基本信息:
- 专利标题： 包含电容器的集成电路装置及制造方法
- 专利标题（英）：Integrated circuit arrangement with capacitor and fabrication method
- 申请号：CN200810100510.0 申请日：2003-10-10
- 公开(公告)号：CN101286517A 公开(公告)日：2008-10-15
- 发明人： R·布雷德洛 , J·哈特维奇 , C·帕查 , W·雷斯纳 , T·舒尔滋
- 申请人： 因芬尼昂技术股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
- 当前专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 卢江; 王小衡
- 优先权： 10248722.7 2002.10.18 DE
- 分案原申请号： 2003801015413
- 主分类号： H01L27/12
- IPC分类号： H01L27/12 ; H01L27/06 ; H01L27/108 ; H01L27/115 ; H01L21/84 ; H01L21/822 ; H01L21/8242 ; H01L21/8247
摘要：
本发明提供一集成电路装置(120)的详细说明以及其它细节，所述的集成电路装置包含一晶体管(122)，最好为一所谓的FinFET，以及一电容器(124)。所述的电容器(124)的底部电极于一SOI基板上与所述的晶体管(122)的一沟道区域设置在一起。所述的电路装置(120)可以简单的制造而且具有显著的电子特性。
摘要（英）：
Disclosed is an integrated circuit arrangement (120), among others, comprising a transistor (122), preferably a FinFET, and a capacitor (124). The lower electrode of the capacitor (124) is disposed within an SOl substrate along with a channel section of the transistor (122). The inventive circuit arrangement (120) is easy to produce and has excellent electronic properties.
公开/授权文献:
- CN101286517B 包含电容器的集成电路装置及制造方法 公开/授权日：2011-04-27