基本信息:
- 专利标题： 半导体器件的制备方法
- 申请号：CN201510102667.7 申请日：2015-03-09
- 公开(公告)号：CN106033744B 公开(公告)日：2019-12-10
- 发明人： 李伟 , 郝龙 , 金炎 , 王德进
- 申请人： 无锡华润上华科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 代理机构： 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 邓云鹏
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234
A preparation method for a semiconductor device, comprising: (S110) providing a semiconductor substrate; (S120) preparing a first gate oxide and a second gate oxide; (S130) preparing a first polysilicon gate on the surface of the first gate oxide, and preparing a second polysilicon gate on the surface of the second gate oxide; (S140) synchronously etching the first gate oxide and the second gate oxide by adopting the first polysilicon gate and the second polysilicon gate as masks; and (S150) separately forming a side wall structure at two sides of each of the first polysilicon gate and the second polysilicon gate, injecting source/drain electrode ions into a source/drain region of each of a high-voltage device and a low-voltage device to form a source/drain electrode lead-out region.
公开/授权文献:
- CN106033744A 半导体器件的制备方法 公开/授权日：2016-10-19
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |