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11. 发明授权

CN103732719B 磷光发光材料、磷光发光材料的制造方法以及磷光发光元件失效
公开(公告)号：CN103732719B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201280008581.2
申请日：2012-03-05
申请人：国立大学法人九州大学 , 松下电器产业株式会社 , 琳得科株式会社
发明人：种田将嗣 , 安达千波矢 , 安田琢麿 , 中田学 , 中田安一
IPC分类号： C07D213/16 , C09K11/06 , C07F15/00 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0087 , C07D213/16 , C07F5/02 , C07F15/0086 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L51/0072 , H01L51/008 , H01L51/009 , H01L51/5016
摘要：本发明提供磷光发光材料、磷光发光材料的制造方法以及磷光发光元件，即提供形成薄膜时的水平取向性等优异的磷光发光材料、这样的磷光发光材料的有效率的制造方法、以及使用这样的磷光发光材料的发光元件。其特征在于，是下述通式（1）表示的磷光发光材料，该磷光发光材料的制造方法，以及使用磷光发光材料的发光元件，磷光发光材料在分子内具有直链状的共轭体系结构、2-苯基吡啶配位基、中心金属和β-二酮型配位基。（通式（1）中，末端取代基R1和R2为氢原子、碳原子数1～20的烷基等；a～l和o～s为氢原子等；中心金属M为铂等；重复数m和n为0～4的整数）。

12. 发明公开

CN105026457A 半导体聚合物失效
公开(公告)号：CN105026457A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480011733.3
申请日：2014-03-06
申请人：沙特基础工业公司
发明人：蒂莫西·P·本德 , 伯努瓦·H·莱萨德
IPC分类号： C08G61/12 , H01B1/00 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0078 , C09B69/108 , H01L51/0036 , H01L51/009 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本文公开具有以下结构的半导电聚合物：(I)。

13. 发明公开

CN104870453A 用于光电子应用的双核金属(I)络合物有权转让
公开(公告)号：CN104870453A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380068172.6
申请日：2013-12-16
申请人：辛诺拉有限公司
发明人： D·沃尔兹 , A·雅各布 , T·鲍曼 , T·治拉伯
IPC分类号： C07F1/08 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/009 , C07F1/08 , C07F9/6596 , H01L51/0091 , H01L51/05 , H01L51/42 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , C07F1/005 , C07F9/572 , C07F9/59 , C07F9/6506 , C07F9/6533 , C07F9/65683 , C07F9/65685
摘要：本发明涉及一种式(A)的金属(I)络合物，其中M＝彼此独立地选自由Cu和Ag所组成的组；X＝彼此独立地选自由Cl、Br、I、CN、OCN、SCN、炔基及N3所组成的组；E∩D＝彼此独立地为双牙配位基，其中E＝RR'E*(如果E*＝N、P、As、Sb)或RE*(如果E*＝C*、O、S)，其中E*彼此独立地选自由N(其中N不是亚胺氮原子或N-杂芳环的一部分)、P、C*、O、S、As及Sb所组成的组，其中C*＝二价碳烯碳原子，并且R，R'＝彼此独立地选自以下组，该组包括：氢、卤素、及直接键结或经由氧(-OR)、氮(-NR2)、硅(-SiR3)或硫原子(-SR)键结的取代基、以及烷基、杂烷基、芳基、杂芳基、烯基、炔基或经取代的烷基、杂烷基、芳基、杂芳基及烯基(具有取代基，如卤素或氘、烷基、杂烷基、芳基、杂芳基)、及其它公知的供体及受体基团，以及CF3基团；D＝RR'D*(如果D*＝N、P、As、Sb)或RD*(如果D*＝C*、O、S)，其中D*彼此独立地选自由N(其中N不是亚胺氮原子或N-杂芳环的一部分)、P、C*、O、S、As及Sb所组成的组，其中C*＝二价碳烯碳原子，并且R，R'＝彼此独立地选自以下组，该组包括：氢、卤素、及直接键结或经由氧(-OR)、氮(-NR2)、硅(-SiR3)或硫原子(-SR)键结的取代基、以及烷基、杂烷基、芳基、杂芳基、烯基、炔基或经取代的烷基、杂烷基、芳基、杂芳基及烯基(具有取代基，如卤素或氘、烷基、杂烷基、芳基、杂芳基)、及其它公知的供体及受体基团，以及CF3基团；其中D和E是不同的；“∩”＝由Q、Y和Z组成的三部分单元，它们彼此键结并且彼此独立地选自以下组，该组包括：NR、O、S及PR以及烷基、杂烷基、芳基、杂芳基、烯基、炔基或经取代的烷基、杂烷基、芳基、杂芳基及烯基(具有取代基，如卤素或氘、烷基、杂烷基、芳基、杂芳基)及其它公知的供体及受体基团，如例如胺、羧酸根及其酯，以及CF3基团；本发明还涉及所述络合物在光电子器件中、特别是在OLED中的应用。

14. 发明授权

CN101814583B 发光元件、发光装置及电子设备有权
公开(公告)号：CN101814583B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN200910223199.3
申请日：2009-11-16
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：井上英子 , 大泽信晴 , 濑尾哲史
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54 , H01L27/32
CPC分类号： H01L51/56 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/0085 , H01L51/009 , H01L51/5036 , H05B33/14
摘要：本发明涉及发光元件、发光装置及电子设备。因为被人眼感知为优质的红色的光的波长为620nm附近的波长，所以本发明的课题在于提供于620nm附近具有发射光的峰值的发光元件。此外，本发明的课题还在于提供可获得光视效率高的红色的发射光的发光元件。本发明提供将以下述通式(G1)表示的有机金属配合物用作客体材料并将低分子化合物用作主体材料而形成的发光元件、发光装置、电子设备。

15. 发明授权

CN102627671B 金属络合物失效
公开(公告)号：CN102627671B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210043328.2
申请日：2004-09-28
申请人：默克专利有限公司
发明人：罗科·福特 , 菲利普·施托塞尔 , 安雅·格哈德 , 霍斯特·韦斯特韦伯
IPC分类号： C07F15/00 , C07D221/18 , C09K11/06 , H01L51/00 , H01L51/54
CPC分类号： C09K11/06 , C07F15/0033 , C09B57/00 , C09B57/10 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , C09K2211/1096 , C09K2211/185 , H01L51/0052 , H01L51/008 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/009 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本发明描述新型的金属络合物。这样的化合物在最广义上分类为电子工业中的一系列不同类型的应用场合中能用作功能材料。所述有创造性的化合物由通式(1)和(4)描述。

16. 发明公开

CN104541383A 用作有机电子基体材料的p-掺杂剂的金属络合物有权
公开(公告)号：CN104541383A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380037786.8
申请日：2013-05-14
申请人：西门子公司 , 欧司朗OLED有限责任公司
发明人： A.马尔滕伯格 , G.施密德 , J.H.威姆肯 , S.皮克奎尔
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/50 , H01L51/42
CPC分类号： H01L51/009 , H01L51/42 , H01L51/506 , Y02E10/549
摘要：本发明涉及一种用作电子元件基体材料的p型掺杂剂的双-或多核的Vb/VIb/VIIb族或第5-7族金属络合物，其包含至少一种如下式(a)的配体：其中R1和R2可各自独立为氧、硫、硒、NH或NR4，R4选自包括烷基和芳基的组，并且可键合至R3；以及R3选自包含以下的组：烷基、长链烷基、烷氧基、长链烷氧基、环烷基、卤代烷基、芳基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、亚杂芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基，其中在合适的基中的一个或多个不相邻的CH2基团可独立地被-O-，-S-，-NH-，-NR°-，-SiR°R°°-，-CO-，-COO-，-OCO-，-OCO-O-，-SO2-，-S-CO-，-CO-S-，-CY1＝CY2或-C≡C-所取代，具体地，以这样一种方式氧和/或硫原子没有彼此直接键合，并且同样可任选地被芳基或优选含有1到30个碳原子的杂芳基所取代。

