基本信息:
- 专利标题： 一种碳化硅平面式功率半导体器件及其制作方法
- 申请号：CN202110538857.9 申请日：2021-05-18
- 公开(公告)号：CN112993014B 公开(公告)日：2022-04-19
- 发明人： 李振道 , 孙明光 , 朱伟东
- 申请人： 江苏应能微电子有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
- 专利权人： 江苏应能微电子有限公司
- 当前专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 213000 江苏省常州市天宁区创智路5号4号楼（8层、9层）
- 代理机构： 无锡市大为专利商标事务所
- 代理人： 曹祖良; 陈丽丽
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/16 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅平面式功率半导体器件，其中，包括：衬底和外延层；形成在外延层上表面的闸极氧化层、介电质层和铝金属层；形成在闸极氧化层上表面的闸极多晶硅层；外延层本体内依次形成P‑掺杂区、N+掺杂区和P+掺杂区，N+掺杂区位于P‑掺杂区内，P‑掺杂区均包覆部分P+掺杂区，P+掺杂区包覆部分N+掺杂区，N+掺杂区的上表面的宽度大于其下表面的宽度。本发明还公开了一种碳化硅平面式功率半导体器件的制作方法。本发明提供的碳化硅平面式功率半导体器件提高了器件的雪崩崩溃能力。
公开/授权文献:
- CN112993014A 一种碳化硅平面式功率半导体器件及其制作方法 公开/授权日：2021-06-18