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一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法及装置
申请号 CN202410012332.5 申请日 2024-01-02 公开(公告)号 CN117907712A 公开(公告)日 2024-04-19
申请人 广东风华高新科技股份有限公司; 发明人 王波; 温铃彦; 刘远; 付振晓; 曹秀华; 宋子峰;
摘要 本 发明 涉及多层片式陶瓷电容器测试技术领域，尤其涉及一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法及装置，包括在每次测试轮次中，通过最优测试 电压 对预先选取的待测多层片式陶瓷电容器进行绝缘测试，获取当次测试的测试绝缘 电阻 ，并比较测试绝缘电阻和绝缘电阻 阈值 ，从待测多层片式陶瓷电容器中筛选出良品多层片式陶瓷电容器，对良品多层片式陶瓷电容器进行 热处理 ，得到下一测试轮次的待测多层片式陶瓷电容器，直至达到测试轮次，得到最后一次测试输出的良品多层片式陶瓷电容器。本发明通 过热 处理和多轮绝缘电阻测试实现对小型高容量MLCC测试筛选，有效筛除小型高容量MLCC中绝缘电阻不合格的产品，提高了产品的可靠性。
权利要求

1.一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：
将若干电镀后的多层片式陶瓷电容器作为待测多层片式陶瓷电容器，并确定测试轮次以及与各个测试轮次对应的最优测试电压；
在每次测试轮次中，通过最优测试电压对所述待测多层片式陶瓷电容器进行绝缘测试，获取当次测试的测试绝缘电阻，并将所述测试绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比较，从所述待测多层片式陶瓷电容器中筛选出良品多层片式陶瓷电容器，利用热处理最优测试条件对所述良品多层片式陶瓷电容器进行热处理，得到下一测试轮次中用于绝缘测试的待测多层片式陶瓷电容器，直至达到测试轮次；
将最后一次测试中输出的良品多层片式陶瓷电容器作为测试筛选结果。
2.如权利要求1所述的一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，其特征在于：所述测试轮次至少包括两个测试轮次。
3.如权利要求1所述的一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，其特征在于：若当次测试为首轮测试，则首轮测试的最优测试电压为待测多层片式陶瓷电容器额定电压的4～8倍。
4.如权利要求1所述的一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，其特征在于：若当次测试不为首轮测试，则当次测试的最优测试电压为上一测试轮次中最优测试电压的0.4～0.8倍。
5.如权利要求1所述的一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，其特征在于：所述热处理最优测试条件包括热处理最优测试温度和热处理最优测试时间；
所述热处理最优测试温度在90～150℃之间，所述热处理最优测试时间根据所述热处理最优测试温度确定。
6.如权利要求1所述的一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，其特征在于，绝缘电阻阈值根据预设时间常数和待测多层片式陶瓷电容器的电容量确定，所述绝缘电阻阈值的计算公式为：
式中，γ表示绝缘电阻阈值；C表示待测多层片式陶瓷电容器的电容量；α表示预设时间常数。
7.如权利要求1所述的一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，其特征在于：所述待测多层片式陶瓷电容器采用II类瓷的多层片式陶瓷电容器，陶瓷介质厚度在
0.5‑2μm之间。
8.如权利要求1所述的一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述测试筛选结果进行可靠性检验，并根据可靠性校验结果更新该批次多层片式陶瓷电容器在不同测试轮次中的最优测试电压和热处理最优测试条件。
9.如权利要求8所述的一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，其特征在于，所述对所述测试筛选结果进行可靠性检验的步骤包括：
将所述测试筛选结果划分为多个不同数量的良品分组；其中，每个良品分组对应一个可靠性检验方法，所述可靠性校验方法包括击穿电压检验方法、超声扫描探伤检验方法以及加速寿命检验方法；
采用不同的可靠性检验方法分别对所述良品分组进行不同测试条件下的可靠性检验，并记录对应的不良比例，得到可靠性校验结果；
根据所有所述不良比例重新确定该批次多层片式陶瓷电容器在不同测试轮次中的最优测试电压和热处理最优测试条件。
10.一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选装置，其特征在于，所述装置包括：
参数确定模块，用于将若干电镀后的多层片式陶瓷电容器作为待测多层片式陶瓷电容器，并确定测试轮次以及与各个测试轮次对应的最优测试电压；
良品测试筛选模块，用于在每次测试轮次中，通过最优测试电压对所述待测多层片式陶瓷电容器进行绝缘测试，获取当次测试的测试绝缘电阻，并将所述测试绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比较，从所述待测多层片式陶瓷电容器中筛选出良品多层片式陶瓷电容器，利用热处理最优测试条件对所述良品多层片式陶瓷电容器进行热处理，得到下一测试轮次中用于绝缘测试的待测多层片式陶瓷电容器，直至达到测试轮次；
筛选结果确定模块，用于将最后一次测试中输出的良品多层片式陶瓷电容器作为测试筛选结果。
说明书全文

一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法及装置

技术领域

[0001] 本发明涉及多层片式陶瓷电容器测试技术领域，尤其涉及一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法及装置。

背景技术

[0002] 多层片式陶瓷电容器(MLCC)是一种重要的电子元件，其功能是储存电荷(充电)和释放电荷(放电)，多层片式陶瓷电容器在电子设备中能够起到去耦、滤波和平滑电压的作用，广泛用于电子电器行业，为了确保其性能和质量，在MLCC生产完成后，厂商会使用专门的测试机对产品进行全面检测，剔除容量、损耗和绝缘电阻等关键指标不合格的产品，确保产品在消费者使用过程中的可靠性。
[0003] 一般情况下，测试机在测试产品的绝缘电阻时，通常会使用比额定电压高数倍或数十倍的电压来测试绝缘电阻，确保绝缘电阻不合格的不良品被有效筛除的同时，绝缘合格的良品也不会受到影响，然而，随着MLCC向着高容量和小尺寸的方向发展，测试电压越来越难以界定，仅在一次测试过程中同时满足筛除绝缘电阻不合格的不良品和不影响绝缘电阻正常的良品变得越来越困难，因此，对于小尺寸、高容量的MLCC来说，如何有效地进行测试和筛选成为了一个技术难题，亟需提供一种适用于小尺寸、高容量的多层片式陶瓷电容器测试筛选方法。

发明内容

[0004] 本发明提供了一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法及装置，解决的技术问题是，传统的MLCC绝缘电阻测试方法难以适应小尺寸、高容量的MLCC测试要求。
[0005] 为解决以上技术问题，本发明提供了一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法及装置。
[0006] 第一方面，本发明提供了一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，所述方法包括以下步骤：
[0007] 将若干电镀后的多层片式陶瓷电容器作为待测多层片式陶瓷电容器，并确定测试轮次以及与各个测试轮次对应的最优测试电压；
[0008] 在每次测试轮次中，通过最优测试电压对所述待测多层片式陶瓷电容器进行绝缘测试，获取当次测试的测试绝缘电阻，并将所述测试绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比较，从所述待测多层片式陶瓷电容器中筛选出良品多层片式陶瓷电容器，利用热处理最优测试条件对所述良品多层片式陶瓷电容器进行热处理，得到下一测试轮次中用于绝缘测试的待测多层片式陶瓷电容器，直至达到测试轮次；
[0009] 将最后一次测试中输出的良品多层片式陶瓷电容器作为测试筛选结果。
[0010] 在进一步的实施方案中，所述测试轮次至少包括两个测试轮次。
[0011] 在进一步的实施方案中，若当次测试为首轮测试，则首轮测试的最优测试电压为待测多层片式陶瓷电容器额定电压的4～8倍。
[0012] 在进一步的实施方案中，若当次测试不为首轮测试，则当次测试的最优测试电压为上一测试轮次中最优测试电压的0.4～0.8倍。
