基本信息:
- 专利标题： 一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法
- 申请号：CN202110837884.6 申请日：2021-07-23
- 公开(公告)号：CN113745106B 公开(公告)日：2025-03-04
- 发明人： 郎芳 , 张伟 , 王子谦 , 李青娟 , 张磊 , 李锋 , 史金超 , 李龙 , 田思 , 陈志军
- 申请人： 英利能源（中国）有限公司
- 申请人地址： 河北省保定市朝阳北大街3399号
- 专利权人： 英利能源（中国）有限公司
- 当前专利权人： 英利能源（中国）有限公司
- 当前专利权人地址： 河北省保定市朝阳北大街3399号
- 代理机构： 石家庄国为知识产权事务所
- 代理人： 张沙沙
- 主分类号： H01L21/311
- IPC分类号： H01L21/311 ; H01L21/3213 ; H10F71/00
摘要：
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法，包括如下步骤：步骤一，将经过背面超薄氧化硅及多晶硅沉积和背面磷掺杂后的硅片的正面浸入HF与HNO
公开/授权文献:
- CN113745106A 一种N型TOPCon电池正面绕镀的去除方法 公开/授权日：2021-12-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3105 | ......后处理 |
| --------------------H01L21/311 | .......绝缘层的刻蚀 |