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91. 发明授权

KR100846419B1 프레가발린의 신규한 제조 방법 有权
标题翻译：制备PREGABALIN的新方法
公开(公告)号：KR100846419B1
公开(公告)日：2008-07-15
申请号：KR1020070080922
申请日：2007-08-10
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이희승 , 이주희 , 옥태동
IPC分类号： C07C247/12 , C07C247/02
CPC分类号： C07C229/08
摘要： A method for preparing pregabalin is provided to produce optically pure pregabalin from chiral bicyclic lactone with high yield without requiring a step of removing an undesired R-enantiomer. A method for preparing pregabalin includes the steps of: (i) subjecting a bicyclic lactone compound of the following formula 2 to a cyclopropane ring opening reaction and a decarboxylation reaction by a nucleophilic addition reaction of isopropylcuprate to prepare a lactone compound of the following formula 3; (ii) subjecting the obtained lactone compound to halogenation, azidation, and hydrolysis through a lactone ring opening reaction to prepare a compound of the following formula 4; and (iii) reducing the compound of the formula 4 to prepare the pregabalin of the following formula 1. In the formula 2, R is a C1-6 linear or branched alkyl group.
摘要翻译：提供了制备普瑞巴林的方法，以高产率从手性双环内酯产生光学纯的普瑞巴林，而不需要除去不需要的R-对映异构体的步骤。制备普瑞巴林的方法包括以下步骤：（i）使下式2的双环内酯化合物进行环丙烷开环反应，并通过异丙基甘油酯的亲核加成反应进行脱羧反应，制备下式3的内酯化合物 ; （ii）通过内酯开环反应使得到的内酯化合物进行卤化，叠氮化和水解，制备下式4的化合物; 和（iii）还原式4的化合物以制备下式1的普瑞巴林。在式2中，R是C 1-6直链或支链烷基。

92. 外观设计

KR3004983280000S 失效
公开(公告)号：KR3004983280000S
公开(公告)日：2008-07-14
申请号：KR3020070050397
申请日：2007-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
设计人： 이주희 , 김강두

93. 发明授权

KR100830126B1 진공처리장치용 전극 및 그를 가지는 진공처리장치 有权
标题翻译：真空处理装置用电极及具有该真空处理装置的真空处理装置
公开(公告)号：KR100830126B1
公开(公告)日：2008-05-20
申请号：KR1020060066110
申请日：2006-07-14
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 엄용택 , 이주희 , 허현강
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
摘要： 본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정디스플레이 패널용 유리기판 또는 웨이퍼 등의 기판을 식각 또는 증착하기 위한 진공처리장치용 전극 및 그를 가지는 진공처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 일측에 기판의 입출을 위한 게이트가 형성되며, 내부에 처리공정을 수행하기 위한 처리공간이 형성되는 챔버 내에 설치되어 상기 처리공간 내에서 플라즈마를 형성하도록 전원이 인가되는 전극으로서, 냉매유로와, 상기 냉매유로 내로 냉매를 공급하는 유입구와, 상기 냉매유로로부터 냉매를 배출되는 배출구가 형성되며, 상기 유입구는 상기 전극의 가장자리부분에 형성되고, 상기 배출구는 상기 전극의 중앙부분에 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치용 전극을 개시한다.
진공처리장치, 플라즈마, 냉매, 게이트, 온도편차

94. 外观设计

KR3004906760000S 失效
公开(公告)号：KR3004906760000S
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：KR3020070049475
申请日：2007-11-29
申请人： 김인섭 , 이주희
设计人： 김인섭 , 이주희

95. 发明授权

KR100773722B1 플라즈마 처리장치 有权
标题翻译：等离子处理设备
公开(公告)号：KR100773722B1
公开(公告)日：2007-11-06
申请号：KR1020050082651
申请日：2005-09-06
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 이주희 , 한재병
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 그 구성은 진공챔버 내부에 위치한 하부전극 상에 로딩 및 언로딩되는 기판 표면에 소정의 공정을 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 하부전극은 기판을 승하강 시키는 하나 이상의 리프트핀;을 포함하여 이루어지며, 상기 리프트핀과 하부전극이 상호 접점되도록 하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판상에 소정 공정 처리시 그 하면에 위치한 하부전극과 리프트핀의 전위차에 의해 얼룩이 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
플라즈마 처리장치, 리프트핀, 접점부재, 연결부재
摘要翻译：本发明涉及一种等离子体处理装置和被布置为使得用于处理预定的处理负载和衬底表面的等离子体处理装置，以在位于真空腔室内部的下部电极被卸载，其中所述下电极由升降基板升降销和下电极彼此接触。

96. 发明公开

KR1020070091811A 크립 주행 중의 운전성 개선방법 无效
标题翻译：驱动效率改进方法
公开(公告)号：KR1020070091811A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：KR1020060021407
申请日：2006-03-07
申请人： 기아자동차주식회사
发明人： 이주희
IPC分类号： B60W30/18 , F16H61/00 , B60W10/06
摘要： A driving performance improving method during creeping is provided to improve safety of a diesel engine vehicle during creeping by gently decreasing RPM(Revolution Per Minute) of an engine and vehicle speed when a driver presses a brake pedal during creeping. A driving performance improving method during creeping comprises the steps of: judging whether a vehicle creeps or not(S10); recognizing the gear level of a transmission(S20); judging whether a brake signal is inputted from a brake or not(S30); and applying pre-set stop RPM lower than creep RPM according to the gear level of the transmission if the brake signal is inputted(S40). The stop RPM is about 700. If the brake signal is not inputted, the creep RPM corresponding to the gear level of the transmission is applied(S50).
摘要翻译：提供爬行期间的驾驶性能改进方法，以在驾驶员在爬行过程中按压制动踏板时，通过轻轻地降低发动机的RPM（每分钟转数）和车速来提高爬行期间柴油发动机车辆的安全性。爬行期间的驾驶性能改善方法包括以下步骤：判断车辆是否爬行（S10）; 识别变速器的档位（S20）; 判断是否从制动器输入制动信号（S30）; 并且如果输入了制动信号，则根据变速器的齿轮级，将低于蠕变转速的预设停止转速（S40）应用。停机转速约为700.如果没有输入制动信号，则应用与变速器档位等级对应的爬行转速（S50）。

97. 发明公开

KR1020070019309A 반송챔버의 구조 有权
标题翻译：传输模块的结构
公开(公告)号：KR1020070019309A
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050074137
申请日：2005-08-12
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 이주희 , 한재병
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/68
摘要： 본 발명은 반송챔버의 구조에 관한 것으로, 그 구성은 사방이 개방된 다각면으로 이루어진 몸체와, 상기 몸체 상면을 밀폐시키는 상판과, 상기 몸체 하면을 밀폐시키는 하판을 포함하는 중앙챔버와; 상기 중앙챔버의 측벽과 결합되며, 소정 곡면을 가지는 적어도 하나 이상의 측면챔버;를 포함하여 이루어지는 반송챔버의 구조에 관한 것이다.
본 발명은 다각면을 갖는 중앙챔버 상에 곡면을 갖는 다수개의 측면챔버를 결합시켜 반송챔버 내부에서 작용하는 진공압을 효율적으로 분산시킴으로써 진공압에 따른 챔버 벽면을 얇게 하여 비용 절감 및 제작이 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
반송챔버, 측면챔버, 중앙챔버