17. 发明授权

CN102770476B 一种含喹喔啉单元卟啉共聚物及其制备方法和应用失效诉讼
公开(公告)号：CN102770476B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201080064203.7
申请日：2010-05-18
申请人：海洋王照明科技股份有限公司
发明人：周明杰 , 黄杰 , 刘贻锦
IPC分类号： C08G61/12 , H01L51/00 , H01L51/42 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0035 , B82Y10/00 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/148 , C08G2261/3221 , C08G2261/3241 , C08G2261/414 , C08G2261/526 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C08G2261/95 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L51/009 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要：公开了一种含喹喔啉单元卟啉共聚物及其制备方法和应用。该共聚物具有结构式（Ⅰ），其中R1、R2、R3、R4选自C1～C32的烷基；n为1～100之间的整数。该共聚物可用于太阳能电池等领域。

18. 发明授权

CN101960634B 包含中性过渡金属络合物的光电子元件有权转让
公开(公告)号：CN101960634B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200980108190.6
申请日：2009-02-25
申请人：默克专利有限公司
发明人：哈特穆特·耶尔森 , 托比亚斯·菲舍尔 , 拉法尔·切尔维涅茨 , 乌维·蒙科维乌斯
IPC分类号： H01L51/42 , H01L51/50 , C09K11/06 , C07F15/00
CPC分类号： H01L51/0084 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/009 , H01L51/0091 , H01L51/424 , H01L51/5016 , Y02E10/549
摘要：本发明涉及组合物作为发射体或吸收体在电子元件中的用途，其中所述组合物具有第一中性过渡金属络合物和第二中性过渡金属络合物。根据本发明，所述第一过渡金属络合物和所述第二过渡金属络合物一起形成柱状结构。本发明还涉及具有这些组合物的电子元件的制备方法。

19. 发明授权

CN102686592B 含芴卟啉-蒽共聚物、其制备方法和应用失效诉讼
公开(公告)号：CN102686592B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201080048106.9
申请日：2010-01-30
申请人：海洋王照明科技股份有限公司
发明人：周明杰 , 黄杰 , 刘贻锦
IPC分类号： C07D487/22 , C08G61/12 , H01L51/42 , H01L51/46 , H05B33/14 , H01S3/00
CPC分类号： C07D487/22 , B82Y10/00 , C08G61/124 , C08G2261/148 , C08G2261/314 , C08G2261/3221 , C08G2261/411 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C08G2261/95 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L51/0077 , H01L51/009 , H01L51/0545 , H01L51/42 , H01L51/4253 , H01L51/50 , H01S3/213 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本发明公开了一种含芴卟啉-蒽共聚物，其包含结构如式(1)所示的聚合物，其中R1、R2、R3和R4相同或不同，为C1-C16的烷基；n为1-100之间的整数。还公开了上述含芴卟啉-蒽共聚物的制备方法和其在制造太阳能电池器件、有机场效应晶体管、有机电致发光器件、有机光存储器件、有机非线性材料或有机激光器件中的应用。

20. 发明公开

CN103209763A 共价有机框架膜及其制备方法和用途有权
公开(公告)号：CN103209763A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054518.8
申请日：2011-09-13
申请人：康奈尔大学
发明人： W·R·迪希特尔 , J·帕克 , A·慕克吉 , M·P·利文多夫 , A·沃尔 , E·斯比特勒 , J·科尔森
IPC分类号： B01J20/22 , C01B31/02 , C07F3/06 , H01L31/042 , H01L51/50
CPC分类号： C09D5/00 , B01J20/226 , B01J20/3204 , B01J20/324 , B01J20/3272 , B01J20/3289 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , C01B32/186 , C01B32/20 , C01B2204/02 , H01L51/0053 , H01L51/0054 , H01L51/0078 , H01L51/0083 , H01L51/0084 , H01L51/009 , H01L51/0504 , H01L51/42 , H01L51/50 , Y02E10/549 , Y10T428/265 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
摘要：多层结构，其包括与多芳香碳（PAC）膜接触的共价有机框架（COF）膜。所述多层结构可以通过在存在PAC膜的条件下组合前体化合物来制备。所述PAC膜可以是，例如，单层石墨烯膜。所述多层结构可以用于不同应用中，如太阳能电池、柔性显示器、照明设备、无线射频识别（RFID）标签、传感器、感光体、电池、电容器、气体存储设备、和气体分离设备。

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