基本信息:
- 专利标题： 一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法
- 申请号：CN202111122643.X 申请日：2021-09-24
- 公开(公告)号：CN113571421B 公开(公告)日：2021-12-24
- 发明人： 李振道 , 孙明光 , 朱伟东
- 申请人： 江苏应能微电子有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
- 专利权人： 江苏应能微电子有限公司
- 当前专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 213000 江苏省常州市天宁区创智路5号4号楼（8层、9层）
- 代理机构： 无锡市大为专利商标事务所
- 代理人： 曹祖良; 陈丽丽
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/28
摘要：
本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法，其中，包括：提供外延层；在外延层上进行光刻，得到沟槽；沿着沟槽内侧生长一层氧化层；在生长氧化层后的沟槽内沉积第一次多晶硅；对第一次多晶硅进行离子刻蚀得到沿着沟槽侧壁的三角多晶硅侧壁残余层；将三角多晶硅侧壁残余层形成全氧化层；在全氧化层上沉积第二次多晶硅并进行刻蚀得到源极多晶硅；将全氧化层进行刻蚀至与源极多晶硅齐平；在源极多晶硅上形成IPO层，以及在全氧化层上形成闸极氧化层；在IPO层上沉积第三次多晶硅，并刻蚀得到屏蔽闸沟槽的源极与门极双多晶硅结构。本发明提供的屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法控制性佳不用增加过多的工艺步骤即可实现。
公开/授权文献:
- CN113571421A 一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法 公开/授权日：2021-10-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |