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    • 20. 发明申请
    • 磁场增强装置
    • WO2022170751A1
    • 2022-08-18
    • PCT/CN2021/113664
    • 2021-08-20
    • 清华大学北京清华长庚医院
    • 赵乾池中海郑卓肇孟永钢周济
    • G01R33/38A61B5/055
    • 一种磁场增强装置(20),第一电极层(110)设置于第一表面(101),第二电极层(120)设置于第一表面(101),并位于第一电容区(11),第二电极层(120)与第一电极层(110)位于第一电容区(11)的部分间隔设置,第三电极层(130)设置于第一表面(101),并位于第二电容区(12),第三电极层(130)与第一电极层(110)位于第二电容区(12)的部分间隔设置,第一谐振电容(911)的一端与第二电极层(120)电连接,第一谐振电容(911)的另一端与第一电极层(110)位于第一电容区(11)的部分电连接,相邻两个磁场增强组件(10)的第二电极层(120)与第一电极层(110)位于第一电容区(11)的部分连接,第二谐振电容(921)的一端与第三电极层(130)电连接,第二谐振电容(921)的另一端与第一电极层(110)位于第二电容区(12)的部分电连接,相邻两个磁场增强组件(10)的第三电极层(130)与第一电极层(110)位于第二电容区(12)的部分连接。