基本信息:
- 专利标题： 抗软错误的SRAM
- 申请号：CN202111151645.1 申请日：2021-09-29
- 公开(公告)号：CN113851177B 公开(公告)日：2025-03-25
- 发明人： 刘中阳 , 肖军
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 郭四华
- 主分类号： G11C29/08
- IPC分类号： G11C29/08
摘要：
本发明公开了一种抗软错误的SRAM的SRAM存储单元具有双重互锁结构，包括：共源连接的第一和第二NMOS管并由第一和第二NMOS管提供互锁的第一和第二存储节点，共源连接的第一和第二PMOS管并由第一和第二PMOS管提供互锁的第三和第四存储节点，共漏连接的第五MOS晶体管的栅极和源极连接在同相的第一和第三存储节点之间，共漏连接的第六MOS晶体管的栅极和源极连接在同相的第二和第四存储节点之间；共源连接的第七MOS晶体管的栅极和漏极连接在反相的第一和第四存储节点之间；共源连接的第八MOS晶体管的栅极和漏极连接在反相的第二和第三存储节点之间，第五至第八MOS晶体管都为NMOS管。本发明能容忍一个节点电位发生翻转，且能降低工作电压。
公开/授权文献:
- CN113851177A 抗软错误的SRAM 公开/授权日：2021-12-28
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C29/00 | 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器 |
| --------G11C29/04 | .损坏存储元件的检测或定位 |
| ----------G11C29/08 | ..功能测试，例如，在刷新、通电自检（POST）或分布型测试期间的测试 |