[0013] 在进一步的实施方案中，所述热处理最优测试条件包括热处理最优测试温度和热处理最优测试时间；
[0014] 所述热处理最优测试温度在90～150℃之间，所述热处理最优测试时间根据所述热处理最优测试温度确定。
[0015] 在进一步的实施方案中，绝缘电阻阈值根据预设时间常数和待测多层片式陶瓷电容器的电容量确定，所述绝缘电阻阈值的计算公式为：
[0016]
[0017] 式中，γ表示绝缘电阻阈值；C表示待测多层片式陶瓷电容器的电容量；α表示预设时间常数。
[0018] 在进一步的实施方案中，所述待测多层片式陶瓷电容器采用Ⅱ类瓷的多层片式陶瓷电容器，陶瓷介质厚度在0.5‑2μm之间。
[0019] 在进一步的实施方案中，所述方法还包括：对所述测试筛选结果进行可靠性检验，并根据可靠性校验结果更新该批次多层片式陶瓷电容器在不同测试轮次中的最优测试电压和热处理最优测试条件。
[0020] 在进一步的实施方案中，所述对所述测试筛选结果进行可靠性检验的步骤包括：
[0021] 将所述测试筛选结果划分为多个不同数量的良品分组；其中，每个良品分组对应一个可靠性检验方法，所述可靠性校验方法包括击穿电压检验方法、超声扫描探伤检验方法以及加速寿命检验方法；
[0022] 采用不同的可靠性检验方法分别对所述良品分组进行不同测试条件下的可靠性检验，并记录对应的不良比例，得到可靠性校验结果；
[0023] 根据所有所述不良比例重新确定该批次多层片式陶瓷电容器在不同测试轮次中的最优测试电压和热处理最优测试条件。
[0024] 第二方面，本发明提供了一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选装置，所述装置包括：
[0025] 参数确定模块，用于将若干电镀后的多层片式陶瓷电容器作为待测多层片式陶瓷电容器，并确定测试轮次以及与各个测试轮次对应的最优测试电压；
[0026] 良品测试筛选模块，用于在每次测试轮次中，通过最优测试电压对所述待测多层片式陶瓷电容器进行绝缘测试，获取当次测试的测试绝缘电阻，并将所述测试绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比较，从所述待测多层片式陶瓷电容器中筛选出良品多层片式陶瓷电容器，利用热处理最优测试条件对所述良品多层片式陶瓷电容器进行热处理，得到下一测试轮次中用于绝缘测试的待测多层片式陶瓷电容器，直至达到测试轮次；
[0027] 筛选结果确定模块，用于将最后一次测试中输出的良品多层片式陶瓷电容器作为测试筛选结果。
[0028] 本发明提供了一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法及装置，所述方法通过在每次测试轮次中，通过最优测试电压对待测多层片式陶瓷电容器进行绝缘测试，获取当次测试的测试绝缘电阻，并将测试绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比较，从待测多层片式陶瓷电容器中筛选出良品多层片式陶瓷电容器，利用热处理最优测试条件对良品多层片式陶瓷电容器进行热处理，得到下一测试轮次中用于绝缘测试的待测多层片式陶瓷电容器，直至达到测试轮次，得到最后一次测试中输出的良品多层片式陶瓷电容器。与现有一次测试筛选技术相比，该方法基于热处理和多次测试筛选技术，能够更准确地测量MLCC的绝缘电阻，更加有效地筛除出小型高容量MLCC中绝缘电阻不合格的产品且不影响绝缘电阻正常的良品，提高了测试的精确度，降低合格品中的不良品率，不仅可以提高电子设备的安全性和可靠性，而且有助于生产商节省大量时间和成本。附图说明
[0029] 图1是本发明实施例提供的小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法流程示意图；
[0030] 图2是本发明实施例提供的小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选装置框图；
[0031] 图3是本发明实施例提供的计算机设备的结构示意图。

具体实施方式

[0032] 下面结合附图具体阐明本发明的实施方式，实施例的给出仅仅是为了说明目的，并不能理解为对本发明的限定，包括附图仅供参考和说明使用，不构成对本发明专利保护范围的限制，因为在不脱离本发明精神和范围基础上，可以对本发明进行许多改变。
[0033] 参考图1，本发明实施例提供了一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，可应用于所有测试MLCC的产品，如图1所示，该方法包括以下步骤：
[0034] S1.将若干电镀后的多层片式陶瓷电容器作为待测多层片式陶瓷电容器，并确定测试轮次以及与各个测试轮次对应的最优测试电压。
[0035] 多层片式陶瓷电容器存在多种类型的MLCC产品，MLCC可分为I类瓷(低电容系列，顺电)和II类瓷(高电容系列，铁电学)这两种类型的产品，在本实施例中，所述待测多层片式陶瓷电容器采用II类瓷的多层片式陶瓷电容器，其产品尺寸在英制01005～0402之间，陶瓷介质厚度在0.5‑2μm之间，为了解决小型高容量多层片式陶瓷电容器仅在一次测试过程中同时满足筛除绝缘电阻不合格的不良品和不影响绝缘电阻正常的良品变得越来越困难的问题，本实施例设置所述测试轮次至少包括两个测试轮次，同时根据测试轮次判断当次测试(本轮测试)是否为首轮测试，若当次测试为首轮测试，则首轮测试的最优测试电压为待测多层片式陶瓷电容器额定电压的4～8倍；若当次测试不为首轮测试，则当次测试的最优测试电压为上一测试轮次中最优测试电压的0.4～0.8倍，测试电压可预先通过可靠性检验方法(击穿电压、超声探伤以及加速寿命)初步确定，本领域技术人员可根据具体实施情况设置具体的测试电压数值，本发明实施例不作限制。
[0036] S2.在每次测试轮次中，通过最优测试电压对所述待测多层片式陶瓷电容器进行绝缘测试，获取当次测试的测试绝缘电阻，并将所述测试绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比较，从所述待测多层片式陶瓷电容器中筛选出良品多层片式陶瓷电容器，利用热处理最优测试条件对所述良品多层片式陶瓷电容器进行热处理，得到下一测试轮次中用于绝缘测试的待测多层片式陶瓷电容器，直至达到测试轮次。
[0037] 在每一次测试过程中，本实施例在最优测试电压下对待测多层片式陶瓷电容器进行绝缘电阻测试，得到绝缘电阻，并将所述绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比对，若绝缘电阻高于绝缘电阻阈值，则判别该待测多层片式陶瓷电容器为良品；若绝缘电阻低于绝缘电阻阈值，则判别该待测多层片式陶瓷电容器为不良品，然后对本轮绝缘电阻测试后的良品多层片式陶瓷电容器在一定温度下，以预设热处理时间进行热处理，并在将热处理后的良品多层片式陶瓷电容器放置若干时间之后，使用测试机继续下一轮绝缘电阻测试，需要说明的是，在最后一轮测试中，只需将测试绝缘电阻与绝缘电阻阈值进行比较，从待测多层片式陶瓷电容器中筛选出良品多层片式陶瓷电容器即可，无需再对良品多层片式陶瓷电容器进行热处理步骤。
[0038] 其中，本实施例在对良品多层片式陶瓷电容器进行热处理时，采用所述热处理最优测试条件对本轮测试后的良品进行热处理，热处理最优测试条件包括热处理最优测试温度和热处理最优测试时间，为了保证产品测试的可靠性，本实施例设置所述热处理最优测试温度在90～150℃之间，所述热处理最优测试时间根据所述热处理最优测试温度确定，热处理最优测试时间可以设置为30分钟。
[0039] 在本实施例中，绝缘电阻阈值根据预设时间常数和待测多层片式陶瓷电容器的电容量确定，所述绝缘电阻阈值的计算公式为：
[0040]
[0041] 式中，γ表示绝缘电阻阈值；C表示待测多层片式陶瓷电容器的电容量；α表示预设时间常数，其中，预设时间常数优先设置为500MΩ·μF。
[0042] S3.将最后一次测试中输出的良品多层片式陶瓷电容器作为测试筛选结果。
[0043] 本实施例提出的一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法还包括：对所述测试筛选结果进行可靠性检验，并根据可靠性校验结果更新该批次多层片式陶瓷电容器在不同测试轮次中的最优测试电压和热处理最优测试条件，其中，所述对所述测试筛选结果进行可靠性检验的步骤包括：
[0044] 将所述测试筛选结果划分为多个不同数量的良品分组；其中，每个良品分组对应一个可靠性检验方法，所述可靠性校验方法包括击穿电压检验方法、超声扫描探伤检验方法以及加速寿命检验方法；
[0045] 采用不同的可靠性检验方法分别对所述良品分组进行不同测试条件下的可靠性检验，并记录对应的不良比例，得到可靠性校验结果；
[0046] 根据所有所述不良比例重新确定该批次多层片式陶瓷电容器在不同测试轮次中的最优测试电压和热处理最优测试条件。
[0047] 为了便于理解本发明实施例提出的小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，以下将以采用两个测试轮次进行绝缘测试进行示例说明，在该示例中，多层片式陶瓷电容器采用英制0201尺寸、X5R温度特性、10V额定电压(U0)、1μF容量的产品，多层片式陶瓷电容器测试筛选方法包括一次测试、热处理、二次测试和可靠性校验等步骤，具体过程为：
