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1. 发明专利

JP6838041B2 マグノンフィールド効果トランジスタとマグノントンネル接合有权
公开(公告)号：JP6838041B2
公开(公告)日：2021-03-03
申请号：JP2018241185
申请日：2018-12-25
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：韓秀峰 , 唐萍 , 郭晨陽 , 万蔡華
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L29/66 , G11B5/39 , G01R33/09 , H01L29/82

2. 发明专利

JP2019125782A マグノンスピンバルブデバイス、マグノンセンサ、マグノンフィールド効果トランジスタ、マグノントンネル接合及びマグノンメモリ审中-公开
公开(公告)号：JP2019125782A
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：JP2018241185
申请日：2018-12-25
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：韓秀峰 , 唐萍 , 郭晨陽 , 万蔡華
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L29/66 , G11B5/39 , G01R33/09 , H01L29/82
摘要：【課題】マグノンスピンバルブデバイス、マグノンセンサ、マグノンフィールド効果トランジスタ、マグノントンネル接合およびマグノンメモリを提供する。【解決手段】マグノンスピンバルブデバイスは、第1の強磁性絶縁層と、前記第1の強磁性絶縁層の上に設けられた非磁性導電層と、前記非磁性導電層の上に設けられた第2の強磁性絶縁層とを含む。【選択図】図1

3. 发明专利

JP5964959B2 ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システム有权
标题翻译：纳米图形化和超宽带电磁特性测量系统
公开(公告)号：JP5964959B2
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2014521921
申请日：2012-07-17
申请人：中国科学院物理研究所 , 北京匯徳信科技有限公司
发明人：韓秀峰 , 馬勤礼 , 于国強 , 劉厚方 , 余天 , 周向前 , 艾金虎 , 孫曉玉
IPC分类号： H01J37/28 , H01L21/027 , G01R29/00 , G01R33/12 , H01J37/305 , H01J37/16 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/3174 , G01R31/2822 , G01R31/315 , H01J2237/24564 , H01J2237/28 , H01L22/12

4. 发明专利

JP6105817B2 温度センサのためのナノ磁性多層膜とその製造方法有权
公开(公告)号：JP6105817B2
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2016526771
申请日：2014-01-23
申请人：中国科学院物理研究所
发明人： ▲韓▼ 秀峰 , 袁忠▲輝▼ , ▲劉▼ ▲ぱん▼ , 于国▲強▼ , ▲豊▼ 家峰 , ▲張▼ 殿琳
IPC分类号： H01L43/12 , G01K7/36 , G01R33/09 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G01K7/36 , G01K7/38 , H01F10/3272 , H01L43/02 , H01L43/12

5. 发明专利

JP2016541112A 温度センサのためのナノ磁性多層膜とその製造方法有权
标题翻译：纳米磁性多层膜和用于温度传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP2016541112A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2016526771
申请日：2014-01-23
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：秀峰 ▲韓▼ , 秀峰 ▲韓▼ , 忠▲輝▼ 袁 , 忠▲輝▼ 袁 , ▲ぱん▼ ▲劉▼ , ▲ぱん▼ ▲劉▼ , 国▲強▼ 于 , 国▲強▼ 于 , 家峰 ▲豊▼ , 家峰 ▲豊▼ , 殿琳 ▲張▼ , 殿琳 ▲張▼
IPC分类号： H01L43/08 , G01K7/36 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G01K7/36 , G01K7/38 , H01F10/3272 , H01L43/02 , H01L43/12
摘要：温度センサのための面内ナノ磁性多層膜とその製造方法。多層フィルムは、3つのタイプに分類される。第1のタイプの構造は、基板(1)、底部層(2)、底部磁性複合材料層(3)、中間バリア層(4)、上部磁性複合材料層(5)及びキャップ層(6)を下から上の順序で含む。第1のタイプにおいて、上部磁性複合層(5)と底部磁性複合層(3)は、直接ピニング構造又は間接ピニング構造を採用する。第2のタイプは、基板、底部層、底部ピニング層、中間バリア層、上部ピニング層、及びキャップ層を下から上の順序で、含む。第2のタイプにおいて、上部ピニング層及び底部ピニング層は、直接ピニング構造又は間接ピニング構造を採用する。磁性ナノ多層膜構造の第3のタイプは、基板、底部層、底部磁性多層膜、底部磁性層、中間バリア層、上部磁性膜、上部磁性多層膜及びキャップ層を下から上の順序で含む。第3のタイプにおいて、磁性多層膜の磁気モーメントは、膜面に垂直であり、底部多層膜と上部多層膜の保磁力が異なり、2つの強磁性層、すなわち上部強磁性層及び底部強磁性層の磁気モーメントは、アニーリングを介して反平行配置にある。
摘要翻译：平面纳米磁性多层膜和用于温度传感器及其制造方法。所述多层膜可分为三种类型。第一种类型的结构中，在基板（1），底层（2），底部磁性复合材料层（3），中间层（4），上部磁性复合材料层（5）和所述覆盖层（6）包括在从底部顺序到顶部。在第一种类型中，上部磁性复合层（5）和底磁性复合层（3）采用直接钉扎结构或间接钉扎结构。第二种类型，一基板，一底层，底钉扎层，中间势垒层，上钉扎层，并从底部，包括上帽层的顺序。在第二种类型中，上钉扎层和钉扎底部层采用直接钉扎结构或间接钉扎结构。第三种类型的磁性纳米多层膜结构的包括基板，底层，底磁性多层膜，底磁性层，中间势垒层，上磁膜，在上部磁性多层膜，并从底部的帽层之上的顺序。在第三类型中，磁性多层膜的磁矩是垂直于膜平面的，不像底部多层膜的矫顽力和两个铁磁层的上部多层膜，即上侧强磁性层和底部铁磁层磁矩通过退火反平行地布置。

6. 发明专利

JP2014529839A ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システム有权
标题翻译：纳米图形化和超宽带电磁特性测量系统
公开(公告)号：JP2014529839A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2014521921
申请日：2012-07-17
申请人：中国科学院物理研究所 , 北京匯徳信科技有限公司
发明人：韓秀峰 , 馬勤礼 , 于国強 , 劉厚方 , 余天 , 周向前 , 艾金虎 , 孫曉玉
IPC分类号： H01J37/28 , G01R29/00 , G01R33/12 , H01J37/244 , H01J37/305 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/26 , G01R31/2822 , G01R31/315 , H01J37/3174 , H01J2237/24564 , H01J2237/28 , H01L22/12
摘要：本発明は、電源1と、制御装置2と、測定装置3とを備え、前記制御装置2は前記測定装置3に接続され、前記制御装置2と前記測定装置3は、それぞれ前記電源1に接続されており、前記測定装置3は、SEM結像又はEBLパターン化機能を有する結像装置31と、真空チャンバー32と、真空システム33と、試料ステージ34と、磁場応答特性測定装置35とを備え、前記真空システム33は前記真空チャンバー32に接続され、前記結像装置31、前記試料ステージ34及び前記磁場応答特性測定装置35は、いずれも前記真空チャンバー32内に設置され、前記結像装置31と前記磁場応答特性測定装置35は前記試料ステージ34に応じて設置されている、ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システムを提供する。本発明によれば、高速で効率よくナノ材料とデバイス、及びそのアレイ試料の測定と研究を行うことができ、幅広い応用分野を有している。
摘要翻译：本发明连接在电源1，一个控制单元2，和一个测量装置3中，控制单元2被连接到测量装置3，所述的控制装置2测量装置3中，分别对电源1的是，测量装置3设置有成像装置具有SEM成像或EBL图案化功能，真空室32，真空系统33，试样台34和磁场响应特性的测量装置31 35 真空系统33连接到真空室32，成像装置31中，样品台34和磁场响应特性的测量装置35都位于真空室32内，成像设备31 其中，所述磁场响应特性的测量装置35是安装在根据样品台34，以提供纳米图案化和超宽带电磁特性测量系统。根据本发明，可以进行快速和有效的纳米材料和设备，并且阵列样本研究的测定中，具有广泛的应用范围。

7. 发明公开

CN117990727A 一种固态电解质稳定性的测试方法审中-公开
公开(公告)号：CN117990727A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211354278.X
申请日：2022-11-01
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：乔荣涵 , 俞海龙 , 赵文武 , 黄学杰
IPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/223 , G01N27/04
摘要：本发明提供一种固态电解质稳定性的测试方法，包括：(1)将待测的固态电解质样品放入样品室，对样品室持续抽真空，采用真空计监视样品室的真空度；(2)通过气源向样品室中通入待考察的气体，根据真空度变化调整气体的流量，以控制样品室中的气体浓度；(3)待样品室中的气体浓度稳定后关闭真空，然后待处理时间结束后将所述固态电解质样品取出进行测试。本发明提供了固态电解质材料在低浓度气体氛围下的预处理手段，可以实现多种气氛低分压情况下稳定性的测试。结合宏观与微观下的表征分析，为量化固态电解质在不同浓度气体存在下受到的影响构建了一套实用的方法。

