基本信息:
- 专利标题： 衬底加工方法、外延用衬底及半导体发光元件及制造方法
- 申请号：CN202010668211.8 申请日：2020-07-13
- 公开(公告)号：CN111933758B 公开(公告)日：2023-07-18
- 发明人： 李瑞评 , 曾柏翔 , 张佳浩 , 陈铭欣 , 曾建尧
- 申请人： 福建晶安光电有限公司
- 申请人地址： 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 专利权人： 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人： 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 代理机构： 北京汉之知识产权代理事务所
- 代理人： 高园园
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/02 ; H01L33/12
摘要：
本发明提供一种衬底加工方法、外延用衬底及半导体发光元件及其制造方法，本发明的方法中，自晶棒切割得到衬底之后，在衬底背面镀膜，形成衬底增强膜，例如在蓝宝石衬底的衬底背面沉积金刚石薄膜，该金刚石薄膜形成蓝宝石衬底的衬底增强膜。由于金刚石的硬度大于蓝宝石衬底的硬度，因此能够通过该金刚石薄膜增强蓝宝石衬底的强度，在满足强度需求的前提下，就可以适当减小衬底的厚度，同时降低衬底加工的成本。另外，金刚石薄膜的导热性优于衬底的导热性，因此在衬底背面沉积金刚石薄膜增加了衬底的导热性，使得衬底在用于外延层生长的过程中，提供温度的均匀性，减少热应力的产生，大幅度提高外延层的质量。由此能够提高后期器件的良率。
公开/授权文献:
- CN111933758A 衬底加工方法、外延用衬底及半导体发光元件及制造方法 公开/授权日：2020-11-13