基本信息:
- 专利标题： 增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法
- 申请号：CN202110138200.3 申请日：2021-02-01
- 公开(公告)号：CN112744795B 公开(公告)日：2023-06-20
- 发明人： 李伟 , 崔振浩
- 申请人： 苏州大学张家港工业技术研究院 , 苏州大学
- 申请人地址： 江苏省苏州市张家港市杨舍镇长泾路10号;
- 专利权人： 苏州大学张家港工业技术研究院,苏州大学
- 当前专利权人： 苏州大学张家港工业技术研究院,苏州大学
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市张家港市杨舍镇长泾路10号;
- 代理机构： 苏州市中南伟业知识产权代理事务所
- 代理人： 苏张林
- 主分类号： C01B21/06
- IPC分类号： C01B21/06
摘要：
本发明涉及一种增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法，将二维电子化合物材料Ca2N进行S原子表面吸附，发生结构相变，使Ca2N材料从六角晶体结构转变为正方晶体结构。Ca‑N‑Ca角度趋近于90度(89.98度)，增强了材料的超交换相互作用。计算获得的磁各向异性能和居里温度均大于典型的二维磁性材料CrI3和Cr2Ge2Te6，说明了磁性响应和居里温度的增强。本发明的方法对于二维磁性材料在自旋电子器件和存储器件等应用中具有重要的研究意义。
公开/授权文献:
- CN112744795A 增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法 公开/授权日：2021-05-04
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C01 | 无机化学 |
| ----C01B | 非金属元素；其化合物 |
| ------C01B21/00 | 氮；其化合物 |
| --------C01B21/06 | .氮与金属、硅或硼的二元化合物 |