基本信息:
- 专利标题： 一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法
- 申请号：CN201310323481.5 申请日：2013-07-29
- 公开(公告)号：CN104347401B 公开(公告)日：2017-05-10
- 发明人： 邓小社 , 芮强 , 张硕 , 王根毅
- 申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 专利权人： 无锡华润上华半导体有限公司
- 当前专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 代理机构： 无锡互维知识产权代理有限公司
- 代理人： 庞聪雅; 茅泉美
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331 ; H01L21/265
摘要：
本发明公开了一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在所述半导体衬底的第一主面形成第二导电类型的场终止层；在所述场终止层上生长氧化层；去除所述场终止层上的氧化层；在去除所述氧化层后的所述场终止层上形成外延层；在所述外延层上继续制造所述绝缘栅双极性晶体管。本发明在常规制作绝缘栅双极性晶体管之前尽可能降低外延前衬底材料的表面缺陷，增加外延层质量进而提高整个绝缘栅双极性晶体管的质量。
公开/授权文献:
- CN104347401A 一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法 公开/授权日：2015-02-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/33 | .....包括3个或更多电极的器件 |
| ------------------H01L21/331 | ......晶体管 |