1.一种如下组成的R-Fe-B基烧结磁体，该组成基本上由12至17at％的R、0.1至3at％的M1、0.05至0.5at％的M2、4.8+2×m至5.9+2×mat％的B、至多10at％的Co、至多0.5at％的碳、至多1.5at％的氧、至多0.5at％的氮及余量的Fe构成，其中，R是钇和稀土元素中的至少两种且必须含有Nd和Pr，M1是选自Si、Al、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Pt、Au、Hg、Pb和Bi中的至少一种元素，M2是选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W中的至少一种元素，m表示M2的原子浓度；该磁体含有R2(Fe,(Co))14B金属间化合物作为主相，且在室温下具有至少10kOe的矫顽力，其中，
该磁体在晶界三相点含有M2硼化物相，但不含R1.1Fe4B4化合物相，该磁体具有由晶界相被覆主相的核/壳结构，该晶界相包含无定形和/或至多10nm的纳米晶的R-Fe(Co)-M1相，该R-Fe(Co)-M1相基本上由25至35at％的R、2至8at％的M1、至多8at％的Co及余量的Fe构成；或者该晶界相包含该R-Fe(Co)-M1相和R-M1相，该R-M1相为结晶的或至多10nm的纳米晶的且无定形的，该R-M1相具有至少50at％的R，其中，主相上的R-Fe(Co)-M1相的表面积被覆率为至少50％，且晶间晶界相的宽度为至少10nm和平均至少50nm。
2.如权利要求1所述的烧结磁体，其中，在该R-Fe(Co)-M1相中，M1由0.5至50at％的Si以及余量的选自Al、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Pt、Au、Hg、Pb和Bi中的至少一种元素构成。
3.如权利要求1所述的烧结磁体，其中，在该R-Fe(Co)-M1相中，M1由1.0至80at％的Ga以及余量的选自Si、Al、Mn、Ni、Cu、Zn、Ge、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Pt、Au、Hg、Pb和Bi中的至少一种元素构成。
4.如权利要求1所述的烧结磁体，其中，在该R-Fe(Co)-M1相中，M1由0.5至50at％的Al以及余量的选自Si、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Pt、Au、Hg、Pb和Bi中的至少一种元素构成。
5.如权利要求1所述的烧结磁体，其中，Dy、Tb和Ho的总含量是0至5.0at％。
6.一种用于制备权利要求1所述的R-Fe-B基烧结磁体的方法，该方法包括步骤：
将合金粉末成型为压坯，通过微粉碎合金来获得该合金粉末，该合金基本上由12至
17at％的R、0.1至3at％的M1、0.05至0.5at％的M2、4.8+2×m至5.9+2×m at％的B、至多
10at％的Co及余量的Fe构成，其中，R是钇和稀土元素中的至少两种且必须含有Nd和Pr，M1是选自Si、Al、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Pt、Au、Hg、Pb和Bi中的至少一种元素，M2是选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W中的至少一种元素，m表示M2的原子浓度；
在1,000至1,150℃的温度下烧结该压坯，
将烧结体冷却至400℃或更低的温度；
烧结后热处理，包括在700至1,100℃范围的温度下加热烧结体，该温度超过R-Fe(Co)-M1相的包晶温度，并以5至100℃/min的速率冷却至400℃或更低的温度；和
时效处理，包括将烧结体暴露在400至600℃范围的温度下，该温度低于R-Fe(Co)-M1相的包晶温度，由此在晶界形成R-Fe(Co)-M1相，并冷却至200℃或更低的温度。
7.一种用于制备权利要求1所述的R-Fe-B基烧结磁体的方法，该方法包括步骤：
将合金粉末成型为压坯，通过微粉碎合金来获得该合金粉末，该合金基本上由12至
17at％的R、0.1至3at％的M1、0.05至0.5at％的M2、4.8+2×m至5.9+2×m at％的B、至多
10at％的Co及余量的Fe构成，其中，R是钇和稀土元素中的至少两种且必须含有Nd和Pr，M1是选自Si、Al、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Pt、Au、Hg、Pb和Bi中的至少一种元素，M2是选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W中的至少一种元素，m表示M2的原子浓度；
在1,000至1,150℃的温度下烧结该压坯，
以5至100℃/min的速率将烧结体冷却至400℃或更低的温度，和
时效处理，包括将烧结体暴露在400至600℃范围的温度下，该温度低于R-Fe(Co)-M1相的包晶温度，由此在晶界形成R-Fe(Co)-M1相，并冷却至200℃或更低的温度。
8.如权利要求6所述的方法，其中该合金以0至5.0at％的总量含有Dy、Tb和Ho。