1.一种石英晶体的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、晶棒选取：当待加工晶块加工成晶棒后，判断晶棒的质量是否合格，若合格，则将晶棒作为待加工晶棒，进而执行步骤二；
步骤二、晶片切割：将切割设备按照预设切割参数对待加工晶棒进行晶片切割，得到各加工晶片，进而将各加工晶片按照切片顺序依次进行编号，得到各加工晶片对应的编号；
步骤三、晶片选取：采集各加工晶片对应的实际切割参数和质量信息，从各加工晶片对应的实际切割参数中提取各加工晶片在各采集时间点对应的实际工作台上升速度、实际线速度，进而与预设切割参数进行对比，计算各加工晶片对应的切割符合系数，同时从各加工晶片对应的质量信息中提取各加工晶片对应的平整度、厚度、角度，计算各加工晶片对应的质量评估系数，同时根据各加工晶片对应的编号、切割符合系数、质量评估系数，选取各加工合格晶片；
所述计算各加工晶片对应的切割符合系数，具体计算过程如下：
从待加工晶棒的预设切割参数中提取预设工作台上升速度、预设线速度，进而依据计算公式 得到第i个加工晶片对应
的切割符合系数α1i，其中v0it、v1it分别表示第i个加工晶片在第t个采集时间点对应的实际工作台上升速度、实际线速度，v0、v1分别表示预设工作台上升速度、预设线速度，Δv0、Δv1分别为设定的许可工作台上升速度差、许可线速度差，ε1、ε2分别为设定的工作台上升速度、线速度差对应的权重因子，i表示各加工晶片对应的编号，i＝1,2......n，t表示各采集时间点对应的编号，t＝1,2......p，n，p均为大于2的任意整数；
所述各加工晶片对应的质量评估系数的计算公式为：
其中α2i表示第i个加工晶片对应的质量评
估系数，Zi、hi、θi分别表示第i个加工晶片对应的平整度、厚度、角度，Z、h、θ分别为晶片预设平整度、许可厚度、许可角度，γ1、γ2、γ3分别为设定的平整度、厚度、角度对应的权重因子；
所述选取各加工合格晶片，具体选取过程如下：
各加工晶片对应的切割符合系数和质量评估系数代入计算公式αi＝α1i*η1+α2i*η2中得到第i个加工晶片对应的综合评估系数αi，η1、η2分别为设定的切割符合系数、质量评估系数对应的权重因子；
将各加工晶片对应的综合评估系数与预设的综合评估系数进行对比，筛选出大于预设综合评估系数的各加工晶片，作为各目标晶片，同时获取各目标晶片对应的编号，进而将各目标晶片对应的编号与预设的参考编号区间进行对比，若某目标晶片对应的编号在预设的参考编号区间内，则将该目标晶片作为加工合格晶片，以此选取各加工合格晶片；
步骤四、晶片研磨：通过研磨设备对各加工合格晶片进行研磨，并在研磨后，采集各加工合格晶片对应的实际研磨参数，由此分析各加工合格晶片对应的研磨情况，并将研磨合格的各加工合格晶片记为各研磨合格晶片；
所述实际研磨参数包括各采集点对应的频率散差；
步骤五、晶片倒边：将倒边设备按照预设倒边参数对应各研磨合格晶片进行倒边加工，并在倒边过程中，采集各研磨合格晶片对应的实际倒边参数，同时在倒边加工后，采集各研磨合格晶片对应的倒边加工量，由此分析各研磨合格晶片对应的倒边情况，并将倒边合格的各研磨合格晶片记为各倒边合格晶片；
所述预设倒边参数包括预设倒边筒转速、预设温度；
所述实际倒边参数包括各监测时间点对应的实际倒边筒转速、实际温度；
所述分析各研磨合格晶片对应的倒边情况，具体分析过程如下：
将各研磨合格晶片对应的倒边加工量、各监测时间点对应的倒边筒转速、温度代入计算公式 中，得到第j个研
磨合格晶片对应的倒边评估系数 其中ΔFj表示第j个研磨合格晶片对应的倒边加工量，vjr、Tjr分别表示第j个研磨合格晶片在第r个监测时间点对应的实际倒边筒转速、实际温度， 分别为设定的倒边加工量、倒边筒转速、温度对应的权重因子，F、v、T分别表示预设倒边加工量、预设倒边筒转速、预设温度；
将各研磨合格晶片对应的倒边评估系数与预设的倒边评估系数阈值进行对比，若某研磨合格晶片对应的倒边评估系数大于或者等于预设的倒边评估系数阈值，则判定该研磨合格晶片对应的倒边合格，若研磨合格晶片对应的倒边评估系数小于预设的倒边评估系数阈值，则判定该研磨合格晶片对应的倒边不合格，以此方式判断各研磨合格晶片对应的倒边情况；
步骤六、晶片点胶：定位各倒边合格晶片对应点胶胶点位置中心，进而对各倒边合格晶片进行点胶，点胶完成后，结束晶片加工。
2.根据权利要求1所述的一种石英晶体的加工方法，其特征在于，所述分析各加工合格晶片对应的研磨情况，具体分析过程如下：
将各加工合格晶片中各采集点对应的频率散差与预设的频率散差阈值进行对比，若某加工合格晶片中各采集点对应的频率散差均小于或者等于预设的频率散差阈值，则判定该加工合格晶片对应的研磨合格，若某加工合格晶片中各采集点对应的频率散差均大于预设的频率散差阈值，则判定该加工合格晶片对应的研磨不合格，以此方式分析得到各加工合格晶片对应的研磨情况。
3.根据权利要求1所述的一种石英晶体的加工方法，其特征在于，所述定位各倒边合格晶片对应点胶胶点位置中心，具体过程如下：将各倒边合格晶片长边选择为z轴方向，短边为x轴方向，并且胶点的中心位置设置为和各倒边合格晶片中心x方向的连线夹角成52.5±
1°。