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    • 43. 发明授权
    • 半导体装置的制造方法
    • CN113316837B
    • 2023-12-05
    • CN202080009808.X
    • 2020-01-16
    • 株式会社电装
    • 河野宪司
    • H01L21/337H01L29/808H01L21/338H01L29/812
    • 本发明进行以下工序:准备具有漂移层(13)的基板;通过进行外延生长,在漂移层(13)上构成沟道层(14)而形成半导体基板(10);以半导体基板(10)的厚度方向为深度方向,通过进行离子注入,在沟道层(14)中形成从半导体基板(10)的一面(10a)沿深度方向延伸的栅极层(15),并且在沟道层(14)中的与栅极层(15)分离的位置,形成从半导体基板(10)的一面(10a)沿深度方向延伸的体层(16);通过进行离子注入,在沟道层部分,形成以与栅极层(15)分离的状态与栅极层(15)对置、并被维持为与栅极层(15)不同的电位的屏蔽层(18)。(14)中的位于栅极层(15)与漂移层(13)之间的(56)对比文件JP 2005005385 A,2005.01.06CN 107431091 A,2017.12.01JP 2013093482 A,2013.05.16JP 2003309262 A,2003.10.31JP 2008282878 A,2008.11.20JP 2005203395 A,2005.07.28US 2017018637 A1,2017.01.19CN 102859696 A,2013.01.02Dipti Guptaa,b,*, YongtaekHongb.Understanding the effect ofsemiconductor thickness on devicecharacteristics in organic thin filmtransistors by way of two-dimensionalsimulations.Organic Electronics.2011,全文.杨同同;陶永洪;杨晓磊;黄润华;柏松.12kV4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现.固体电子学研究与进展.2018,(05),全文.刘涛;陈刚;黄润华;柏松;陶永洪;汪玲;刘奥;李赟;赵志飞.3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造.固体电子学研究与进展.2016,(03),全文.李俊楠;战可涛.槽栅结构SiC材料IGBT的仿真及优化分析.北京化工大学学报(自然科学版).2011,(06),全文.