[0048] 选取若干电镀后的多层片式陶瓷电容器作为待测多层片式陶瓷电容器，并在一次测试的最优测试电压下对所述待测多层片式陶瓷电容器进行一次绝缘电阻测试，获取一次测试绝缘电阻，并将一次测试绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比较，从待测多层片式陶瓷电容器中筛选出一次测试的良品多层片式陶瓷电容器。
[0049] 对一次测试后的良品多层片式陶瓷电容器，在一定温度下对一次测试后的良品多层片式陶瓷电容器进行热处理30分钟，并将热处理后的良品多层片式陶瓷电容器放置24小时后，得到热处理陶瓷电容器，使用测试机进行二次测试，在二次测试的最优测试电压下对热处理陶瓷电容器进行二次绝缘电阻测试，获取二次测试绝缘电阻，将二次测试绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比较，从热处理陶瓷电容器中筛选出二次测试的良品多层片式陶瓷电容器，得到最终的测试筛选结果。
[0050] 本实施例在对待测多层片式陶瓷电容器进行二次测试之后，对二次测试后的良品多层片式陶瓷电容器进行可靠性(击穿电压、超声探伤以及加速寿命)检验，并根据上述无不良品时所对应的最低温度和最低电压确定更新最优测试电压和热处理最优测试条件，其中，击穿电压、超声探伤以及加速寿命校验过程为：
[0051] 击穿电压：本实施例选取100粒二次测试后的良品MLCC，并使用击穿电压测试仪进行击穿电压测试，记录击穿电压不良(击穿电压＜8U0)比例；
[0052] 超声探伤：本实施例选取1000粒二次测试后的良品MLCC，并使用超声波扫描显微镜检测，记录探伤不良比例；
[0053] 加速寿命：本实施例选取1000粒二次测试后的良品MLCC，并将1000粒二次测试后的良品MLCC置于额定上限温度的烘箱中，接通2倍U0的直流电源保持168小时，随后取出产品，在室温下静置24小时，使用绝缘电阻测试仪在额定电压下测试产品绝缘电阻，记录加速6
寿命(MLCC绝缘电阻＜1×10 Ω)不良比例，其中，U0为待测多层片式陶瓷电容器的额定电压，表1为MLCC测试工艺及可靠性检验结果，表1如下所示：
[0054] 表1
[0055]
[0056]
[0057] 由表1可知，在对比例1中，本实施例采用传统的一次测试工艺，并使用50V测试电压对产品进行绝缘电阻测试，可以看到，传统一次测试工艺筛选出的良品在不同的可靠性检验方法中表现出不同程度的不良，这表明仅采用一次测试筛选出的良品中仍存在一定的可靠性差的产品。
[0058] 而在实施例1～9中，本实施例采用提出的多次测试工艺，并使用50V测试电压对产品进行绝缘电阻测试，可以看到，随着热处理温度的升高，产品的不良比例逐渐降低，在二次绝缘电阻测试电压中，适中电压的不良比例最低，最优的二次测试条件在150℃和37.5V二次绝缘电阻测试电压下取得，产品无任何不良，相较于传统的一次测试工艺，本实施例提出的多轮测试工艺明显提高了产品的可靠性。
[0059] 本发明实施例提供了一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，所述方法在每次测试轮次中，通过最优测试电压对待测多层片式陶瓷电容器进行绝缘测试，获取当次测试的测试绝缘电阻，并将测试绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比较，从待测多层片式陶瓷电容器中筛选出良品多层片式陶瓷电容器，根据良品多层片式陶瓷电容器和热处理方法，得到下一测试轮次中用于绝缘测试的待测多层片式陶瓷电容器，直至达到测试轮次；将最后一次测试中输出的良品多层片式陶瓷电容器作为测试筛选结果。与传统一次测试工艺相比，本实施例提出的基于多轮测试和热处理方法的多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，能够更准确地识别不良品，避免漏检或误检的情况，有效地剔除多层片式陶瓷电容器中绝缘电阻不合格的不良品，实现快速、准确地筛选出不良品，降低合格品中的不良品率，这不仅可以提高测试精确度和生产效率，而且可以节省人工检测的成本和时间，满足现代电子设备对MLCC的质量和性能要求。
[0060] 需要说明的是，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
