基本信息:
- 专利标题： 具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构
- 申请号：CN202210098555.9 申请日：2022-01-27
- 公开(公告)号：CN114121943A 公开(公告)日：2022-03-01
- 发明人： 朱伟东 , 赵泊然
- 申请人： 江苏应能微电子有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
- 专利权人： 江苏应能微电子有限公司
- 当前专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 213000 江苏省常州市天宁区创智路5号4号楼（8层、9层）
- 代理机构： 无锡市大为专利商标事务所
- 代理人： 陈丽丽; 曹祖良
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02
摘要：
本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有高触发电流的SCR器件，其中，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱；低压第二导电类型阱和低压第一导电类型阱；第一N+区和第一P+区；第二N+区和第二P+区；低压第二导电类型阱与低压第一导电类型阱的交界位置处设置触发结构，触发结构包括交替设置的触发N+区与触发P+区；所有触发N+区均分别与第一N+区和第一P+区连接，且连接后形成SCR器件的阳极金属端；所有触发P+区均分别与第二N+区和第二P+区连接，且连接后形成SCR器件的阴极金属端。本发明还公开了一种具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构。本发明提供的具有高触发电流的SCR器件能够在不改变工艺的前提下提升触发电流。
公开/授权文献:
- CN114121943B 具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构 公开/授权日：2022-05-17