基本信息:
- 专利标题： 一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法
- 申请号：CN202010485681.0 申请日：2020-06-01
- 公开(公告)号：CN111624236B 公开(公告)日：2023-12-26
- 发明人： 黄辉 , 渠波 , 尚瑞晨 , 赵丹娜 , 王梦圆 , 李志瑞 , 蔡伟成
- 申请人： 黄辉 , 渠波 , 尚瑞晨
- 申请人地址： 辽宁省大连市高新区凌工路2号创新园大厦A1226室; ;
- 专利权人： 黄辉,渠波,尚瑞晨
- 当前专利权人： 黄辉,渠波,尚瑞晨
- 当前专利权人地址： 辽宁省大连市高新区凌工路2号创新园大厦A1226室; ;
- 代理机构： 北京金之桥知识产权代理有限公司
- 代理人： 朱黎光; 李托弟
- 主分类号： G01N27/12
- IPC分类号： G01N27/12
摘要：
本发明涉及一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法。该半导体薄膜气体传感器包括衬底、以及设置于所述衬底第一表面的半导体薄膜；所述半导体薄膜表面设置有电极；所述半导体薄膜的上方设置有用于照射所述半导体薄膜的光源；或，所述半导体薄膜底部设置有用于照射所述半导体薄膜的光源；或，所述衬底的第二表面设置有用于照射所述半导体薄膜的光源，所述衬底第一表面和所述衬底第二表面相对设置。本发明通过设置光源照射半导体薄膜，可以提高灵敏度，从而避免了高温加热，功耗更低、更为稳定，其可以检测氧气和甲烷，而现有SnO2纳米颗粒传感器对空气氛围中的氧气灵敏度很差。
公开/授权文献:
- CN111624236A 一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法 公开/授权日：2020-09-04
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01N | 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 |
| ------G01N27/00 | 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料 |
| --------G01N27/02 | .通过测试阻抗 |
| ----------G01N27/04 | ..通过测试电阻 |
| ------------G01N27/12 | ...与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻 |