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一种可控硅脉冲触发控制方法及装置
申请号 CN202410014903.9 申请日 2024-01-03 公开(公告)号 CN117879571A 公开(公告)日 2024-04-12
申请人 胜业电气股份有限公司; 发明人 叶建波; 翁健洪;
摘要 本 发明 涉及 信号 处理领域，公开了一种可控 硅 脉冲触发控制方法及装置，该方法包括：采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数，信号触发部件包括可控硅；分析部件运行参数，得到与部件运行参数对应的参数分析结果；根据参数分析结果，判断信号触发部件是否满足预设的部件运行调控条件；当判断出信号触发部件满足部件运行调控条件时，根据预设的部件调控程序，对信号触发部件执行部件运行调整，得到信号触发部件对应的的运行调整结果。可见，实施本发明能够有利于提高触发信号的控制准确性，从而降低可控硅运行损耗。
权利要求

1.一种可控硅脉冲触发控制方法，其特征在于，所述方法包括：
采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数，所述信号触发部件包括可控硅；
分析所述部件运行参数，得到与所述部件运行参数对应的参数分析结果；
根据所述参数分析结果，判断所述信号触发部件是否满足预设的部件运行调控条件；
当判断出所述信号触发部件满足所述部件运行调控条件时，根据预设的部件调控程序，对所述信号触发部件执行部件运行调整，得到所述信号触发部件对应的的运行调整结果。
2.根据权利要求1所述的可控硅脉冲触发控制方法，其特征在于，所述部件运行参数运行电压、运行电流以及部件状态中的至少一种参数；
所述分析所述部件运行参数，得到与所述部件运行参数对应的参数分析结果，包括：
当所述部件运行参数包括所述运行电压和/或所述运行电流时，确定所述运行电压和/或所述运行电流为实时电参数；
对比预设的部件导通参数与所述实时电参数的差值，并将该二者之间的参数差值确定为与所述部件运行参数对应的参数分析结果；所述部件导通参数包括与所述运行电压对应的部件导通电压、与所述运行电流对应的部件导通电流；
当所述部件运行参数包括所述部件状态时，从预设的部件状态库中确定与所述部件状态匹配的目标状态，所述部件状态包括部件导通状态或部件非导通状态；
将所述目标状态添加至于所述部件运行参数对应的参数分析结果。
3.根据权利要求2所述的可控硅脉冲触发控制方法，其特征在于，所述部件运行调控条件包括第一条件、第二条件以及第三条件；其中，当所述部件运行调控条件满足该三个条件中的至少一个条件时，确定所述信号触发部件满足所述部件运行调控条件；
以及，所述信号触发部件满足所述部件运行调控条件具体包括：
当所述部件导通电压与所述运行电压之间的电压差大于电压阈值，且所述信号触发部件两端的电压为正向电压时，确定所述信号触发部件满足所述第一条件；
当所述部件导通电流与所述运行电流之间的电流差大于电流阈值时，确定所述信号触发部件满足所述第二条件；
当所述信号触发部件对应的部件状态为所述部件导通状态时，确定所述信号触发部件满足所述第三条件。
4.根据权利要求1‑3任一项所述的可控硅脉冲触发控制方法，其特征在于，所述采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数之前，所述方法还包括：
检测当前是否存在针对信号触发部件的部件调整需求，当检测到当前存在针对信号触发部件的部件调整需求时，根据所述部件调整需求，生成高逻辑直流信号；
通过设置的光电耦合器将所述高逻辑直流信号反向耦合至与强电端，得到所述强电端对应的反向耦合结果，所述反向耦合结果包括处于所述强电端的三极管从闭合状态切换至导通状态；
在确定得到所述反向耦合结果后，触发执行所述的采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数对应的步骤。
5.根据权利要求4所述的可控硅脉冲触发控制方法，其特征在于，所述根据预设的部件调控程序，对所述信号触发部件执行部件运行调整，得到所述信号触发部件对应的的运行调整结果，包括：
根据预设的部件调控程序，结合设置的信号输出要求，调整所述高逻辑直流信号，得到与所述高逻辑直流信号对应的目标脉冲信号；
将所述目标脉冲信号确定的该为与所述信号触发部件对应的运行调整结果；
其中，所述信号输出要求包括输出频率要求以及信号占空比要求。
6.根据权利要求5所述的可控硅脉冲触发控制方法，其特征在于，在得到所述运行调整结果之后，所述方法还包括：
采集在预设监控时段内针对所述信号触发部件的运行反馈数据；所述运行反馈数据包括与所述信号触发部件对应的部件电压差、所述信号触发部件所在电路对应的电流数值；
判断所述运行反馈数据是否表示针对所述信号触发部件的触发控制满足预设的触发控制性能要求；
当判断出所述运行反馈数据表示针对所述信号触发部件的触发控制满足所述触发控制性能要求时，记录所述运行反馈数据以及所述目标脉冲信号。
7.根据权利要求6所述的可控硅脉冲触发控制方法，其特征在于，当判断出所述运行反馈数据表示针对所述信号触发部件的触发控制不满足所述触发控制性能要求时，所述方法还包括：
根据所述触发控制性能要求，结合所述信号输出要求，生成针对所述信号触发部件的多组调整参数，每组所述调整参数包括与所述信号触发部件对应的一个信号输出频率以及一个信号占空比；
对每组所述调整参数执行参数实时运行调整，得到与每组所述调整参数对应的实时运行调整结果，并在确定所有所述实时运行调整结果表示存在某组所述调整参数针对所述信号触发部件的触发控制满足所述触发控制性能要求时，记录该组调整参数，并更新所述运行调整结果。
8.一种可控硅脉冲触发控制装置，其特征在于，所述装置包括：
采集模块，用于采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数，所述信号触发部件包括可控硅；
分析模块，用于分析所述部件运行参数，得到与所述部件运行参数对应的参数分析结果；
判断模块，用于根据所述参数分析结果，判断所述信号触发部件是否满足预设的部件运行调控条件；
运行调整模块，用于当判断出所述信号触发部件满足所述部件运行调控条件时，根据预设的部件调控程序，对所述信号触发部件执行部件运行调整，得到所述信号触发部件对应的的运行调整结果。
9.一种可控硅脉冲触发控制装置，其特征在于，所述装置包括：
存储有可执行程序代码的存储器；
与所述存储器耦合的处理器；
所述处理器调用所述存储器中存储的所述可执行程序代码，执行如权利要求1‑7任一项所述的可控硅脉冲触发控制方法。
10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令被调用时，用于执行如权利要求1‑7任一项所述的可控硅脉冲触发控制方法。
说明书全文

一种可控硅脉冲触发控制方法及装置

技术领域

[0001] 本发明涉及信号处理技术领域，尤其涉及一种可控硅脉冲触发控制方法及装置。

背景技术

[0002] 可控硅是作为无功补偿电容器投切的典型开关之一，其触发原理是在门级施加直流正偏电压，待可控硅满足阳极上加有正向电压的条件后，可控硅将会处于一直导通的状态。
[0003] 实际上，在可控硅触发导通后，门级控制信号的持续控制将变得无意义，而失去控制异议的驱动信号仍然产生损耗。在0.4KV等级的运行场合中，且在电网每个交流电周期内，可控硅阳极加上反向电压就会呈阻断状态，持续给控制信号也会产生损耗，但仍要在下个周期电压过零点前施加门级正偏电压。因此，提出一种间隙性触发的方案。但是，对于投入无功补偿电容器而言，由于其电流呈现相位偏移，偏移量与电容器容量和损耗角相关，且会导致电路的电压过零点检测误差较大，造成投入该电容器时会出现较大的涌流。可见，提供一种提高触发信号的控制准确性，从而降低可控硅运行损耗的方法显得尤为重要。

发明内容

[0004] 本发明所要解决的技术问题在于，提供一种可控硅脉冲触发控制方法及装置，能够有利于提高触发信号的控制准确性，从而降低可控硅运行损耗。
[0005] 为了解决上述技术问题，本发明第一方面公开了一种可控硅脉冲触发控制方法，所述方法包括：
[0006] 采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数，所述信号触发部件包括可控硅；
[0007] 分析所述部件运行参数，得到与所述部件运行参数对应的参数分析结果；
[0008] 根据所述参数分析结果，判断所述信号触发部件是否满足预设的部件运行调控条件；
[0009] 当判断出所述信号触发部件满足所述部件运行调控条件时，根据预设的部件调控程序，对所述信号触发部件执行部件运行调整，得到所述信号触发部件对应的的运行调整结果。
[0010] 作为一种可选的实施方式，在本发明第一方面中，所述部件运行参数运行电压、运行电流以及部件状态中的至少一种参数；
[0011] 所述分析所述部件运行参数，得到与所述部件运行参数对应的参数分析结果，包括：
[0012] 当所述部件运行参数包括所述运行电压和/或所述运行电流时，确定所述运行电压和/或所述运行电流为实时电参数；
[0013] 对比预设的部件导通参数与所述实时电参数的差值，并将该二者之间的参数差值确定为与所述部件运行参数对应的参数分析结果；所述部件导通参数包括与所述运行电压对应的部件导通电压、与所述运行电流对应的部件导通电流；
[0014] 当所述部件运行参数包括所述部件状态时，从预设的部件状态库中确定与所述部件状态匹配的目标状态，所述部件状态包括部件导通状态或部件非导通状态；
[0015] 将所述目标状态添加至于所述部件运行参数对应的参数分析结果。
[0016] 作为一种可选的实施方式，在本发明第一方面中，所述部件运行调控条件包括第一条件、第二条件以及第三条件；其中，当所述部件运行调控条件满足该三个条件中的至少一个条件时，确定所述信号触发部件满足所述部件运行调控条件；
[0017] 以及，所述信号触发部件满足所述部件运行调控条件具体包括：
[0018] 当所述部件导通电压与所述运行电压之间的电压差大于电压阈值，且所述信号触发部件两端的电压为正向电压时，确定所述信号触发部件满足所述第一条件；
[0019] 当所述部件导通电流与所述运行电流之间的电流差大于电流阈值时，确定所述信号触发部件满足所述第二条件；
[0020] 当所述信号触发部件对应的部件状态为所述部件导通状态时，确定所述信号触发部件满足所述第三条件。
[0021] 作为一种可选的实施方式，在本发明第一方面中，所述采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数之前，所述方法还包括：
[0022] 检测当前是否存在针对信号触发部件的部件调整需求，当检测到当前存在针对信号触发部件的部件调整需求时，根据所述部件调整需求，生成高逻辑直流信号；
[0023] 通过设置的光电耦合器将所述高逻辑直流信号反向耦合至与强电端，得到所述强电端对应的反向耦合结果，所述反向耦合结果包括处于所述强电端的三极管从闭合状态切换至导通状态；
[0024] 在确定得到所述反向耦合结果后，触发执行所述的采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数对应的步骤。
[0025] 作为一种可选的实施方式，在本发明第一方面中，所述根据预设的部件调控程序，对所述信号触发部件执行部件运行调整，得到所述信号触发部件对应的的运行调整结果，包括：
[0026] 根据预设的部件调控程序，结合设置的信号输出要求，调整所述高逻辑直流信号，得到与所述高逻辑直流信号对应的目标脉冲信号；
[0027] 将所述目标脉冲信号确定的该为与所述信号触发部件对应的运行调整结果；
[0028] 其中，所述信号输出要求包括输出频率要求以及信号占空比要求。
[0029] 作为一种可选的实施方式，在本发明第一方面中，在得到所述运行调整结果之后，所述方法还包括：
[0030] 采集在预设监控时段内针对所述信号触发部件的运行反馈数据；所述运行反馈数据包括与所述信号触发部件对应的部件电压差、所述信号触发部件所在电路对应的电流数值；
[0031] 判断所述运行反馈数据是否表示针对所述信号触发部件的触发控制满足预设的触发控制性能要求；
[0032] 当判断出所述运行反馈数据表示针对所述信号触发部件的触发控制满足所述触发控制性能要求时，记录所述运行反馈数据以及所述目标脉冲信号。
[0033] 作为一种可选的实施方式，在本发明第一方面中，当判断出所述运行反馈数据表示针对所述信号触发部件的触发控制不满足所述触发控制性能要求时，所述方法还包括：
[0034] 根据所述触发控制性能要求。所述信号输出要求，生成针对所述信号触发部件的多组调整参数，每组所述调整参数包括与所述信号触发部件对应的一个信号输出频率以及一个信号占空比；
[0035] 对每组所述调整参数执行参数实时运行调整，得到与每组所述调整参数对应的实时运行调整结果，并在确定所有所述实时运行调整结果表示存在某组所述调整参数针对所述信号触发部件的触发控制满足所述触发控制性能要求时，记录该组调整参数，并更新所述运行调整结果。
[0036] 本发明第二方面公开了一种可控硅脉冲触发控制装置，所述装置包括：
[0037] 采集模块，用于采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数，所述信号触发部件包括可控硅；
[0038] 分析模块，用于分析所述部件运行参数，得到与所述部件运行参数对应的参数分析结果；
[0039] 判断模块，用于根据所述参数分析结果，判断所述信号触发部件是否满足预设的部件运行调控条件；
[0040] 运行调整模块，用于当判断出所述信号触发部件满足所述部件运行调控条件时，根据预设的部件调控程序，对所述信号触发部件执行部件运行调整，得到所述信号触发部件对应的的运行调整结果。
[0041] 作为一种可选的实施方式，在本发明第二方面中，所述部件运行参数运行电压、运行电流以及部件状态中的至少一种参数；
[0042] 所述分析模块分析所述部件运行参数，得到与所述部件运行参数对应的参数分析结果的方式具体包括：
[0043] 当所述部件运行参数包括所述运行电压和/或所述运行电流时，确定所述运行电压和/或所述运行电流为实时电参数；
[0044] 对比预设的部件导通参数与所述实时电参数的差值，并将该二者之间的参数差值确定为与所述部件运行参数对应的参数分析结果；所述部件导通参数包括与所述运行电压对应的部件导通电压、与所述运行电流对应的部件导通电流；
[0045] 当所述部件运行参数包括所述部件状态时，从预设的部件状态库中确定与所述部件状态匹配的目标状态，所述部件状态包括部件导通状态或部件非导通状态；
[0046] 将所述目标状态添加至于所述部件运行参数对应的参数分析结果。
[0047] 作为一种可选的实施方式，在本发明第二方面中，所述部件运行调控条件包括第一条件、第二条件以及第三条件；其中，当所述部件运行调控条件满足该三个条件中的至少一个条件时，确定所述信号触发部件满足所述部件运行调控条件；
[0048] 以及，所述信号触发部件满足所述部件运行调控条件具体包括：
[0049] 当所述部件导通电压与所述运行电压之间的电压差大于电压阈值，且所述信号触发部件两端的电压为正向电压时，确定所述信号触发部件满足所述第一条件；
[0050] 当所述部件导通电流与所述运行电流之间的电流差大于电流阈值时，确定所述信号触发部件满足所述第二条件；
[0051] 当所述信号触发部件对应的部件状态为所述部件导通状态时，确定所述信号触发部件满足所述第三条件。
[0052] 作为一种可选的实施方式，在本发明第二方面中，所述装置还包括：
[0053] 检测模块，用于在所述采集模块采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数之前，检测当前是否存在针对信号触发部件的部件调整需求；
[0054] 生成模块，用于当检测到当前存在针对信号触发部件的部件调整需求时，根据所述部件调整需求，生成高逻辑直流信号；
[0055] 耦合模块，用于通过设置的光电耦合器将所述高逻辑直流信号反向耦合至与强电端，得到所述强电端对应的反向耦合结果，所述反向耦合结果包括处于所述强电端的三极管从闭合状态切换至导通状态；在确定得到所述反向耦合结果后，触发执行所述的采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数对应的步骤。
[0056] 作为一种可选的实施方式，在本发明第二方面中，所述运行调整模块根据预设的部件调控程序，对所述信号触发部件执行部件运行调整，得到所述信号触发部件对应的的运行调整结果的方式具体包括：
[0057] 根据预设的部件调控程序，结合设置的信号输出要求，调整所述高逻辑直流信号，得到与所述高逻辑直流信号对应的目标脉冲信号；
[0058] 将所述目标脉冲信号确定的该为与所述信号触发部件对应的运行调整结果；
[0059] 其中，所述信号输出要求包括输出频率要求以及信号占空比要求。
[0060] 作为一种可选的实施方式，在本发明第二方面中，所述采集模块，还用于在得到所述运行调整结果之后，采集在预设监控时段内针对所述信号触发部件的运行反馈数据；所述运行反馈数据包括与所述信号触发部件对应的部件电压差、所述信号触发部件所在电路对应的电流数值；
[0061] 所述判断模块，还用于判断所述运行反馈数据是否表示针对所述信号触发部件的触发控制满足预设的触发控制性能要求；
[0062] 所述装置还包括：
[0063] 记录模块，用于当判断出所述运行反馈数据表示针对所述信号触发部件的触发控制满足所述触发控制性能要求时，记录所述运行反馈数据以及所述目标脉冲信号。
[0064] 作为一种可选的实施方式，在本发明第二方面中，所述生成模块，还用于当判断出所述运行反馈数据表示针对所述信号触发部件的触发控制不满足所述触发控制性能要求时，根据所述触发控制性能要求，结合所述信号输出要求，生成针对所述信号触发部件的多组调整参数，每组所述调整参数包括与所述信号触发部件对应的一个信号输出频率以及一个信号占空比；
[0065] 所述运行调整模块，还用于对每组所述调整参数执行参数实时运行调整，得到与每组所述调整参数对应的实时运行调整结果；
[0066] 所述记录模块，还用于在确定所有所述实时运行调整结果表示存在某组所述调整参数针对所述信号触发部件的触发控制满足所述触发控制性能要求时，记录该组调整参数，并更新所述运行调整结果。
[0067] 本发明第三方面公开了另一种可控硅脉冲触发控制装置，所述装置包括：
[0068] 存储有可执行程序代码的存储器；
[0069] 与所述存储器耦合的处理器；
[0070] 所述处理器调用所述存储器中存储的所述可执行程序代码，执行本发明第一方面公开的可控硅脉冲触发控制方法。
[0071] 本发明第四方面公开了一种计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令被调用时，用于执行本发明第一方面公开的可控硅脉冲触发控制方法。
[0072] 与现有技术相比，本发明实施例具有以下有益效果：
[0073] 本发明实施例中，提供了一种可控硅脉冲触发控制方法，该方法包括：采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数，信号触发部件包括可控硅；分析部件运行参数，得到与部件运行参数对应的参数分析结果；根据参数分析结果，判断信号触发部件是否满足预设的部件运行调控条件；当判断出信号触发部件满足部件运行调控条件时，根据预设的部件调控程序，对信号触发部件执行部件运行调整，得到信号触发部件对应的的运行调整结果。可见，实施本发明设置了针对信号触发部件的部件监控机制，能够对该部件的部件运行参数进行自动采集、分析，并在确定参数分析结果表示信号触发部件满足预设的部件运行调控条件时，自动按照部件调控流程对该部件进行运行调整，有利于提高针对部件的运行监控实时性以及进行部件运行调整的调整及时性与准确性。附图说明
[0074] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0075] 图1是本发明实施例公开的一种可控硅脉冲触发控制方法的流程示意图；
[0076] 图2是本发明实施例公开的另一种可控硅脉冲触发控制方法的流程示意图；
[0077] 图3是本发明实施例公开的一种可控硅脉冲触发控制装置的结构示意图；
[0078] 图4是本发明实施例公开的另一种可控硅脉冲触发控制装置的结构示意图；
[0079] 图5是本发明实施例公开的又一种可控硅脉冲触发控制装置的结构示意图；
[0080] 图6是本发明实施例公开的另一种可控硅脉冲触发控制装置的结构示意图。

具体实施方式

[0081] 为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0082] 本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、装置、产品或端没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或端固有的其他步骤或单元。
[0083] 在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0084] 本发明公开了一种可控硅脉冲触发控制方法及装置，设置了针对信号触发部件的部件监控机制，能够对该部件的部件运行参数进行自动采集、分析，并在确定参数分析结果表示信号触发部件满足预设的部件运行调控条件时，自动按照部件调控流程对该部件进行运行调整，有利于提高针对部件的运行监控实时性以及进行部件运行调整的调整及时性与准确性。以下分别进行详细说明。
[0085] 实施例一
[0086] 请参阅图1，图1是本发明实施例公开的一种可控硅脉冲触发控制方法的流程示意图。其中，图1所描述的可控硅脉冲触发控制方法可以应用于可控硅脉冲触发控制装置中，本发明实施例不做限定。如图1所示，该可控硅脉冲触发控制方法可以包括以下操作：
[0087] 101、采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数，信号触发部件包括可控硅。
[0088] 102、分析部件运行参数，得到与部件运行参数对应的参数分析结果。
[0089] 本发明实施例中，部件运行参数运行电压、运行电流以及部件状态中的至少一种参数；
[0090] 本发明实施例中，步骤102分析部件运行参数，得到与部件运行参数对应的参数分析结果的方式具体包括：
[0091] 当部件运行参数包括运行电压和/或运行电流时，确定运行电压和/或运行电流为实时电参数；
[0092] 对比预设的部件导通参数与实时电参数的差值，并将该二者之间的参数差值确定为与部件运行参数对应的参数分析结果；部件导通参数包括与运行电压对应的部件导通电压、与运行电流对应的部件导通电流；
[0093] 当部件运行参数包括部件状态时，从预设的部件状态库中确定与部件状态匹配的目标状态，部件状态包括部件导通状态或部件非导通状态；
[0094] 将目标状态添加至于部件运行参数对应的参数分析结果。
[0095] 本发明实施例中，具体的，设置了部件导通电压、部件导通电流以及部件导通状态三个参数作为分析的基准，通过将其与实际运行采集到的针对部件运行参数进行差值计算，或是状态确定，从而得到所需的参数分析结果，有利于提高该确定出的参数分析结果的准确度与颗粒度。
[0096] 103、根据参数分析结果，判断信号触发部件是否满足预设的部件运行调控条件。
[0097] 104、当判断出信号触发部件满足部件运行调控条件时，根据预设的部件调控程序，对信号触发部件执行部件运行调整，得到信号触发部件对应的的运行调整结果。
[0098] 可见，实施图1所描述的可控硅脉冲触发控制方法，设置了针对信号触发部件的部件监控机制，能够对该部件的部件运行参数进行自动采集、分析，并在确定参数分析结果表示信号触发部件满足预设的部件运行调控条件时，自动按照部件调控流程对该部件进行运行调整，有利于提高针对部件的运行监控实时性以及进行部件运行调整的调整及时性与准确性。
[0099] 在一个可选的实施例中，本发明实施例中，部件运行调控条件包括第一条件、第二条件以及第三条件；其中，当部件运行调控条件满足该三个条件中的至少一个条件时，确定信号触发部件满足部件运行调控条件；
[0100] 以及，信号触发部件满足部件运行调控条件具体包括：
[0101] 当部件导通电压与运行电压之间的电压差大于电压阈值，且信号触发部件两端的电压为正向电压时，确定信号触发部件满足第一条件；
[0102] 当部件导通电流与运行电流之间的电流差大于电流阈值时，确定信号触发部件满足第二条件；
[0103] 当信号触发部件对应的部件状态为部件导通状态时，确定信号触发部件满足第三条件。
[0104] 可见，在该可选的实施例中，设置了针对信号触发部件的三个判断条件，有利于提高该判断信号触发部件是否满足部件运行调控条件的条件判断严密性与准确性。
[0105] 在该可选的实施例中，设置第一条件和/或第二条件，与第三条件互为审核条件，具体的，当确定出满足第一条件和/或第二条件时，判断信号触发部件是否满足第三判断条件；
[0106] 当判断出信号触发部件未满足该第三判断条件时，生成针对信号触发部件的导通报错信息，该到导通报错信息用于指示信号触发部件确定满足第一条件和/或第二条件的情况下，未指示该信号触发部件满足第三判断条件；
[0107] 可选的，当确定出满足第三判断条件时，判断信号触发部件是否满足第一条件或第二条件；
[0108] 当判断出信号触发部件不满足该第一条件或第二条件时，生成针对信号触发部件的导通报错信息以及电参数异常信息，该电参数异常信息用于指示信号触发部件确定满足第三条件，但却指示不满足第一条件或第二条件。
[0109] 可见，在该可选的实施例中，将该第一条件和/或第二条件，与第三条件互为审核条件，进一步提高了该部件运行调控条件的设置严密性与准确性。
[0110] 在另一个可选的实施例中，上述步骤101采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数之前，该方法还包括：
[0111] 检测当前是否存在针对信号触发部件的部件调整需求，当检测到当前存在针对信号触发部件的部件调整需求时，根据部件调整需求，生成高逻辑直流信号；
[0112] 通过设置的光电耦合器将高逻辑直流信号反向耦合至与强电端，得到强电端对应的反向耦合结果，反向耦合结果包括处于强电端的三极管从闭合状态切换至导通状态；
[0113] 在确定得到反向耦合结果后，触发执行上述的采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数对应的步骤。
[0114] 可见，在该可选的实施例中，在响应该检测到的部件调整需求之后，能够及时进行部件运行参数的调整，提高了信号触发部件进行调整后的部件监控时效性，有利于提高整体电路的适用性。
[0115] 在又一个可选的实施例中，上述步骤104根据预设的部件调控程序，对信号触发部件执行部件运行调整，得到信号触发部件对应的的运行调整结果的方式具体包括：
[0116] 根据预设的部件调控程序，结合设置的信号输出要求，调整高逻辑直流信号，得到与高逻辑直流信号对应的目标脉冲信号；
[0117] 将目标脉冲信号确定的该为与信号触发部件对应的运行调整结果；
[0118] 其中，信号输出要求包括输出频率要求以及信号占空比要求。
[0119] 在该可选的实施例中，该符合信号输出要求的目标脉冲信号具体可以是频率为30KHz以上、占空比为0.5的脉冲电压信号。
[0120] 可见，在该可选的实施例中，在响应该部件调整需求之后，初始使用高逻辑的直流信号驱动该信号触发部件；进而转用该目标脉冲信号驱动信号触发部件，以达到省能且投入过程更平滑的目的。
[0121] 在另一个可选的实施例中，请参阅图6，图6是本发明实施例公开的另一种可控硅脉冲触发控制装置的结构示意图，如图6所示，U1为微控制芯片、Q1为三极管、GPIO为输入输出接口、SCR1对应本发明实施例中提及的信号触发部件，也即可控硅，为了便于理解，以下从软件以及硬件两个层面对图6所示装置的应用原理进行说明：
[0122] 其中，在硬件层面，当检测到针对SCR1可控硅的导通控制指令(上述的部件调整需求)之后，微处理器U1输出高逻辑直流信号，通过高速光电耦合器将信号反相耦合到强电端，使三极管导通，从而放大门级信号的驱动电流，增强驱动功率。当微处理器U1输出低逻辑直流信号，相反地使三极管截止，撤除了门级的驱动信号。
[0123] 在软件层面，微处理器U1检测到可控硅电压过零点前，输出高逻辑直流信号，使可控硅在电压过零点处触发导通。在确定可控硅触发导通后，微处理器将原高逻辑直流信号改变成频率为100KHz、占空比为0.5的脉冲电压信号。极限情况下，下个过零点最长有5us延时触发导通，导致可控硅的压差值始终小于导通压降，不会引发主电路的浪涌冲击。同时，考虑到脉冲电压信号对开关元器件(光耦、三极管)也会造成开关损耗，本发明实施例可让可控硅门级驱动损耗至少降低至0.6倍左右。
[0124] 可见，实施图6所示的另一种可控硅脉冲触发控制装置，可控硅触发使用直流驱动与脉冲驱动信号结合。需投入无功补偿电容器时刻，在电压过零点前，对门级施加直流正偏电压；在电压过零点可控硅触发导通后，在电容器运行期间，对门级持续施加频率为30KHz以上、占空比为0.5的脉冲电压信号。该使用直流电压和脉冲电压驱动信号结合驱动可控硅，可以以达到省能且投入过程更平滑的效果。
[0125] 实施例二
[0126] 请参阅图2，图2是本发明实施例公开的另一种可控硅脉冲触发控制方法的流程示意图。其中，图2所描述的可控硅脉冲触发控制方法可以应用于可控硅脉冲触发控制装置中，本发明实施例不做限定。如图2所示，该可控硅脉冲触发控制方法可以包括以下操作：
[0127] 201、采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数，信号触发部件包括可控硅。
[0128] 202、分析部件运行参数，得到与部件运行参数对应的参数分析结果。
[0129] 本发明实施例中，部件运行参数运行电压、运行电流以及部件状态中的至少一种参数。
[0130] 203、根据参数分析结果，判断信号触发部件是否满足预设的部件运行调控条件。
[0131] 204、当判断出信号触发部件满足部件运行调控条件时，根据预设的部件调控程序，对信号触发部件执行部件运行调整，得到信号触发部件对应的的运行调整结果。
[0132] 本发明实施例中，针对步骤201‑步骤204的其他描述请参阅实施例一中针对步骤101‑步骤104的其他具体描述，本发明实施例不再赘述。
[0133] 205、采集在预设监控时段内针对信号触发部件的运行反馈数据。
[0134] 本发明实施例中，运行反馈数据包括与信号触发部件对应的部件电压差、信号触发部件所在电路对应的电流数值。
[0135] 206、判断运行反馈数据是否表示针对信号触发部件的触发控制满足预设的触发控制性能要求。
[0136] 207、当判断出运行反馈数据表示针对信号触发部件的触发控制满足触发控制性能要求时，记录运行反馈数据以及目标脉冲信号。
[0137] 可见，实施图2所描述的可控硅脉冲触发控制方法，设置了针对信号触发部件的调整监控机制，能够对信号触发部件执行部件运行调整之后的运行反馈数据进行智能化采集，并以设置的触发控制性能要求为基准进行分析，若是确定满足该触发控制性能要求，则自动记录对应的运行反馈数据与目标脉冲信号，提高了整体控制方法的适用性。
[0138] 在一个可选的实施例中，当判断出运行反馈数据表示针对信号触发部件的触发控制不满足触发控制性能要求时，该方法还包括：
[0139] 根据触发控制性能要求，结合信号输出要求，生成针对信号触发部件的多组调整参数，每组调整参数包括与信号触发部件对应的一个信号输出频率以及一个信号占空比；
[0140] 对每组调整参数执行参数实时运行调整，得到与每组调整参数对应的实时运行调整结果，并在确定所有实时运行调整结果表示存在某组调整参数针对信号触发部件的触发控制满足触发控制性能要求时，记录该组调整参数，并更新运行调整结果。
[0141] 可见，在该可选的实施例中，针对该运行反馈数据表示针对信号触发部件的触发控制不满足触发控制性能要求的情况，同样设置了多组调整参数的生成方案以及针对该多组调整参数的测试方案，进一步提高最终确定出的调整参数的准确性与可靠性，以及提高整体控制方法的适用性。
[0142] 在该可选的实施例中，上述对每组调整参数执行参数实时运行调整，得到与每组调整参数对应的实时运行调整结果之前，该方法还包括：
[0143] 更新针对信号触发部件执行该参数实时运行调整对应的调整次数，判断该调整次数是否高于预设可调次数，当判断出该调整次数低于等于预设可调次数，触发执行上述的对每组调整参数执行参数实时运行调整，得到与每组调整参数对应的实时运行调整结果；并在每执行一次该参数实时运行调整之后，更新该调整次数；
[0144] 当判断出该调整次数高于预设可调次数，且最新的实时运行调整结果表示针对信号触发部件的触发控制不满足触发控制性能要求，根据该调整参数，前置调整的所有组调整参数，生成针对该信号触发部件的参数调试日志，该参数调试日志用于反馈至负责该参数调试日志的处理人员，以说明该信号触发部件不满足触发控制性能要求。
[0145] 可见，在该可选的实施例中，设置了调整次数的更新与管理机制，限制了针对所有生成的调整参数的调试次数，减少因无限/重复调整该调整参数，导致调试资源浪费的情况发生；同时有利于提高基于该调试次数的参数实时运行操作的操作准确性与可靠性。
[0146] 实施例三
[0147] 请参阅图3，图3是本发明实施例公开的一种可控硅脉冲触发控制装置的结构示意图。其中，该可控硅脉冲触发控制装置可以是可控硅脉冲触发控制终端、设备、系统或者服务器，服务器可以是本地服务器，也可以是远端服务器，还可以是云服务器(又称云端服务器)，当服务器为非云服务器时，该非云服务器能够与云服务器进行通信连接，本发明实施例不做限定。如图3所示，该可控硅脉冲触发控制装置可以包括采集模块301、分析模块302、判断模块303以及运行调整模块304，其中：
[0148] 采集模块301，用于采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数，信号触发部件包括可控硅。
[0149] 分析模块302，用于分析部件运行参数，得到与部件运行参数对应的参数分析结果；
[0150] 本发明实施例中，部件运行参数运行电压、运行电流以及部件状态中的至少一种参数；
[0151] 分析模块302分析部件运行参数，得到与部件运行参数对应的参数分析结果的方式具体包括：
[0152] 当部件运行参数包括运行电压和/或运行电流时，确定运行电压和/或运行电流为实时电参数；
[0153] 对比预设的部件导通参数与实时电参数的差值，并将该二者之间的参数差值确定为与部件运行参数对应的参数分析结果；部件导通参数包括与运行电压对应的部件导通电压、与运行电流对应的部件导通电流；
[0154] 当部件运行参数包括部件状态时，从预设的部件状态库中确定与部件状态匹配的目标状态，部件状态包括部件导通状态或部件非导通状态；
[0155] 将目标状态添加至于部件运行参数对应的参数分析结果。
[0156] 判断模块303，用于根据参数分析结果，判断信号触发部件是否满足预设的部件运行调控条件；
[0157] 运行调整模块304，用于当判断出信号触发部件满足部件运行调控条件时，根据预设的部件调控程序，对信号触发部件执行部件运行调整，得到信号触发部件对应的的运行调整结果。
[0158] 可见，实施图3所描述的可控硅脉冲触发控制装置，设置了针对信号触发部件的部件监控机制，能够对该部件的部件运行参数进行自动采集、分析，并在确定参数分析结果表示信号触发部件满足预设的部件运行调控条件时，自动按照部件调控流程对该部件进行运行调整，有利于提高针对部件的运行监控实时性以及进行部件运行调整的调整及时性与准确性。
[0159] 在一个可选的实施例中，部件运行调控条件包括第一条件、第二条件以及第三条件；其中，当部件运行调控条件满足该三个条件中的至少一个条件时，确定信号触发部件满足部件运行调控条件；
[0160] 以及，信号触发部件满足部件运行调控条件具体包括：
[0161] 当部件导通电压与运行电压之间的电压差大于电压阈值，且信号触发部件两端的电压为正向电压时，确定信号触发部件满足第一条件；
[0162] 当部件导通电流与运行电流之间的电流差大于电流阈值时，确定信号触发部件满足第二条件；
[0163] 当信号触发部件对应的部件状态为部件导通状态时，确定信号触发部件满足第三条件。
[0164] 可见，在该可选的实施例中，设置了针对信号触发部件的三个判断条件，有利于提高该判断信号触发部件是否满足部件运行调控条件的条件判断严密性与准确性。
[0165] 在另一个可选的实施例中，该装置还包括检测模块305、生成模块306，其中：
[0166] 检测模块305，用于在采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数之前，检测当前是否存在针对信号触发部件的部件调整需求；
[0167] 生成模块306，用于当检测到当前存在针对信号触发部件的部件调整需求时，根据部件调整需求，生成高逻辑直流信号；
[0168] 耦合模块307，用于通过设置的光电耦合器将高逻辑直流信号反向耦合至与强电端，得到强电端对应的反向耦合结果，反向耦合结果包括处于强电端的三极管从闭合状态切换至导通状态；在确定得到反向耦合结果后，触发执行上述的采集待管控的信号触发部件对应的部件运行参数对应的步骤。
[0169] 可见，在该可选的实施例中，在响应该检测到的部件调整需求之后，能够及时进行部件运行参数的调整，提高了信号触发部件进行调整后的部件监控时效性，有利于提高整体电路的适用性。
[0170] 在又一个可选的实施例中，运行调整模块304根据预设的部件调控程序，对信号触发部件执行部件运行调整，得到信号触发部件对应的的运行调整结果的方式具体包括：
[0171] 根据预设的部件调控程序，结合设置的信号输出要求，调整高逻辑直流信号，得到与高逻辑直流信号对应的目标脉冲信号；
