
基本信息:
- 专利标题: 硅基储锂材料及其制备方法
- 申请号:CN202080001969.4 申请日:2020-09-11
- 公开(公告)号:CN112219295B 公开(公告)日:2022-11-22
- 发明人: 马飞 , 刘冬冬 , 吴志红 , 李凤凤
- 申请人: 上海杉杉科技有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金海路3158号
- 专利权人: 上海杉杉科技有限公司
- 当前专利权人: 上海杉杉科技有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金海路3158号
- 代理机构: 北京市一法律师事务所
- 代理人: 刘荣娟
- 国际申请: PCT/CN2020/114849 2020.09.11
- 国际公布: WO2022/052054 ZH 2022.03.17
- 进入国家日期: 2020-09-17
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/48 ; H01M4/58 ; H01M4/62 ; H01M10/0525
摘要:
本申请提供了一种硅基储锂材料及其制备方法,所述硅基储锂材料包括:内核,所述内核包括0~4价的硅元素;第一壳层,所述第一壳层包覆或者部分包覆所述内核,所述第一壳层包括氟碳化合物层,所述氟碳化合物层包括氟碳化合物。本申请技术方案的硅基储锂材料,能够改善所述硅基储锂材料作为锂离子二次电池活性物质在高温存储条件下的特性,同时提高二次电池的循环特性和初期充放电库伦效率。
公开/授权文献:
- CN112219295A 硅基储锂材料及其制备方法 公开/授权日:2021-01-12
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01M | 用于直接转变化学能为电能的方法或装置,例如电池组 |
------H01M4/00 | 电极 |
--------H01M4/02 | .由活性材料组成或包括活性材料的电极 |
----------H01M4/36 | ..作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择 |