光透過性粒子は、光輝効果を作り出すために、封入材のルミネッセント効果を妨害してもよい。

4. 发明专利

JP2022501823A 半導体ウエハの温度を制御する方法および装置审中-公开
公开(公告)号：JP2022501823A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021515485
申请日：2019-09-18
申请人：メトリックス・リミテッド , METRYX LIMITED
发明人：エリオット・グレガー , トニス・エリック , ハリソン・ポール , ベリー・マーク
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66
摘要：【課題】【解決手段】半導体ウエハの温度に関する情報を検知すること;および半導体ウエハの温度に関して検知した情報に基づいて半導体ウエハの冷却または加熱を制御すること;によって半導体ウエハの温度を制御することを含む半導体ウエハ質量計測方法であって、半導体ウエハの冷却または加熱を制御することは、半導体ウエハの冷却または加熱の継続時間を制御すること;および、続いて半導体ウエハを半導体ウエハ質量計測装置の測定領域の上にロードすることを含む、方法。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2022501820A 3次元メモリデバイスの複数の水平導体層を電気的に接続するための階段状構造审中-公开
公开(公告)号：JP2022501820A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021515187
申请日：2019-09-20
申请人：サンライズメモリーコーポレイション
发明人：チェルネア、ラウル・エイドリアン , チエン、ウー−イー・ヘンリー , ハラリ、エリ
IPC分类号： H01L27/11578 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11575
摘要：半導体基板上のメモリ構造体(例えば、NORメモリストリングの3次元配列を有するメモリアレイ)のアクティブストリップから形成される様々な階段状構造及び様々な方法によって、該アクティブストリップの半導体層への効率的な電気的接続が達成される。【選択図】図1a

6. 发明专利

JP2022501818A 表面接地平面を有するコネクタ及びプリント回路基板审中-公开
公开(公告)号：JP2022501818A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021515153
申请日：2019-09-25
申请人：モレックスエルエルシー
发明人：ピールーズアムレシ , プシェ , デビットエルブランカー , ティモシーアールマクレランド , テンカイチェン
IPC分类号： H01R12/71 , H05K1/02
摘要：【解決手段】コネクタ(1300)及びプリント回路基板の組み合わせは、電気的結合を増加させる対向する電気的接地構造を含む。これらの組み合わせはまた、プリント回路基板内の信号間の望ましくないクロストークを低減する。【選択図】図13

7. 发明专利

JP2022501813A 一体化されたキャパシタを備える積層型センサ审中-公开
公开(公告)号：JP2022501813A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021514357
申请日：2019-10-24
申请人：レイセオンカンパニー
发明人：マローン,ニール,アール. , キルコイン,ショーン,ピー. , ハリス,ミッキー
IPC分类号： H01L25/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H04N5/369 , H01L27/146
摘要：三次元(3D)スタック(図1)が提供され、キャパシタ層140及び集積回路(IC)層160を含む。キャパシタ層140は、キャパシタ143と、対応するキャパシタ143とそれぞれ通信するキャパシタ層コネクタ144とを含む。IC層160は、キャパシタ層140に対して垂直に積層され、検出器120とハイブリダイズされる。IC層160は、対応するキャパシタ層コネクタ144とそれぞれ通信するIC層コネクタ165を含む。

8. 发明专利

JP2022501812A 微調整により半導体デバイスの転写速度を加速する方法および装置审中-公开
公开(公告)号：JP2022501812A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021514353
申请日：2019-09-25
申请人：ロヒンニリミテッドライアビリティカンパニー
发明人：アンドリューハスカ , コディピーターソン , ジャスティンウェント , ルークデュパン
IPC分类号： H01L21/52
摘要：半導体デバイスダイの第1の基材から第2の基材への直接転写を実行するための装置。装置には、2軸で移動可能な第1の基材搬送機構が含まれる。微調整機構は、第1の基材搬送機構と連結され、第1の基材を保持し、第1の基材搬送機構によって引き起こされる位置調整よりも小さなスケールで位置調整を行うように構成される。微調整機構は、遠位端部を有する微調整アクチュエータと、微調整アクチュエータの遠位端部との接触を介して移動可能である第1の基材ホルダフレームとを含む。第2のフレームは、転写面が第1の基材の表面上に配置された半導体デバイスダイに向いて配置されるように、第2の基材を固定するように構成される。転写機構は、半導体デバイスダイを押圧して基材の転写面と接触させるように構成される。

9. 发明专利

JP2022501801A フラットパネルツールにおいて基板を迅速にローディングするための方法有权
公开(公告)号：JP2022501801A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021504239
申请日：2019-06-13
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
发明人：ジョンストン, ベンジャミンエム. , フォン, プレストン , スクリュース, ショーン , リー, チュクミン , ユー, ジェミョン
IPC分类号： G03F7/20 , B65G49/06 , H01L21/677
摘要：本開示は概して、基板をローディングし、処理し、アンローディングするための方法及び装置に関する。処理システムは、フォトリソグラフィシステムに連結されたローディング/アンローディングシステムを備える。このローディング/アンローディングシステムは、第1の高さ及び第1の幅を有する第1の軌道のセットと、第1の高さ及び第1の幅とは異なる第2の高さ及び第2の幅を有する、第2の軌道のセットとを備える。未処理基板が、第1トレイ上で、第1の軌道のセットに沿ってリフトピンローダからチャックへと移送される一方、処理済み基板は、第2トレイ上で、第2の軌道のセットに沿って、チャックからリフトピンローダへと移送される。第1トレイと基板がまだ処理中でチャック上にある間に、ローディング/アンローディングシステムは、第2トレイ上の処理済み基板をアンローディングし、未処理基板を第2トレイ上にローディングするよう構成される。【選択図】図3A

10. 发明专利

JP2022501799A 光学装置审中-公开
公开(公告)号：JP2022501799A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2020572850
申请日：2019-08-22
申请人：有研稀土新材料股▲フン▼有限公司
发明人：劉栄輝 , 劉元紅 , 陳暁霞 , 薛原 , 馬小楽
IPC分类号： H01L33/50
摘要：本発明は、LEDチップ、可視光発光材料、近赤外発光材料を含む光学装置を提供する。近赤外および可視光発光材料は、LEDチップの励起下で発光する650〜1000nm波長の光パワーがAであり、近赤外および可視光発光材料は、LEDチップの励起下で発光する350〜650nm波長の光パワー、およびLEDチップで近赤外および可視光発光材料が励起された後LEDチップの350〜650nm波長の残留発光パワーの両者の合計がBであり、B/A*100%は0.1%〜10%である。該光学装置は、LEDチップを使用して近赤外発光材料と可視光発光材料を組み合わせて実現され、同じLEDチップを使用して近赤外および可視光発光を同時に実現し、強い近赤外発光および弱い可視光発光を実現し、該装置パッケージングプロセスを大幅に簡素化し、パッケージングコストを削減し、高い発光効率/優れた信頼性/レッドバーストなしの利点を有し、光パワー、特に白色光パワーを制御および調整でき、最終的に柔らかい視覚効果を実現する。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式