[0061] 在一个实施例中，如图2所示，本发明实施例提供了一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选装置，所述装置包括：
[0062] 参数确定模块101，用于将若干电镀后的多层片式陶瓷电容器作为待测多层片式陶瓷电容器，并确定测试轮次以及与各个测试轮次对应的最优测试电压；
[0063] 良品测试筛选模块102，用于在每次测试轮次中，通过最优测试电压对所述待测多层片式陶瓷电容器进行绝缘测试，获取当次测试的测试绝缘电阻，并将所述测试绝缘电阻与预设的绝缘电阻阈值进行比较，从所述待测多层片式陶瓷电容器中筛选出良品多层片式陶瓷电容器，利用热处理最优测试条件对所述良品多层片式陶瓷电容器进行热处理，得到下一测试轮次中用于绝缘测试的待测多层片式陶瓷电容器，直至达到测试轮次；
[0064] 筛选结果确定模块103，用于将最后一次测试中输出的良品多层片式陶瓷电容器作为测试筛选结果。
[0065] 关于一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选装置的具体限定可以参见上述对于一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法的限定，此处不再赘述。本领域普通技术人员可以意识到，结合本申请所公开的实施例描述的各个模块和步骤，能够以硬件、软件或者两者结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
[0066] 本发明实施例提供了一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选装置，所述装置通过参数确定模块确定测试轮次以及与各个测试轮次对应的最优测试电压；通过良品测试筛选模块对待测多层片式陶瓷电容器进行多轮绝缘测试筛选和热处理；通过筛选结果确定模块将最后一次测试中输出的良品多层片式陶瓷电容器作为测试筛选结果。与传统一次测试工艺相比，本申请提出的基于多轮测试和热处理方法的多层片式陶瓷电容器测试筛选方法，可以快速、准确地剔除多层片式陶瓷电容器中绝缘电阻不合格的不良品，提高了测试的精确度，降低了合格品中的不良品率，提高了后续电子设备的安全性和可靠性，具有高精准度和高可靠性等优点。
[0067] 图3是本发明实施例提供的一种计算机设备，包括存储器、处理器和收发器，它们之间通过总线连接；存储器用于存储一组计算机程序指令和数据，并可以将存储的数据传输给处理器，处理器可以执行存储器存储的程序指令，以执行上述方法的步骤。
[0068] 其中，存储器可以包括易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者；处理器可以是中央处理器、微处理器、特定应用集成电路、可编程逻辑器件或其组合。通过示例性但不是限制性说明，上述可编程逻辑器件可以是复杂可编程逻辑器件、现场可编程逻辑门阵列、通用阵列逻辑或其任意组合。
[0069] 另外，存储器可以是物理上独立的单元，也可以与处理器集成在一起。
[0070] 本领域普通技术人员可以理解，图3中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有相同的部件布置。
[0071] 在一个实施例中，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。
[0072] 本发明实施例提供的一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法及装置，其一种小型高容量多层片式陶瓷电容器测试筛选方法通过热处理技术和多轮测试能够更准确地筛选出小尺寸、高容量MLCC中绝缘电阻不合格的不良品，提高了测试的精确度，避免漏检或误检的情况，具有高精度、高可靠性和适用范围广等优点，满足目前电子设备对MLCC的质量和性能要求。
[0073] 在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线)或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，DVD)、或者半导体介质(例如SSD)等。
[0074] 本领域技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。
[0075] 以上所述实施例仅表达了本申请的几种优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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