基本信息:
- 专利标题： 一种低功耗采样MOSFET功率管电流的电路
- 申请号：CN202110912742.1 申请日：2021-08-10
- 公开(公告)号：CN113534884B 公开(公告)日：2022-08-12
- 发明人： 李征
- 申请人： 江苏应能微电子有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
- 专利权人： 江苏应能微电子有限公司
- 当前专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 213000 江苏省常州市天宁区创智路5号4号楼（8层、9层）
- 代理机构： 北京盛凡佳华专利代理事务所
- 代理人： 吴佳佳
- 主分类号： G05F3/26
- IPC分类号： G05F3/26
摘要：
本发明公开一种低功耗采样MOSFET功率管电流的电路，包括：放大器1、采样管M1、功率管M0和MOS管M2，MOS管M3、分压电阻R5、分压电阻R6，分压电阻R5与分压电阻R6串联在功率管M0的源极和漏极之间，分压电阻R5与分压电阻R6共接点连接放大器1的正向输入端；MOS管M3与MOS管M2共栅极和共源极，构成电流镜，使得采样管M1的原始采样电流得以重新分配，采样电流的大部分可以返回输出，成为输出电流，小部分经由采样电阻流入地，这部分电流导致的功耗，可以通过调整分压电阻的比例以及MOS管M3与MOS管M2的电流镜的比例，达到降低采样功耗的目的；当功率管与采样管的面积比例比较小的情况下，例如：采用分离器件工艺设计MOSFET功率管，最适合采用上述结构。
公开/授权文献:
- CN113534884A 一种低功耗采样MOSFET功率管电流的电路 公开/授权日：2021-10-22
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G05 | 控制；调节 |
| ----G05F | 调节电变量或磁变量的系统 |
| ------G05F3/00 | 应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统 |
| --------G05F3/02 | .调节电压或电流的 |
| ----------G05F3/04 | ..其中变量是交流的 |
| ------------G05F3/10 | ...利用具有非线性特性的非控制器件 |
| --------------G05F3/16 | ....非控制器件是半导体器件 |
| ----------------G05F3/20 | .....应用了二极管与三极管的组合 |
| ------------------G05F3/26 | ......电流反射镜 |