基本信息:
- 专利标题： 一种提升发光效率的LED芯片制作方法
- 申请号：CN202111114620.4 申请日：2021-09-23
- 公开(公告)号：CN113823715A 公开(公告)日：2021-12-21
- 发明人： 徐平
- 申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 申请人地址： 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
- 专利权人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
- 代理机构： 长沙七源专利代理事务所
- 代理人： 张勇; 刘伊旸
- 主分类号： H01L33/02
- IPC分类号： H01L33/02 ; H01L33/06 ; H01L33/14 ; H01L33/12 ; H01L33/32 ; H01L33/00
摘要：
本申请公开了一种提升发光效率的LED芯片制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、表面处理、图形化处理、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层和降温冷却。本发明的掺杂Si的n型GaN层包含五层Si掺杂浓度变化的n型GaN层，并通过在n型GaN层表面上制作圆柱体图形来提升内量子效率，从而提高发光效率。
公开/授权文献:
- CN113823715B 一种提升发光效率的LED芯片制作方法 公开/授权日：2024-05-14