基本信息:
- 专利标题： 一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法
- 申请号：CN201911138331.0 申请日：2019-11-20
- 公开(公告)号：CN110620330B 公开(公告)日：2021-11-02
- 发明人： 张成 , 梁栋 , 霍轶杰
- 申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市武进高新区凤翔路7号金沙江光电产业园办公楼五楼
- 专利权人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
- 当前专利权人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省常州市武进高新区凤翔路7号金沙江光电产业园办公楼五楼
- 代理机构： 北京华创智道知识产权代理事务所
- 代理人： 彭随丽
- 主分类号： H01S5/068
- IPC分类号： H01S5/068
摘要：
本发明提供了一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法，通过执行该方法，能够使得相对于传统的VCSEL阵列，在不需要设置漫射器等光学元件的条件下即可很容易地实现均匀的平顶远场，从而在良好满足TOF测量，以及实现一个VCSEL芯片可控的出现多种远场形状，以使用于不同的应用场景等需要的同时，显著降低了阵列及相应的模组成本，并具有了现有技术中所不具备的诸多有益效果。
公开/授权文献:
- CN110620330A 一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法 公开/授权日：2019-12-27