基本信息:
- 专利标题： 一种二维材料Fe3GeTe2纳米片的制备方法
- 申请号：CN202110035291.8 申请日：2021-01-12
- 公开(公告)号：CN112591718B 公开(公告)日：2022-07-19
- 发明人： 黄毅 , 马素萍 , 李广浩 , 李卓
- 申请人： 南开大学
- 申请人地址： 天津市南开区卫津路94号
- 专利权人： 南开大学
- 当前专利权人： 南开大学
- 当前专利权人地址： 天津市南开区卫津路94号
- 代理机构： 天津市杰盈专利代理有限公司
- 代理人： 赵尊生
- 主分类号： C01B19/00
- IPC分类号： C01B19/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明涉及一种二维材料Fe3GeTe2纳米片的制备方法。包括以下步骤：1）Fe3GeTe2晶体于液相介质中研磨；2）将研磨混合物转移到一定量同种液相介质中加热搅拌；3）将搅拌混合物进行超声处理；4）离心分级，得到Fe3GeTe2二维纳米片分散液；5）冻干得到Fe3GeTe2二维纳米片粉末。本发明方法具有以下优点：1）工艺简单，制备周期短；2）可实现宏量制备；3）可制备得到厚度可控的Fe3GeTe2纳米片，主要集中在单层、少层和多层范围；4）可制备得到尺寸可控的Fe3GeTe2纳米片，尺寸为纳米至微米级；5）制备得到的Fe3GeTe2纳米片缺陷少，晶体结构保留完整。该方法简便可行，可以极大地推动Fe3GeTe2材料的研究及应用。
公开/授权文献:
- CN112591718A 一种二维材料Fe3GeTe2纳米片的制备方法 公开/授权日：2021-04-02