[0172] 将目标脉冲信号确定的该为与信号触发部件对应的运行调整结果；
[0173] 其中，信号输出要求包括输出频率要求以及信号占空比要求。
[0174] 可见，在该可选的实施例中，在响应该部件调整需求之后，初始使用高逻辑的直流信号驱动该信号触发部件；进而转用该目标脉冲信号驱动信号触发部件，以达到省能且投入过程更平滑的目的。
[0175] 在另一个可选的实施例中，采集模块301，还用于在得到运行调整结果之后，采集在预设监控时段内针对信号触发部件的运行反馈数据；运行反馈数据包括与信号触发部件对应的部件电压差、信号触发部件所在电路对应的电流数值；
[0176] 判断模块303，还用于判断运行反馈数据是否表示针对信号触发部件的触发控制满足预设的触发控制性能要求；
[0177] 如图4所示，该装置还包括记录模块308，其中：
[0178] 记录模块308，用于当判断出运行反馈数据表示针对信号触发部件的触发控制满足触发控制性能要求时，记录运行反馈数据以及目标脉冲信号。
[0179] 可见，在该可选的实施例中，设置了针对信号触发部件的调整监控机制，能够对信号触发部件执行部件运行调整之后的运行反馈数据进行智能化采集，并以设置的触发控制性能要求为基准进行分析，若是确定满足该触发控制性能要求，则自动记录对应的运行反馈数据与目标脉冲信号，提高了整体控制方法的适用性。
[0180] 在又一个可选的实施例中，生成模块306，还用于当判断出运行反馈数据表示针对信号触发部件的触发控制不满足触发控制性能要求时，根据触发控制性能要求，结合信号输出要求，生成针对信号触发部件的多组调整参数，每组调整参数包括与信号触发部件对应的一个信号输出频率以及一个信号占空比；
[0181] 运行调整模块304，还用于对每组调整参数执行参数实时运行调整，得到与每组调整参数对应的实时运行调整结果；
[0182] 记录模块308，还用于在确定所有实时运行调整结果表示存在某组调整参数针对信号触发部件的触发控制满足触发控制性能要求时，记录该组调整参数，并更新运行调整结果。
[0183] 可见，在该可选的实施例中，针对该运行反馈数据表示针对信号触发部件的触发控制不满足触发控制性能要求的情况，同样设置了多组调整参数的生成方案以及针对该多组调整参数的测试方案，进一步提高最终确定出的调整参数的准确性与可靠性，以及提高整体控制方法的适用性。
[0184] 实施例四
[0185] 请参阅图5，图5是本发明实施例公开的又一种可控硅脉冲触发控制装置的结构示意图。如图5所示，该可控硅脉冲触发控制装置可以包括：
[0186] 存储有可执行程序代码的存储器401；
[0187] 与存储器401耦合的处理器402；
[0188] 处理器402调用存储器401中存储的可执行程序代码，执行本发明实施例一或本发明实施例二所描述的可控硅脉冲触发控制方法中的步骤。
[0189] 实施例五
[0190] 本发明实施例公开了一种计算机存储介质，该计算机存储介质存储有计算机指令，该计算机指令被调用时，用于执行本发明实施例一或本发明实施例二所描述的可控硅脉冲触发控制方法中的步骤。
[0191] 实施例六
[0192] 本发明实施例公开了一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括存储了计算机程序的非瞬时性计算机存储介质，且该计算机程序可操作来使计算机执行实施例一或实施例二中所描述的可控硅脉冲触发控制方法中的步骤。
[0193] 以上所描述的装置实施例仅是示意性的，其中作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
[0194] 通过以上的实施例的具体描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机存储介质中,存储介质包括只读存储器(Read‑Only Memory，ROM)、随机存储器(Random Access  Memory，RAM)、可编程只读存储器(Programmable Read‑only Memory，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only  Memory，EPROM)、一次可编程只读存储器(One‑time Programmable  Read‑Only  Memory，OTPROM)、电子抹除式可复写只读存储器(Electrically‑Erasable Programmable Read‑Only Memory，EEPROM)、只读光盘(Compact Disc Read‑Only Memory，CD‑ROM)或其他光盘存储器、磁盘存储器、磁带存储器、或者能够用于携带或存储数据的计算机可读的任何其他介质。
[0195] 最后应说明的是：本发明实施例公开的一种可控硅脉冲触发控制方法及装置所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，仅用于说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解；其依然可以对前述各项实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应的技术方案的本质脱离本发明各项实施例技术方案的精神和范围。

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