8. 发明公开

CN117979175A 一种编码盘以及基于旋转编码的抗干扰成像系统审中-公开
公开(公告)号：CN117979175A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410066837.X
申请日：2024-01-17
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：李明飞 , 吴令安 , 全保刚
IPC分类号： H04N23/81 , H04N5/06 , H04N25/60 , H04N17/00 , G06T9/00 , G01D5/26
摘要：本发明提供了一种编码盘以及基于旋转编码的抗干扰成像系统，系统包括：成像镜头组，用于根据输入电磁波将目标图像聚焦至编码盘的预设编码区域；编码盘，用于通过旋转调整处于编码区域的扇区；驱动装置，用于驱动编码盘匀速旋转；第一探测器，采用单像素探测器，用于采集一段时间穿透编码盘的电磁波对应的第一单像素信号；第二探测器，采用单像素探测器，用于采集一段时间由编码盘的编码图案区反射的电磁波对应的第二单像素信号；数据采集模块，用于获得第一和第二单像素信号相减后的信号并生成数字的差分信号；图像重构模块，用于根据所述差分信号和所述循环正交矩阵的任一行向量，重构图像向量。本发明的抗干扰能力较强，可提高生成的图像质量。

9. 发明授权

CN114324271B 自相位调制光谱选择驱动的显微镜系统、其方法及显微镜有权
公开(公告)号：CN114324271B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202111601654.6
申请日：2021-12-24
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：常国庆 , 邢宇婷 , 魏志义
IPC分类号： G01N21/64 , G02B21/00
摘要：波长，以适合不同的样品成像。本发明提供了自相位调制光谱选择驱动的显微镜系统，所述显微镜系统包括：飞秒激光前端模块、脉冲展宽放大模块、脉冲压缩模块、光谱展宽滤波模块和多光子显微镜模块。还提供了其方法及显微镜。本发明的基于自相位调制光谱选择驱动的显微镜系统可将1040nm的脉冲波长转换到1110nm，实现多光子激发荧光(MPEF)、二倍频(SHG)和三倍频(THG)信号的同时收集，即实现对多种生物组织成分的同步成像，并且转换效率高，可获得的能量大，可以得到的脉冲通过色散(56)对比文件赵丽娜.自适应光学瞳面滤波超分辨成像技术及其对视功能的影响研究《.中国博士学位论文全文数据库信息科技辑》.2018,(第10期),第I135-93页.Chen, RZ 等.Pre-chirp managed self-phase modulation for efficient generationof wavelength-tunable energeticfemtosecond pulses《.JOURNAL OF THEOPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICALPHYSICS》.2020,第37卷(第8期),第2388-2397页.

10. 发明授权

CN114252653B 超快成像装置及其方法有权
公开(公告)号：CN114252653B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202110012238.6
申请日：2021-01-06
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：李建奇 , 田焕芳 , 杨槐馨 , 李中文 , 朱春辉 , 郑丁国
IPC分类号： G01Q30/02
摘要：本发明提供了一种超快成像装置及其方法，超快成像装置包括：超快激光器，用于产生探测激光和泵浦激光，其中泵浦激光用于激发样品；场发射系统，其具有受探测激光激发生以成脉冲光电子或者受热发射热场电子的光阴极；以及照明系统、成像系统和探测器；还包括：第一拔出极，其具有第一电压的正电势，用于从光阴极分离出脉冲光电子；第二拔出极，其具有第二电压的正电势，用于驱动脉冲光电子向加速系统加速移动，并将其聚焦；加速系统用于将脉冲光电子加速到第三电压。本发明的装置和方法进一步提高了超快透射电镜的空间和时间分辨能力，并简化了光路调节复杂度。(56)对比文件Sascha Schafer.时间分辨透射电子显微镜:在纳米区域内观测超快过程《.光学与光电技术》.2017,第15卷(第1期),第1-8页.李中文.超快透射电子显微镜研发及纳米材料的结构动力学研究《.中国博士学位论文全文数据库工程科技Ⅰ辑》.2019,(第9期),第B020-75页.李全锋.超快与强磁场扫描隧道显微镜研制《.中国博士学位论文全文数据库工程科技Ⅱ辑》.2013,(第1期),第C030-4页.刘运全等.时间分辨电子显微镜的可行性研究《.物理》.2005,(第4期),第287-292页.张宁.内窥频域光学相干CT研究《.中国博士学位论文全文数据库信息科技辑》.2015,(第9期),第I138-49页.Chunhui Zhu 等.Development ofanalytical ultrafast transmissionelectron microscopy based on laser-drivenSchottky field emission.《Ultramicroscopy》.2020,第209卷第112887页.Armin Feist 等.Ultrafast transmissionelectron microscopy using a laser-drivenfield emitter: Femtosecond resolutionwith a high coherence electron beam.《Ultramicroscopy》.2017,第176卷第63-73页.A Arbouet 等.Chapter One - UltrafastTransmission Electron Microscopy:Historical Development, Instrumentation,and Applications《.Advances in Imaging andElectron Physics》.2018,第207卷第1-72页.

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