基本信息:
- 专利标题： 半导体结构及其形成方法
- 申请号：CN202010724655.9 申请日：2020-07-24
- 公开(公告)号：CN113972171B 公开(公告)日：2025-09-12
- 发明人： 王楠
- 申请人： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 , 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
- 代理机构： 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 王立娜; 汤陈龙
- 主分类号： H10D84/03
- IPC分类号： H10D84/03 ; H10D84/83
摘要：
一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底的至少一个表层为半导体材料层；去除部分半导体材料层，形成多个并行的鳍部，其中，所述多个并行的鳍部包括至少一个隔离鳍部和至少一个有源鳍部；在所述隔离鳍部的上方形成支撑结构；在所述支撑结构两侧的有源鳍部上形成掺杂结构；形成覆盖所述掺杂结构的层间介质层，所述层间介质层的顶面暴露所述支撑结构；至少去除所述层间介质层之间的支撑结构，形成隔离沟槽；形成填充在所述隔离沟槽内的隔离结构，从而提高了器件的性能。
公开/授权文献:
- CN113972171A 半导体结构及其形成方法 公开/授权日：2022-01-25