基本信息:
- 专利标题： 降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构和制造方法
- 申请号：CN202110964535.0 申请日：2021-08-23
- 公开(公告)号：CN113410311A 公开(公告)日：2021-09-17
- 发明人： 朱伟东 , 赵泊然 , 王晓荣
- 申请人： 江苏应能微电子有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
- 专利权人： 江苏应能微电子有限公司
- 当前专利权人： 江苏应能微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
- 代理机构： 无锡市兴为专利代理事务所
- 代理人： 屠志力
- 主分类号： H01L29/861
- IPC分类号： H01L29/861 ; H01L29/45 ; H01L21/329
摘要：
本发明提供提供了一种降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有轻掺杂第一导电类型外延层；在轻掺杂第一导电类型外延层内顶部设有第二导电类型重掺杂区；至少一圈隔离槽挖穿轻掺杂第一导电类型外延层，将转向二极管器件区隔离出来，隔离槽内填充有绝缘材料；在第二导电类型重掺杂区表面沉积有介质层，并在介质层中形成有接触孔；在第二导电类型重掺杂区内设有第二导电类型的表面注入区；在介质层上生长有金属层，所述金属层填充接触孔并与第二导电类型的表面注入区接触。本发明还提供了降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管的制造方法，有效降低了转向二极管的正向导通电压和导通电阻。