基本信息:
- 专利标题： 具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法
- 专利标题（英）：Realizing method of semiconductor lightwave and photoelectronic device with non-parallel cavities structure
- 申请号：CN99109808.0 申请日：1999-07-14
- 公开(公告)号：CN1118877C 公开(公告)日：2003-08-20
- 发明人： 任晓敏 , 黄永清 , 刘凯
- 申请人： 北京邮电大学
- 申请人地址： 北京市海淀区西土城路10号66号信箱
- 专利权人： 北京邮电大学
- 当前专利权人： 北京邮电大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区西土城路10号66号信箱
- 代理机构： 北京奥瑞专利事务所
- 代理人： 朱黎光
- 主分类号： H01L27/144
- IPC分类号： H01L27/144 ; H01S5/00 ; G02B6/42
摘要：
本发明涉及一种光电子器件和其实现方法，特别涉及一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件和其实现方法。本发明其特征在于半导体光波与光电子器件内部的两个半导体分器件的相邻表面之间形成一个θ角，其中0°＜θ＜90°。本发明所提出的非平行腔半导体光波与光电子器件结构将成为半导体器件实现的一种新的基本结构，其作用就如同光元件中的光栅与棱镜结构或电路系统中的电容与电感一样，势必将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而久远的影响。
公开/授权文献:
- CN1241053A 具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件及实现方法 公开/授权日：2000-01-12