基本信息:
- 专利标题： 具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件及其制作方法
- 申请号：CN202111281199.6 申请日：2021-11-01
- 公开(公告)号：CN113725213A 公开(公告)日：2021-11-30
- 发明人： 朱伟东 , 赵泊然
- 申请人： 江苏应能微电子有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
- 专利权人： 江苏应能微电子有限公司
- 当前专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 213000 江苏省常州市天宁区创智路5号4号楼（8层、9层）
- 代理机构： 无锡市兴为专利代理事务所
- 代理人： 屠志力
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L29/74 ; H01L21/332
摘要：
本发明提供一种具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，包括N型衬底；在N型衬底中的顶部间隔制作有左P型阱和右P型阱；在所述左P型阱中形成有第一P+注入区和第一N+注入区；在所述右P型阱中形成有第二P+注入区和第二N+注入区；在左P型阱和右P型阱的中间、左P型阱的外侧以及右P型阱的外侧分别制作有第一N型阱、第二N型阱和第三N型阱，左P型阱分别与其两侧的第二N型阱和第一N型阱相交，右P型阱分别与其两侧的第一N型阱和第三N型阱相交；左P型阱与其两侧N型阱的相交区、右P型阱与其两侧N型阱的相交区分别形成由于杂质补偿所形成的中性区；本发明器件更为紧凑，节约成本。
公开/授权文献:
- CN113725213B 具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件及其制作方法 公开/授权日：2022-03-01