基本信息:
- 专利标题： 一种单分子磁体的制备方法
- 申请号：CN201310152894.1 申请日：2013-04-27
- 公开(公告)号：CN103219148B 公开(公告)日：2015-08-19
- 发明人： 高婷 , 杨宇 , 闫鹏飞 , 李光明 , 朱婧
- 申请人： 黑龙江大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
- 专利权人： 黑龙江大学
- 当前专利权人： 黑龙江大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
- 代理机构： 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理人： 韩末洙
- 主分类号： H01F41/02
- IPC分类号： H01F41/02 ; C07F19/00
摘要：
一种单分子磁体的制备方法，本发明涉及单分子磁体的制备方法。本发明要解决目前的合成方法产率较低，配合物的合成方法复杂的问题。方法：一、制备混合溶液；二、制备预制体；三、合成。本发明产率高，单分子磁体的合成方法简单，重复性强。本发明用于制备单分子磁体。
公开/授权文献:
- CN103219148A 一种单分子磁体的制备方法 公开/授权日：2013-07-24
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01F | 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择 |
| ------H01F41/00 | 专用于制造或装配包含在本小类的装置的设备或方法 |
| --------H01F41/02 | .用于制造磁芯、线圈或磁体的 |