上海宏力半导体制造有限公司|专利百科

该申请人涉及专利文献：8961，涉及专利：5497件

覆盖主要的IPC大类包括：H01(3639)、G11(596)、G01(338)、H03(306)、G06(251)、G03(211)、G05(133)、H02(130)、H10(101)、B81(99)

专利类型分布状况：发明公开(5463)、实用新型(34)

专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(2863)、无效专利(1560)、实质审查(888)、失效专利(121)、公开(63)

该领域主要的发明人有：杨光军(461)、胡剑(148)、李昊(144)、黎坡(123)、戴若凡(110)、曹子贵(105)、刘张李(104)、陈宏(102)、钱文生(100)、张振兴(80)

详细地址：中国上海市浦东新区上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路 818号 201203

专利类型	专利名称	文献号
发明授权	低压淀积氧化硅工艺方法	CN102011105B
发明授权	共享字线的无触点分栅式闪存制造方法	CN101789399B
发明公开	利用等离子体控制特征尺寸的半导体结构及其制造方法	CN103579075A
发明公开	一种多批次连续运行的方法	CN103579058A
发明公开	在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法	CN103531456A
发明公开	三维AMRMEMS三轴磁力计结构以及磁力计	CN103528575A
发明公开	参考单元的擦除方法	CN103456362A
发明公开	低功耗MOS器件栅极刻蚀方法及低功耗MOS器件制造方法	CN103441073A
发明公开	晶圆级气密性的测试结构及测试方法	CN103434998A
发明公开	提高整合被动器件电感器Q值的方法	CN103426729A
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