基本信息:
- 专利标题： 晶背净盾方法
- 申请号：CN202510707768.0 申请日：2025-05-29
- 公开(公告)号：CN120565404A 公开(公告)日：2025-08-29
- 发明人： 蔡超迁 , 卓红标 , 袁宿陵 , 刘春玲
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 焦健
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H10D64/01
摘要：
本发明公开了一种晶背净盾方法，包含：在晶圆正面形成介质层及栅极材料层；对栅极材料层进行正面扩散掺杂；对晶圆进行湿法清洗工艺；去除晶圆背面的栅极材料层及介质层。本发明将生长的介质层和栅极多晶硅层时所寄生形成的晶背膜层保留至正面的栅极材料层扩散掺杂后，使得晶背得到保护，不会被扩散掺杂过程中的粒子沾污，提升产品力；后续工艺中相关号机不会被晶背沾污，提升号机作业稳定性及生产效率；实现方法简单高效，无需增加额外工艺。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |