基本信息:
- 专利标题： 一种用于放电等离子体极紫外光刻光源的介质及其应用系统
- 专利标题（英）：Medium for discharge plasma extreme ultraviolet lithography light source and application system thereof
- 申请号：CN201210026159.1 申请日：2012-02-07
- 公开(公告)号：CN102543630B 公开(公告)日：2015-04-22
- 发明人： 赵永蓬 , 徐强 , 王骐
- 申请人： 哈尔滨工业大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构： 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理人： 韩末洙
- 主分类号： H01J17/20
- IPC分类号： H01J17/20 ; H01J17/04 ; G03F7/20
摘要：
一种用于放电等离子体极紫外光刻光源的介质及其应用系统，它涉及放电等离子体光源的介质及其应用系统。本发明要解决现有放电等离子体EUV光源采用Xe介质导致其辐射光功率过低和稳定性差以及现有放电等离子体EUV光源系统不能调控不同气体流量的问题。本发明的介质是体积流量比为(0.2～2)∶(1～20)∶(1～20)的Xe气、He气和Ar气的混合气，其应用系统由Xe气瓶、He气瓶、Ar气瓶、Xe气气体流量计、He气气体流量计、Ar气气体流量计、毛细管、电极和高压脉冲电源组成。本发明将13.5nm辐射光输出功率提高2％，同时提高了气体击穿性能和辐射光输出功率稳定性。本发明用于放电等离子体极紫外光刻光源。
公开/授权文献:
- CN102543630A 一种用于放电等离子体极紫外光刻光源的介质及其应用系统 公开/授权日：2012-07-04