基本信息:
- 专利标题： 一种增强反常霍尔效应的方法
- 专利标题（英）：Method for strengthening abnormal hall effect
- 申请号：CN201610053351.8 申请日：2016-01-26
- 公开(公告)号：CN105552216A 公开(公告)日：2016-05-04
- 发明人： 韩芍娜 , 邢玮玮 , 黄海松 , 赵艳伟 , 赵娜
- 申请人： 河南理工大学万方科技学院
- 申请人地址： 河南省郑州市郑州新区职教园区前程北路8号(郑州校区)
- 专利权人： 河南理工大学万方科技学院
- 当前专利权人： 郑州工商学院
- 当前专利权人地址： 河南省郑州市郑州新区职教园区前程北路8号(郑州校区)
- 代理机构： 郑州优盾知识产权代理有限公司
- 代理人： 孙诗雨; 董晓慧
- 主分类号： H01L43/14
- IPC分类号： H01L43/14 ; H01L43/06
The invention provides a method for strengthening an abnormal hall effect. The strength of a normal hall effect and an abnormal hall effect can be controlled by regulating and controlling a voltage. The method is carried out by the following steps: (1) preparing an electrode on a substrate by a pulsed laser deposition method; (2) preparing a ferroelectric film on an electrode layer; (3) plating the ferroelectric film with two cross-shaped Pt films; (4) welding Ag at six endpoints of Pt or welding silver paste points at the endpoints of the Pt; and (5) measuring the hall effect. The Pt is deposited on an insulated magnetic material, so that the conductivity and the magnetism can be measured and represented; and the strength of the normal hall effect and the abnormal hall effect can be directly regulated and controlled through an external electric field.
公开/授权文献:
- CN105552216B 一种增强反常霍尔效应的方法 公开/授权日：2018-02-02
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/12 | .专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| ----------H01L43/14 | ..用于霍尔效应器件的 |