基本信息:
- 专利标题： 一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法
- 申请号：CN202011157169.X 申请日：2020-10-26
- 公开(公告)号：CN112349584A 公开(公告)日：2021-02-09
- 发明人： 汤欢 , 郭宝军 , 王静 , 赵学玲 , 王平 , 马红娜 , 郎芳 , 史金超 , 李锋 , 张伟 , 王子谦 , 翟金叶 , 潘明翠 , 王红芳 , 徐卓 , 王丙宽 , 张文辉
- 申请人： 英利能源(中国)有限公司
- 申请人地址： 河北省保定市朝阳北大街3399号
- 专利权人： 英利能源(中国)有限公司
- 当前专利权人： 英利能源(中国)有限公司,英利能源发展有限公司
- 当前专利权人地址： 河北省保定市朝阳北大街3399号
- 代理机构： 石家庄国为知识产权事务所
- 代理人： 郝晓红
- 主分类号： H01L21/308
- IPC分类号： H01L21/308 ; H01L21/306 ; H01L31/18
摘要：
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H2O2的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。
公开/授权文献:
- CN112349584B 一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法 公开/授权日：2022-09-13
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/308 | .......应用掩膜的 |