98. 发明公开

KR1020070004305A 건식식각장치 失效
标题翻译：干ET
公开(公告)号：KR1020070004305A
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050059800
申请日：2005-07-04
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 이주희 , 한재병 , 김형준
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32816 , H01L21/67069
摘要： A dry etching apparatus is provided to uniformly process every surface on a substrate that is positioned on a lower electrode to be processed, by forming a symmetrical space and uniform plasma during a fabricating process. A substrate inlet/output(112) penetrates one sidewall of a chamber(110) in which plasma is generated. A gate valve(120) is formed outside the chamber, opening and shutting the outer opening of the substrate inlet/outlet. A shutter valve(130) opens and shuts the inner opening of the substrate inlet/outlet, moving in combination with the gate valve and composed of an opening/shutting member(132) and a driving part(134). The opening/shutting member opens and shuts the inner opening of the substrate inlet/outlet, transferring vertically. The driving part vertically drives the opening/shutting part, connected to the lower part of the opening/shutting member.
摘要翻译：提供了一种干蚀刻装置，通过在制造过程中形成对称的空间和均匀的等离子体来均匀地处理位于待处理的下电极上的基板上的每个表面。基板入口/输出端（112）穿过其中产生等离子体的室（110）的一个侧壁。闸门（120）形成在室外，打开和关闭基板入口/出口的外部开口。快门阀（130）打开和关闭基板入口/出口的内部开口，与闸阀组合移动并由打开/关闭构件（132）和驱动部分（134）组成。打开/关闭构件打开并关闭衬底入口/出口的内部开口，垂直转动。驱动部件垂直地驱动打开/关闭部分，连接到打开/关闭部件的下部。

99. 发明公开

KR1020070003232A 반도체 처리 장치 有权
标题翻译：半导体工艺设备
公开(公告)号：KR1020070003232A
公开(公告)日：2007-01-05
申请号：KR1020050059031
申请日：2005-07-01
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 김형준 , 이주희 , 한재병
IPC分类号： H01L21/02
摘要： A semiconductor processing apparatus is provided to install a rotating mechanism, a lifting mechanism and a transferring mechanism on aiming portions. A semiconductor processing apparatus includes a chamber body(10), an upper lid(20) for covering the chamber body, a support body(21) connected to a cam shaft, a first support frame(30) for supporting the chamber body, a vertical transfer unit(40) for moving the upper lid up and down on the first support frame, a second support frame(50) adjacent to the first support frame, a horizontal transfer unit for transferring the upper lid onto the second support frame, and a rotation unit(60) for rotating the upper lid on the second support frame.
摘要翻译：提供半导体处理装置，用于在瞄准部上安装旋转机构，提升机构和传送机构。一种半导体处理装置，包括室主体（10），用于覆盖室主体的上盖（20），与凸轮轴连接的支撑体（21），用于支撑室主体的第一支撑框架（30）用于在第一支撑框架上上下移动上盖的垂直传送单元（40），与第一支撑框架相邻的第二支撑框架（50），用于将上盖传送到第二支撑框架上的水平传送单元，以及旋转单元（60），用于使第二支撑框架上的上盖旋转。

100. 发明授权

KR100660795B1 플라즈마 처리장치 失效
标题翻译： 플라즈마처리장치
公开(公告)号：KR100660795B1
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：KR1020050074142
申请日：2005-08-12
申请人： 주식회사 아이피에스
发明人： 이주희 , 한재병
IPC分类号： H01L21/205
摘要： A plasma treatment apparatus is provided to prevent the damage of a substrate and to minimize an inner space of a vacuum chamber by supplying a properly mixed source gas into the chamber in an aiming dispersing speed state using an improved supply unit. A plasma treatment apparatus includes a supply unit. The supply unit(110) is composed of a diffusing part(120) for supplying a source gas in an upper electrode(100) and a spraying plate for spraying uniformly the source gas supplied from the diffusing part into a vacuum chamber(10). The diffusing part is composed of an inlet port(122), a diffuser(124) connected through the inlet port and a mixer(126) for mixing properly the source gas.
摘要翻译：提供一种等离子体处理设备，以通过使用改进的供应单元以适当分散速度状态将适当混合的源气体供应到腔室中来防止基板的损坏并且使真空腔室的内部空间最小化。等离子体处理设备包括供应单元。供给部110由向上部电极100供给原料气体的扩散部120和将从扩散部供给的原料气体均匀地喷射到真空室10的喷射板构成。扩散部分由通过入口端口连接的入口端口（122），扩散器（124）和用于适当地混合源气体的混合器（126）构成。

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