基本信息:
- 专利标题： 一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法
- 申请号：CN201910776876.8 申请日：2019-08-22
- 公开(公告)号：CN110600470B 公开(公告)日：2021-10-22
- 发明人： 田朋飞 , 闫春辉 , 林润泽 , 方志来 , 张国旗
- 申请人： 深圳第三代半导体研究院
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
- 专利权人： 深圳第三代半导体研究院
- 当前专利权人： 纳微朗科技（深圳）有限公司
- 当前专利权人地址： 518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409
- 代理机构： 北京华创智道知识产权代理事务所
- 代理人： 彭随丽
- 主分类号： H01L27/06
- IPC分类号： H01L27/06 ; H01L29/20 ; H01L29/778 ; H01S5/34 ; H01S5/343
摘要：
本发明提供一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法，包括：S1：在GaN基激光器衬底层上制备GaN基激光器、在第一衬底上制备第一AlGaN/GaN HEMT外延片；S2：通过干法刻蚀的方式顺序刻蚀获得激光器台面结构、AlGaN/GaN HEMT转移区、及AlGaN/GaN HEMT台面结构；S3：通过湿法刻蚀的方式去除所述第一AlGaN/GaN HEMT外延片的第一衬底，获得第二AlGaN/GaN HEMT外延片；S4：将所述第二AlGaN/GaN HEMT外延片转移至第二衬底，获得第三AlGaN/GaN HEMT外延片；S5：通过粘附材料键合第三AlGaN/GaN HEMT外延片与GaN基激光器；S6：制备钝化层及电极。本发明避免原有制备方法的隔离性差、安全性低的技术问题，实现了器件系统安全性高、耐高频、耐高压、易批量生产的技术效果。
公开/授权文献:
- CN110600470A 一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法 公开/授权日：2019-12-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |