该申请人涉及专利文献：7551，涉及专利：4217件
覆盖主要的IPC大类包括：H01(2718)、G11(420)、H03(274)、H10(243)、G01(227)、G06(223)、G03(155)、G05(95)、B81(88)、H02(76)
专利类型分布状况：发明公开(4189)、实用新型(21)、发明申请(7)
专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(2096)、实质审查(1057)、无效专利(1006)、公开(35)、失效专利(21)
该领域主要的发明人有：杨光军(294)、李昊(152)、戴若凡(129)、刘张李(111)、陈宏(107)、钱文生(106)、胡剑(93)、颜树范(93)、张振兴(87)、王雷(86)
详细地址：中国 上海市 浦东新区 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路 1399号 201203
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明公开 | 闪存的测试结构、版图及其制作方法 | CN120612970A |
| 发明公开 | NORD闪存耐久性拖尾位的筛选方法 | CN120600087A |
| 发明公开 | 晶背净盾方法 | CN120565404A |
| 发明公开 | 传输电路结构 | CN120544637A |
| 发明公开 | 测试分立器件击穿电压时防烧针的方法 | CN120539555A |
| 发明公开 | 改善栅氧化层形貌的方法 | CN120475756A |
| 发明公开 | 半导体结构及其形成方法、芯片 | CN120475723A |
| 发明公开 | 一种芯片失效测试方法 | CN120472968A |
| 发明公开 | 屏蔽栅MOSFET的结构及工艺方法 | CN120456576A |
| 发明授权 | 一种有效分辨闪存真假数据保留性失效的测试方法 | CN116110480B |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 7555 |
| 2 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司(CN) | 3 |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 杨光军 | 294 |
| 2 | 李昊 | 152 |
| 3 | 戴若凡 | 129 |
| 4 | 刘张李 | 111 |
| 5 | 陈宏 | 107 |
| 6 | 钱文生 | 106 |
| 7 | 胡剑 | 93 |
| 8 | 颜树范 | 93 |
| 9 | 张振兴 | 87 |
| 10 | 王雷 | 86 |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 3994 |
| 2 | 上海思微知识产权代理事务所 | 2207 |
| 3 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 1000 |
| 4 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 222 |
| 5 | 上海信好专利代理事务所 | 105 |
| 6 | 北京市金杜律师事务所 | 2 |
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 丁纪铁 | 1123 |
| 2 | 郭四华 | 1023 |
| 3 | 屈蘅 | 771 |
| 4 | 戴广志 | 601 |
| 5 | 郑玮 | 588 |
| 6 | 骆苏华 | 579 |
| 7 | 曹廷廷 | 380 |
| 8 | 周耀君 | 359 |
| 9 | 吴敏 | 326 |
| 10 | 刘昌荣 | 244 |
