基本信息:
- 专利标题： 多路静电释放保护器件的加工方法
- 专利标题（英）：Processing method for multi-way electrostatic discharge protection device
- 申请号：CN201210590494.4 申请日：2012-12-30
- 公开(公告)号：CN103021894B 公开(公告)日：2015-07-08
- 发明人： 黄冕
- 申请人： 深圳中科系统集成技术有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区高新技术园中区深圳软件园4号楼601A号房
- 专利权人： 深圳中科系统集成技术有限公司
- 当前专利权人： 深圳中科系统集成技术有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市南山区高新技术园中区深圳软件园4号楼601A号房
- 代理机构： 深圳市深佳知识产权代理事务所
- 代理人： 唐华明
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60
摘要：
本发明实施例公开了多路ESD保护器件的加工方法。一种多路ESD保护器件的加工方法包括在第一基材上加工出N个盲孔，第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层；在N个盲孔内填充导电物质；在第二导电层上进行图形加工；在第一导电层上进行图形加工和/或在第一导电层上加工出贯穿至第一绝缘层的盲槽，在第一导电层上设置第一树脂层；在第一树脂层上设置保护层；在保护层上加工出贯穿至第一绝缘层的N-1个盲孔；在N-1个盲孔内填充浆料；将保护层从第一树脂层上剥离；在第一树脂层上设置保护上体。本发明实施例方案有利于降低ESD保护器件的制作成本、提高ESD保护器件的安全性。
公开/授权文献:
- CN103021894A 多路静电释放保护器件的加工方法 公开/授权日：2013-04-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |